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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 370 毫秒

1.  cBN/SiN-p异质结的电学性质研究  
   陈光华  邓金祥  宋雪梅  李茂登  于春娜  冯贞健《固体电子学研究与进展》,2002年第22卷第4期
   用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8~ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和氮气混合而成 ,固态硫 (S)通过加热蒸发混入工作气体 ,改变硫的加热温度可改变硫的掺杂剂量。为了测量异质结的电学性质 ,用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了 1 .5 mm× 2 .0 mm的铝电极。实验结果表明 ,c BN/ Si N-p异质结的 I-V曲线具有明显的整流特性 ,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合安德森理论 ,c BN/ Si N-p异质结的 C-V曲线也和理想异质结的 C-V特性非常接近。得到的 c BN/ Si N-p异质结的自建势为 4.71 V,c-BN薄膜层中的施主浓度为 6.5 0× 1 0 1 4/ cm3。    

2.  ZnO/p-Si异质结的I-V及C-V特性研究  
       袁洪春  徐安成      陆兴中  姚若河《半导体光电》,2013年第34卷第3期
   通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在p-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备了ZnO/p-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/p-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。由于在ZnO/p-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过1V时,导电机理为空间电荷限制电流导电。同时,研究表明ZnO/p-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态进一步提高其光电特性。    

3.  基于MEMS制作n-Zn0/p-Si异质结及特性  
   赵晓锋  温殿忠《功能材料与器件学报》,2008年第14卷第6期
   基于MEMS技术在P型<100>晶向双面抛光单晶硅片上制作c型硅杯,在C型硅杯上表面扩散P+,采用磁控溅射法在扩散区上制备择优取向为<0002>晶向的n-ZnO薄膜,形成n-ZnO/P-Si异质结.采用HP4280A型C-V特性测试仪分析n-ZnO/p-Si异质结的C-V特性,该异质结为突变结.采用HP4145B型半导体参数测试仪分析n-ZnO/p-si异质结,I-V特性,结果给出,n-ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,电流随外加偏压按指数函数增加,反向电流不饱和,采用突变异质结的正反向势垒能带结构对其,I-V特性进行分析.    

4.  纳米硅/单晶硅异质结二极管的电学特性  被引次数:2
   徐刚毅  王天民  王金良《功能材料与器件学报》,2001年第7卷第1期
   利用高真空PECVD系统在p型单晶硅上沉积掺磷n型纳米硅薄层(nc-Si:H),形成纳米硅/单晶硅Np异质结二极管,通过C-V和J-V测试研究了二极管的电学性质。C-V特性指出该异质结为突变型。J-V特性表明二极管具有很好的温度稳定性和整流特性。正偏压时二极管存在两种输运机制:小偏压时(<0.8V)二极管电流由耗尽层纳米硅薄层一侧的载流子复合过程决定,纳米硅薄层由于能带弯曲而减小了禁带宽度,这是该二极管温度稳定性好的根本原因;大偏压(>1.0V)时电输运符合电荷限制电流(SCLC)模型。负偏压时电流主要来自空间电荷区中的产生电流。    

5.  La_(1-x)Sr_xMnO_3薄膜的制备、微观结构及电性能  
   高文娟  殷明志  徐驰  彭焕英《材料导报》,2012年第26卷第18期
   以无机盐为原料,采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La1-xSrxMnO3(LSMO)薄膜。XRD和TEM测试表明LSMO薄膜呈现纳米多晶菱形钙钛矿结构,薄膜的(012)、(110)晶面间距分别为0.38nm、0.28nm。SEM分析表明LSMO薄膜表面平整、光滑致密。电学测试La1-xSrxMnO3/Si异质结的I-V特性曲线表明,随着Sr掺杂量的增加,同一偏压下的开启电压变小,当电压大于10V时,La1-xSrxMnO3/Si异质结的电流迅速增大,呈现传统的p-n结特征。    

