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相似文献
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1.
微波介质陶瓷材料与器件   总被引:12,自引:0,他引:12  
  相似文献   

2.
低温共烧微波介质陶瓷材料研究进展   总被引:4,自引:3,他引:1  
在介绍低温共烧陶瓷(LTCC)技术的基础上,阐述了LTCC微波介质陶瓷材料的特点及应用背景。综述了BaTi4O9、Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]O3-δ、ZnNb2O6、ZnTiO3及Li2O-Nb2O5-TiO2等常用的LTCC微波介质陶瓷材料体系。指出了目前研究中存在的问题,指出新体系的开发是今后的主要研究方向。新体系可以采用多相复合,也可以由几种低熔点氧化物化合而产生。  相似文献   

3.
介绍了应用于微波和RF电路中的厚膜材料和工艺。无玻璃的厚膜导体材料的电阻率极低。氧化铝(96%,99%)、氧化铍和氮化铝陶瓷的高频损耗很低,是优良的微波和RF电路用基板。采用先进的厚膜细线技术,使厚膜导体的线分辨率几乎达到了薄膜的工艺的水平。  相似文献   

4.
将MgTiO3微波介质陶瓷与Ni-Zn-Cu铁氧体进行低温共烧实验,研究了两种材料的低温烧结特性,结果表明,添加适量的Bi2O3能将复合材料的烧结温度降至900~920℃,并且使得烧结更加致密化。实验证明两种材料之间没有发生化学反应,各自保持了原有的物相,二者具有良好的化学相容性。该复合材料既具有铁电性又具有铁磁性,并且能满足低温共烧工艺的要求,有很好的应用前景。  相似文献   

5.
提出一种铁氧体金属化方法,解决了微波介质器件中铁氧体容易脱落的问题,为微波介质器件的发展开辟了一个新的方向。  相似文献   

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7.
微波介质陶瓷材料综述   总被引:21,自引:4,他引:21  
从使用微波介质陶瓷材料制作微波介质谐振器的角度,详细综述了微波介质陶瓷材料的特性、发展现状,讨论了提高微波介质材料性能的途径,指出了其今后的发展和应用方向。  相似文献   

8.
功能陶瓷是一类应用极为广泛的先进陶瓷,这类陶瓷具有光、电磁、弹性,部分化学特性及其上述这些功能之间转换和耦合的效应,近年来,功能陶瓷研究主要在下列诸方面有较大的进展1)微电子技术推动下的微型化(薄片化),2)在安全和环保要求促进下发展传感器和多孔陶瓷;3)进一步重视粉体的特性与材料性能的关系,发展了多种先进的制粉技术,制得了特征线度尺寸达纳米级(10-100nm),化学均匀性和粒度均匀性都好的功能  相似文献   

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10.
在5G高频通信时代,电子产品向微小型化和多功能化方向发展,对电子元器件的集成和封装提出了更高的要求.低温共烧陶瓷(LTCC)技术作为无源元器件集成的关键技术,在开发高频、高性能、高集成度的电子元器件方面具有显著优势,对我国高频通信的发展有着举足轻重的作用.本文首先介绍了LTCC技术的特点及优势,随后综述了LTCC材料及...  相似文献   

11.
一种微波介质谐振器复介电常数测试方法   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍了一种简单的微波介质谐振腔的设计及性能参数的计算方法,给出了相对介电常数ε1、介质损耗tan δ的详细求解方程,为微波介质陶瓷性能参数的测量提供了一种简单而有效的方法。  相似文献   

12.
高Q微波介质谐振器材料D_5的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研制出新型D5微波介质谐振器材料。该材料为ABO3型钙钛矿化合物。化学组成式为Ba(Zrx,Zny,Taz)On(式中x+y+z=1,n为任意)。该材料具有稳定的工艺特性和良好的微波性能。10GHz下,无载Q值Q0=9000,相对介电常数εr=30,谐振频率温度系数τf(10-6℃-1)在0附近可调。该材料的出现为X波段乃至Ku波段微波介质谐振器的应用提供了一种良好的可供选择的材料。  相似文献   

13.
根据微波谐振系统中电场的波动方程,采用复频率和有耗导体的边界条件,导出以被测介质的复介电常数为本征值的微分和变分方程。使用MATLAB软件中的PDE工具箱,只要是能以二维形式作图表现的微波介质谐振器,都可以求解出其复介电常数,且与实验数据及不同方法计算的结果相吻合,该方法适用面广、计算精确、简洁方便。  相似文献   

