扩频技术及其应用

扩频技术是充分利用有限频谱资源,提高无线信息传输效率的一种新技术,文章介绍了扩频通信工作原理及其系统模型,详细阐述了扩频通信的两种主要技术:直接序列扩频和跳频扩频,解释其工作原理,并将这二者的性能进行比较。另外介绍了扩频与数字水印技术的结合,利用扩频原理的数字水印技术具有很高的健壮性和安全性。     

组合扩频信号设计及抗干扰处理方法

目前航天测控系统中广泛采用的直接序列扩频体制具有抗干扰能力不足、容易被截获的缺点。针对这个问题,设计了一种适用于航天测控的跳频直扩组合扩频信号体制,其最主要的特点是采用跳扩结合的方法提高了信号的抗干扰性能,并且在跳频的同时保持了载波相位的连续性。对所设计波形在各种情况下的抗干扰能力进行了分析,同时给出了在不同干扰下的具体处理方法。从分析可以看出,与直扩体制相比组合扩频体制的抗干扰能力和抗侦破能力都有了明显提高,是提高航天测控系统抗干扰能力的重要途径。     

扩频通信技术浅谈

文中阐述了扩频通信系统的特点,分析了扩频通信可行性的理论基础,即信息论中关于信息容量的香农公式和柯捷尔尼可夫关于信息差错概率公式,指出了扩频通信的主要性能指标,给出了扩频通信的数学模型和物理模型,最后分析了几种典型的扩频方式(包括直接序列扩频、跳频扩频、跳时扩频和直扩/跳频混合扩频)及其应用领域。     

窄带CDMA无线网络的规划和设计

本文对窄带ＣＤＭＡ无线网络设计中的无线覆盖，话务配置，干扰等问题进行了分析。     

MSK扩频接收机中放系统设计

本文提出了采用MSK信号格式的 3种扩频接收机中放系统模型 ,并用计算机模拟的方法分析比较了几种典型的干扰环境下 3种系统的性能 ,文中给出的曲线可供设计MSK扩频通信系统参考。     

简述扩频通信技术

随着信息时代的到来,个人通信、GPS定位、3G网络、4G网络的不断普及和升级,人们与扩频技术的距离悄然间已相互渗透。为了提高通信质量和网络速度,对信息传输的研究是必经之路,这里,就信息传输中一个新颖而又重要的技术——扩频技术进行浅要分析与论述。     

扩频E1无线中继器的设计

无线扩频技术是现代通信最具潜力，最有前途的核心技术，本文阐述了利用此技术实现扩频Ｅ１无线中继器的基本原理和设计方案。     

3@—W—CDMA系统的扩频结构与扩频码

本文结构３ＧＰＰ Ｗ－ＣＤＭＡ的最新协议,介绍了Ｗ－ＣＤＭＡ系统的两次扩频结构,讨论了其中使用的ＯＶＳＦ码与扰码的主要特性及其在Ｗ－ＣＤＭＡ系统中的应用,文章的最后讨论了在工程实际中实时产生扩频码的方法。     

自编码扩频通信技术研究

扩展频谱通信是军事保密通信的基本方式，它是采用信息的频谱展宽进行传输的，从而达到抗干扰和信息保密的目的。而目前采用的PN序列具有周期性，为了寻找一种具有真正的随机性扩频码，并具有较强的抗干扰和信息保密能力的扩频通信技术，人们提出了自编码扩频的概念，文中介绍了自编码扩频原理，分析了系统的性能，并且进行了仿真。     

直接序列扩频系统的SystemView仿真

利用Systemview软件作为平台,对扩频通信中最典型的扩频工作方式--直接序列扩频系统(DSSS)进行了仿真分析;结果表明直扩系统的抗干扰能力远远大于普通的二进制系统,并且随着扩频增益的增大,系统的误码率越小;同时扩频系统性能的好坏很大程度上还取决于扩频码的特性.     