6.  n-BN/p-Si薄膜异质结的I-V特性  
   陈浩  邓金祥  陈光华  刘钧锴  田凌《真空科学与技术学报》,2006年第26卷第Z1期
   用射频溅射系统制备了BN薄膜,并且用离子注入的方法在BN薄膜中注入S,从而成功制备了n-BN/p-Si薄膜异质结,并研究了异质结的电学性质.注入S的BN薄膜是用13.56 MHz射频溅射系统沉积在p型Si(100)(5~6 Ω·cm)衬底上,靶材为h-BN靶(纯度为99.99%).离子注入时,注入离子的能量为190 keV,注入剂量为1015/cm2.对注入后的薄膜进行了退火处理(退火温度为600℃),用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了2 mm×5 mm的铝电极,以便测量掺杂后异质结的电学性质.实验结果表明离子注入掺杂后制备的n-BN/p-Si异质结的I-V曲线具有明显的整流特性,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合"隧道-复合模型"理论.    

7.  n-BN/p-Si薄膜异质结的I-V特性  
   陈浩  邓金祥  陈光华  刘钧锴  田凌《真空科学与技术学报》,2006年第26卷第Z1期
   用射频溅射系统制备了BN薄膜,并且用离子注入的方法在BN薄膜中注入S,从而成功制备了n-BN/p-Si薄膜异质结,并研究了异质结的电学性质.注入S的BN薄膜是用13.56 MHz射频溅射系统沉积在p型Si(100)(5~6 Ω·cm)衬底上,靶材为h-BN靶(纯度为99.99%).离子注入时,注入离子的能量为190 keV,注入剂量为1015/cm2.对注入后的薄膜进行了退火处理(退火温度为600℃),用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了2 mm×5 mm的铝电极,以便测量掺杂后异质结的电学性质.实验结果表明离子注入掺杂后制备的n-BN/p-Si异质结的I-V曲线具有明显的整流特性,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合"隧道-复合模型"理论.    

8.  基于p+-Si与n-ZnO纳米线的p-n异质结的制备及其性质研究  
   郑凯波  邢晓艳  徐华华  方方  沈浩镲  张晶  朱健  叶春暖  孙大林  陈国荣《真空科学与技术学报》,2006年第26卷第3期
   利用CVD蒸汽俘获法,在p^+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。测试发现样品的I-V曲线符合典型的p-n异质结特性,正向开启电压为0.5V,反向饱和电流为0.02mA。计算了异质结的理想因子η,发现当异质结两端偏压在0V-0.3V的低压区域,理想因子为1.85,而在0.3v-0.8v的高偏压区域,理想因子为8.36。解释了理想因子偏高的原因是由于金属一半导体接触以及ZnO纳米线与p^+-si界而存在缺陷。    

9.  基于p+-Si与n-ZnO纳米线的p-n异质结的制备及其性质研究  
   郑凯波  邢晓艳  徐华华  方方  沈浩镲  张晶  朱健  叶春暖  孙大林  陈国荣《真空科学与技术学报》,2006年第26卷第3期
   利用CVD蒸汽俘获法,在p^+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。测试发现样品的I-V曲线符合典型的p-n异质结特性,正向开启电压为0.5V,反向饱和电流为0.02mA。计算了异质结的理想因子η,发现当异质结两端偏压在0V-0.3V的低压区域,理想因子为1.85,而在0.3v-0.8v的高偏压区域,理想因子为8.36。解释了理想因子偏高的原因是由于金属一半导体接触以及ZnO纳米线与p^+-si界而存在缺陷。    

10.  n-ZnO/p-Si异质结J-V特性的实验研究  被引次数:1
   林鸿生  马雷  付竹西《光电子技术》,2001年第21卷第1期
   本文首次报道n-ZnO/p-Si异质结J-V特性实验测量的初步结果-经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级,表明退火改善ZnO/Si晶格界面结构,提高了n-ZnO/p-Si异质结性能。    