14.
SnO2掺杂ZnO-Nb2O5-TiO2微波介质陶瓷   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了 SnO_2对 ZnO-Nb_2O-5-TiO_2陶瓷相结构和微波介电性能的影响。随 Sn 添加量的增加,晶相组成逐步从(Zn_(0.15)Nb_(0.30)Ti_(0.55))O2相转变为 ZnTiNb_2O_8相,相对介电常数 ?r减少,?f向负频率温度系数方向移动, 当 Sn 含量增加到0.20,?f可降至 9.8×10–6℃–1。当 SnO2的摩尔比 y 为 0~<0.08 时,形成完全固溶体,提高 Q·f 值;当 y>0.08,部分Sn 形成第 2 相,降低其 Q·f 值。当 y 为 0.08,在 1 150℃烧结,具有很好的微波介电性能,其 ?r为 50.3,Q·f 为 14 892GHz,?f为 25.12×10-6℃–1。  相似文献   

15.
ZST微波陶瓷在介质振荡器上的应用研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
用传统固相法制备ZST(氧化锆-氧化锡-氧化钛)系微波陶瓷,研究了ZST系微波陶瓷的组成对介电性能的影响。通过X-射线衍射(XRD)和HP8714ET网络分析仪对其晶体结构和微波介电性能进行研究,实验结果表明:少量掺Bi2O3的ZST系陶瓷材料可把烧结温度降低至1 260℃,微波介电性能较好;掺入量大于2%(质量分数)时,ZST系微波陶瓷在晶界偏析形成了Bi2Ti2O7新相,微波性能下降。用微波介电性能较好的ZST系陶瓷制成的介质振荡器进行测试,其电性能满足设计要求。  相似文献   

16.
在不同条件下采用固相反应法合成BaCu(B2O5)(BCB)粉体,研究了所合成的BCB粉体对Ba5Nb4O15-BaWO4(BNBW)陶瓷的微波介电性能的影响。结果表明,采用无水乙醇作为球磨介质,在800℃煅烧可以得到无杂相的BCB。将BCB作为助烧剂,添加少量于BNBW陶瓷中,在950℃烧结时可有效促进陶瓷致密化。随着BCB的掺量增加,BNBW陶瓷的介电常数εr和谐振频率温度系数τf单调降低,而品质因数与频率之积Q×f值先上升后下降。当w(BCB)=1%时,BNBW陶瓷得到较好微波性能:εr=19.0,Q×f=33 802GHz,τf=2.5×10-6/℃。  相似文献   

17.
文章研究了La2O3-B2O3和SiO2作为添加剂对钙硼硅系LTCC材料的烧结和介电性能的影响。实验结果表明,La2O3-B2O3添加剂促进了CaSiO3的析晶,从而极大增强了钙硼硅玻璃陶瓷的抗弯强度。Si用于调节样品的收缩率以满足实际生产要求。CaO-B2O3-SiO2-6wt%La2O3-B2O3-7wt%Si样品性能较好:εr=6.13,tanδ=12.34×10-4(10 GHz),弯曲强度σf≥160 MPa,收缩率为14.9%。  相似文献   

18.
平行板谐振法测量微波介质陶瓷介电性能   总被引:14,自引:3,他引:11  
对平行板谐振法测量微波介质陶瓷的基本原理进行了阐述。介绍了该方法的硬、软件构成及其操作注意事项,并给出了部分测试结果。该方法具有测量简单、快速、准确的优点,但不适用于测量介质损耗较大的微波介质陶瓷。 r的测量误差为0.5%左右,Q值的测量误差为15%以下。  相似文献   

19.
该文设计了一种尺寸小,频带宽,结构简单的单极子陶瓷介质谐振器天线。在单极子天线周围加载一个环形的陶瓷介质谐振器,利用环形谐振器与单极子谐振频率之间耦合来展宽频带。利用仿真软件HFSS建立天线的模型,并对模型进行优化仿真,得到了最佳的天线设计参数,仿真得到的天线频带宽度为0.7~4.6GHz,相对带宽达到了153%,使用矢量网络分析仪对该天线进行测量,实测结果与仿真值基本吻合。  相似文献   

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