非对称多模量子叠加态光场的等幂高次和压缩

根据量子力学中的态叠加原理,构造了由多模复共轭相干态|{zj(a)*}>q和多模复共轭相干态|{zj(b)*}>q的相反态|{-zj(b)*}>q的线性叠加所组成的非对称两态叠加多模量子叠加态光场|ψ(2)>q,利用多模压缩态理论研究了态|ψ1f(2)>q的等幂高次和压缩特性,结果表明: 1)当Rj(a)=Rj(b)和ψj(a)-ψj(b)=±(2k 1)π(k=0,1,2,3……),态|ψ1f(2)>q的两个正交相位分量均处于N-H最小测不准态的结果;2)当Rj(a)=Rj(b)=Rj和ψj(a)=ψj(b)=ψj,ψ态|1f(2)>q的等幂高次和压缩与文献3的结果相似; 3)当Rj(a)≠Rj(b)=Rj和ψj(a)=ψj(b)=ψj,且和满足一定条件时,无论qN为奇数还是偶数,态|ψ1f(2)>q的两个正交相位分量均可分别呈现周期性变化的等幂高次和压缩效应,但qN为奇数时的压缩深度大于qN为偶数时的压缩深度。     

CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变

采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜.薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台阶仪、X射线荧光光谱仪(XRF)和X射线衍射仪(XRD)来表征.在(In,Ga)2Se3预制层-富Cu相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)5Se8、Cu(In,Ga)3Se5、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe).在富Cu相-富In(Ga)相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)3Se5、Cu(In,Ga)5Se8.对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构特性进行了讨论.     

不同物相二氧化钒间的相互转化及其相变性能研究

利用乙醇还原[VO(O2)2]-配合离子可以成功制备出VO2(B)纳米带;考察了VO2(B)在煅烧和水热条件下转化其它物相VO2的条件.结果表明,在惰性氛围中,VO2(B)在700℃的条件下煅烧2 h可以转化为VO2(M);在水热条件下,如果体系中无掺杂剂,VO2(B)可以转化成VO2(A);如果体系中存在掺杂剂(如钼酸),则VO2(B)转化为掺杂的VO2(M).在一步水热法制备VO2(M)过程中,选择掺杂剂是至关重要的,掺杂剂有利于形成掺杂VO2(M),使VO2(M)在水热条件下能够稳定存在.VO2(A)在惰性氛围中煅烧,发现VO2(A)也可以转化为VO2(M).不同物相VO2具有均一的带状形貌,初步探讨了VO2之间的转化机理.VO2(A)的相变温度为162.4℃;Mo掺杂VO2(M)的相变温度为53.7℃,说明掺杂Mo原子可以有效降低VO2(M)的相变温度,也表明Mo原子可以有效地进入VO2(M)晶格中.     

sol-gel法制备Ba_(3.99)Sm_(9.34)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷

以柠檬酸为络合剂,通过sol-gel法制备了Ba3.99Sm9.34Ti18O54陶瓷前驱体;经1100℃预烧2h压片成型后,再在1300℃保温3h,即得到了烧结致密的陶瓷样品。与传统固相法相比,其烧结温度降低了50℃,且陶瓷晶粒细小,晶粒分布均匀,具有更加优良的微波介电性能:εr=79.56,Q·f=9636GHz(4.71GHz),τf=–1.23×10–6/℃。     

Maximum likelihood estimation of parameters of several continuous and discrete failure distributions

A comprehensive quantitative treatment is presented for maximum-likelihood estimation of parameters of the following continuous and discrete failure distributions: (1) Exponential, (2) Gamma, (3) Weibull, (4) Normal, (5) Lognormal, (6) Extreme value, (7) Poisson, (8) Binomial and (9) Geometric.     