11.  退火温度对ZnO/Si异质结光电转换特性的影响  
   张伟英  刘振中  赵建果  傅竹西《材料导报》,2010年第24卷第16期
   采用直流反应溅射法在P-Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,XRD测量表明ZnO为沿c轴高度取向的多晶薄膜,1-V特性曲线表明,ZnO/Si异质结具有明显的整流特性.研究了退火温度对异质结光电转换特性的影响,结果显示,合适的退火温度能显著增大异质结的开路电压和短路电流,进而增大异质结的光电转换效率,经400℃退火后异质结获得最佳的转换效率.当退火温度达到或超过500℃时,异质结的反向电流迅速增加,光生电压和光生电流大幅度减小.通过对ZnO薄膜结构和电学性质的测量和分析,推测异质结的光电转换特性改变主要受ZnO薄膜的电学性质影响.    

12.  CH3NH3PbI3/p-Si异质结的光电特性研究  
   Wu Yamei  Yang Ruixi  Tian Hanmin  Chen Shuai《半导体学报》,2016年第37卷第5期
   利用一步溶液法在p型Si衬底上生长有机/无机杂化钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜,构成CH3NH3PbI3/p-Si异质结。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜形貌和结构进行表征,通过无光照和有光照条件下的电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)测试对异质结的光电特性进行研究。I-V测试结果显示CH3NH3PbI3/p-Si异质结具有整流特性,正反偏压为±5V时,整流比大于70,并在此异质结上观察到了光电转换现象,开路电压为10mV,短路电流为0.16uA。C-V测试结果显示Ag/CH3NH3PbI3/p-Si异质结具有与MIS(金属-绝缘层-半导体)结构相似的C-V特性曲线,与理想MIS的C-V特性曲线相比,异质结的C-V曲线整体沿电压轴向正电压方向平移。C-V特性曲线的这种平移表明Ag/CH3NH3PbI3/p-Si异质结界面存在界面缺陷,CH3NH3PbI3层也可能存在固定电荷。这种界面缺陷是导致CH3NH3PbI3/p-Si异质结开路电压的大幅度降低的重要原因。此外,CH3NH3PbI3薄膜的C-V测试结果显示其具有介电非线性特性,其介电常数约为4.64。    

13.  固体C_(70)/P型Si接触的电学性质  
   陈开茅  贾勇强  吴克  金泗轩  李传义  周锡煌  顾镇南《半导体学报》,1995年第16卷第10期
   我们制成固体C70/p型Si单晶半导体异质结电流电压(J-V)测量表明该结具有强整流作用,当偏压为±2V时,其整流比大于104倍电流温度(J-T-1)测量表明结的正向电流与温度的倒数呈指数关系,从中可得接触势垒的有效高度为0.27eV.    

14.  纳米硅异质结二极管  被引次数:5
   何宇亮  王因生  桂德成  陈堂胜  顾晓春《固体电子学研究与进展》,2000年第20卷第1期
   在 p型单晶硅衬底上沉积一层掺磷 N+ 型纳米硅薄膜 ,形成 nc- Si∶ H/ c- Si构成的 N+ / p异质结构。文中报道了它的独特性能 :其反向击穿电压可达 75V,反向漏电流仅 n A量级 ,反向开关时间为 1.5ns,可望应用于微波波段。由其 I- V及 C- V特性初步分析了结的性质及电输运机制。    