Synthesis, optical and electroluminescent properties of novel polyfluorene/carbazole-based conjugated polyelectrolytes and their precursors

A series of novel aminoalkyl-substituted fluorene/carbazole-based main chain copolymers with benzothiadiazole (BTDZ) of different contents: poly[3,6-(N-(2-ethylhexyl)carbazole)-(9,9-bis(3'-(N,N-dimethyl-amino)propyl)-2,7-fluorene)-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)] (PCzN-BTDZ) were synthesized by Suzuki coupling reaction. Through a postpolymerization treatment on the precursor polymer, a corresponding quaternized ammonium polyelectrolyte derivatives: poly[3,6-(N-(2-ethylhexyl)carbazole)-(9,9-bis(3'-((N,N-dimethyl)-N-ethylammonium)propyl)-2,7-fluorene)-4,7-(2,l, 3-benzothiadiazole)] dibromide (PCzNBr-BTDZ) were obtained. It was found that devices from such polymers with high work-function metal cathode such as Al showed similar device performance to that by using low work-function cathode such as Ba, indicating the excellent electron injection ability of these polymers. The efficient energy transfer from fluorene-carbazole segment to the narrow band gap BTDZ site for both the neutral and the quaternized copolymers was also observed. The addition of BTDZ into the polymer main chain can also improve polymer LED (PLED) device performance. When poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT)/poly(vinylcarbazole) (PVK) was used as an anode buffer, the external quantum efficiency of the copolymer PCzN-BTDZ1 was 0.99%, which was much higher than the copolymer PCzN without the incorporation of BTDZ in the same device configuration.     

有机近场存储材料的合成及其应用

研究近场存储材料二芳基乙烯类化合物1，2-双(2-甲基-5-(4-(2-(1，3-二氧戊环基))苯基)噻吩-3-基)全氟环戊烯(1a)和1，2-双(2-甲基-5-(4-醛基苯基)噻吩-3-基)全氟环戊烯(1a′)的合成、表征。将这两种二芳基乙烯类化合物分别与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)掺杂，并采用旋转涂膜的方法制备膜片，采用固体浸没透镜(SIL)进行近场存储，在有机小分子上存储并记录了小于1μm的斑点。     

Ca~(2+)和Cu~(2+)掺杂对铬酸锶镧烧结及电性能的影响

La_(0.85)Sr_(0.15)CrO_3是固体氧化物燃料电池普遍使用的连接材料, 但其难以烧结致密.该文考察了Ca~(2+)和Cu~(2+)分别在La位和Cr位取代对La_(0.85)Sr_(0.15-x)Ca_xCr_(1-y)Cu_yO_3(x＝0～1、y＝0.2～0.8)连接材料烧结性能、电性能和热膨胀性能的影响.实验表明,当x＝0.05、y＝0时,材料La_(0.85)Sr_(0.1)Ca_(0.05)CrO_3的电导率显著提高, 800 ℃时达到20.1 S/cm.研究La位和Cr位共掺杂发现, x＝0.05、y＝0.05时的试样烧成温度降低了100 ℃,体积密度提高31.6%,同时材料的热膨胀系数也与8YSZ电解质材料匹配.     

三组三元合金异质结的价带带阶

采用基于LMTO－ASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法，研究了三组典型的晶格匹配三元合金异质结（GaAs）x（Ge2）1-x／GaAs，（AlAs）x（Ge2）1-x／GaAs和AlxGa1-xAs／GaAs的价带带阶△Ev（x）值。研究表明：AlxGa1-xAs／GaAs异质结的Mv（x）值随合金组分x的变化接近于线性；（GaAs）x（Ge2）1-x／GaAs和（AlAs）x（Ge2）1-x／GaAs的△Ev（x）值随合金组分x的变化是非线性的。△Ev（x）的理论计算值与实验结果相当符合。     

In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs和GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱的静压下光致发光的对照研究

在77K,0—60kbar范围内对在同一衬底上生长的In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs和GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱的静压下的光致发光进行了对照研究。在GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱中同时观察到导带到轻重空穴子带的跃迁。而在In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs阱中只观察到导带到重空穴子带的跃迁。与GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As的情况相反,In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs 量子阱的光致发光峰的压力系数随阱宽的减小而增加。在压力大于48kbar时观察到多个与间接跃迁有关的发光峰,对此进行了简短的讨论。