15.  ZnO基薄膜载流子传输特性研究  
   边继明  李效民  张灿云  赵俊亮《中国有色金属学报》,2004年第14卷第Z2期
   通过对ZnO基薄膜的载流子传输特性研究,实现对ZnO基薄膜电学性能的控制,解决氧化锌薄膜中难于实现有效受主掺杂的困难,提供一种制备p型ZnO膜及其同质p-n结材料的新方法,以满足制备ZnO基短波长光电子器件的需要.采用超声喷雾热解法,以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源,在单晶硅衬底上沉积了氮-铟(N-In)共掺杂ZnO薄膜.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、霍尔(Hall)效应、塞贝克(Seebeck)效应等分析方法,研究了N-In共掺杂对ZnO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响规律.研究结果表明:所得ZnO基薄膜结构均匀致密,表面光滑平整.在优化工艺下制备了氮铟共掺杂的p型ZnO薄膜,电阻率约为1.0×10-3Ω·cm,载流子浓度约为1.0×1019/cm3.通过在p型ZnO薄膜上沉积未掺杂的n型ZnO薄膜,制备了ZnO同质p-n结薄膜.I-V曲线清楚表明了ZnO同质p-n结的正向导通、反向截止的整流效应.    

16.  ZnO/p-Si异质结的光电转换特性  被引次数:3
   段理  林碧霞  傅竹西  蔡俊江  张子俞《半导体学报》,2005年第26卷第10期
   通过直流反应溅射制备了整流特性良好的ZnO/p-Si异质结,并在该异质结上观察到了明显的光电转换特性.研究表明ZnO薄膜中的电子浓度在一个合适的数值(1.6×1015cm-3)时光电流最强,另外晶粒尺寸越大光电流越强.分析表明,电子浓度和晶粒直径对光电流的影响规律在很大程度上是载流子散射导致的.此外,还发现ZnO薄膜存在一个临界厚度,当薄膜厚度大于该临界厚度时,异质结的光电压和光电流都急剧衰减并很快接近于0.实验表明,这个临界厚度和ZnO薄膜(001)面最大晶粒直径一致.    

17.  ZnO/p-Si异质结的光电转换特性  
   段理  林碧霞  傅竹西  蔡俊江  张子俞《半导体学报》,2005年第26卷第10期
   通过直流反应溅射制备了整流特性良好的ZnO/p-Si异质结,并在该异质结上观察到了明显的光电转换特性.研究表明ZnO薄膜中的电子浓度在一个合适的数值(1.6×1015cm-3)时光电流最强,另外晶粒尺寸越大光电流越强.分析表明,电子浓度和晶粒直径对光电流的影响规律在很大程度上是载流子散射导致的.此外,还发现ZnO薄膜存在一个临界厚度,当薄膜厚度大于该临界厚度时,异质结的光电压和光电流都急剧衰减并很快接近于0.实验表明,这个临界厚度和ZnO薄膜(001)面最大晶粒直径一致.    

18.  退火处理对Zno/Si异质结光电转换特性的影响  
   张伟英  刘振中  刘照军  梁会琴  傅竹西《材料导报》,2010年第24卷第4期
   采用直流反应溅射方法在p型Si(100)衬底上生长掺Al的ZnO薄膜,并研究退火处理对ZnO薄膜性质的影响。XRD测量结果表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构,退火后薄膜的晶粒长大,晶界减少;暗态I-V特性曲线表明,ZnO/Si异质结具有明显的整流特性,退火后由于晶粒间界减少和空位浓度降低使反向漏电流降低1个量级;此外,退火处理能在一定程度上改善异质结的光伏效应,使其转换效率提高。    

19.  N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性  
   吕建国  叶志镇  诸葛飞  曾昱嘉  赵炳辉  朱丽萍《半导体学报》,2005年第26卷第4期
   利用直流反应磁控溅射技术制得N-Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N-Al键的形式存在.N-Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×1017cm-3,电阻率为57.3Ω·cm,Han迁移率为0.43cm2/(V·s).N-Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90%.    

20.  N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性  被引次数:7
   吕建国  叶志镇  诸葛飞  曾昱嘉  赵炳辉  朱丽萍《半导体学报》,2005年第26卷第4期
   利用直流反应磁控溅射技术制得N-Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N-Al键的形式存在.N-Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52e17cm-3,电阻率为57.3Ω·cm,Hall迁移率为0.43cm2/(V·s).N-Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90%.    

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