草酸钙在硫酸软骨素自组装膜上周期沉淀的研究

利用硫酸软骨素(chondroitin sulfate，CS)在云母基底上通过浇铸法制备的自组装膜为基底，诱导草酸钙在其上的凝集生长。发现当硫酸软骨素的浓度为1．Omg／ml时在该膜体系中可形成规整的周期性草酸钙环状沉淀。这种有序的环状结构可能是耗散结构的一种具体表现形式。利用原子力显微镜(atomic forcemicroscope，AFM)和傅立叶红外光谱仪对这种结构进行了表征，实验结果显示合适浓度下形成的CS膜在一定程度上可以抑制草酸钙的凝集结晶，表明高分子基质与无机离子间强烈的相互作用对无机盐的成核结晶有显著影响，为探讨结石的形成与抑制提供了一定的实验依据。     

海藻酸钠自组装体系的AFM研究

运用原子力显微镜(AFM)对不同浓度海藻酸钠在云母表面上形成的自组装膜进行了研究,实验结果显示在0．001mg／ml时,海藻酸钠出现单分子聚集体形态;0.01mg／ml和0.05mg／ml时,呈现致密、紧凑的网格状结构。随着浓度的改变,海藻酸钠自组装表面超微结构也发生变化。初步分析了影响其表面超微结构变化的一些因素并运用耗散理论探讨了这种变化过程可能的机理。     

基于原子力显微镜对多肽自组装结构的纳米操纵研究

多肽自组装作为一种"自下而上"的技术得到了快速的发展,所形成的自组装结构作为新型的纳米材料具有众多潜在的应用。然而在多肽自组装过程中,会产生各种各样的缺陷,导致多肽纤维形成的图案有一定的局限性。本文利用原子力显微镜对固液界面生长的多肽自组装结构进行纳米操纵,介绍了定位移除部分多肽纤维从而产生缺口的方法,并利用所产生的缺口实现了纳米纤维的重新排布,极大地提高了多肽纳米纤维构成图案的复杂性,在纳米制造中有潜在的应用。     

复合自组装分子膜的摩擦特性研究

本文采用自组装技术制备了三氯十八硅烷(octadecyltrichorosilane 0TS)／3-胺基丙基-三甲氧基硅炕(3-amino-propyltrimethoxysilane APTMS)和APTMS／OTS复合自组装分子膜,在原子力／摩擦力显微镜上对薄膜的摩擦特性进行了测试,并与0TS和APTMS自组装分子膜(self-assembledmonolayers SAMs)进行了对比。结果表明,OTS／APTMS复合自组装分子膜因既保持了一定的键合强度叉增加了自组装分子的流动性,使其摩擦力显著降低。复合自组装分子膜的摩擦力随着载荷和滑动速度的增大而增大,这与自组装分子的受力响应和弛豫特性相关。合理地设计自组装分子膜可有效地减小摩擦。     

稀土La自组装纳米膜的制备及表征

电子封装表面材料采用分子自组装技术制备了稀土La纳米膜,采用AFM(原子力显微镜)对组装膜的表面形貌进行表征,表征结果该稀土纳米膜表面形貌致密,表面粒子尺寸为20～30nm;场发射扫描电镜测试表明,该组装膜的成分为La;     

硫酸软骨素掺假鉴定的太赫兹和红外光谱对比

研究太赫兹时域光谱(Terahertz Time-domain Spectroscopy,THz-TDS)技术和红外光谱技术用于硫酸软骨素掺假鉴定的可行性.将六偏磷酸钠混入鲨鱼硫酸软骨素中的样品作为掺假研究对象,利用上述两种技术对样品进行对比研究.研究发现,THz光谱和红外光谱谱图中六偏磷酸钠标样、鲨鱼硫酸软骨素标样与掺假(混合)样品谱线均表现出较明显的差异,可用于鉴别鲨鱼硫酸软骨素的六偏磷酸钠掺假.实验结果表明,此两种技术能够鉴别的六偏磷酸钠:鲨鱼硫酸软骨素最低质量比分别为1:15和1:1,THz-TDS表现出较为灵敏的检测性能;综合考虑,THz-TDS技术可以比较好的用于鲨鱼硫酸软骨素的六偏磷酸钠掺假检测.本工作为发展一种基于THz-TDS技术的准确、快速和无损鉴别鲨鱼硫酸软骨素掺假的新型光谱技术奠定了前期实验基础.     

SnO2纳米薄膜的自组装制备及表征

利用自组装单层膜法,在单晶硅基底上生长有机硅烷单分子膜层,并在硅烷的功能性基团上,诱导生成二氧化锡纳米薄膜,通过XPS、AFM、SEM及XRD等手段对膜材料的表面形貌和结构进行了分析。结果表明:自组装单层法制备的SnO2薄膜为晶态膜,膜层致密、均一,厚度约为20 nm,结构为金红石结构。     

光子晶体及其自组装制备

自从理论计算指出金刚石结构具有完全光子带隙以来，三维光子晶体的理论研究和实验制作一直受到高度重视。光子晶体的制备方法总体上可分为两大类：微制作法和自组装法。前者适合于制备微波、远红外及近红外波段的光子晶体，后者制备近红外、可见或更短波段的光子晶体具有独特的优势。简述了光子晶体的概念和基本特征，并对三维光子晶体的自组装制备方法进行了综述。     

光子晶体及其自组装制备

自从理论计算指出金刚石结构具有完全光子带隙以来,三维光子晶体的理论研究和实验制作一直受到高度重视。光子晶体的制备方法总体上可分为两大类:微制作法和自组装法。前者适合于制备微波、远红外及近红外波段的光子晶体,后者制备近红外、可见或更短波段的光子晶体具有独特的优势。简述了光子晶体的概念和基本特征,并对三维光子晶体的自组装制备方法进行了综述。     

光子晶体及其自组装制备方法的进展

光子晶体是将两种或两种以上介质材料排列成具有光波长量级的一维、二维或三维周期结构的人工晶体.由于光子晶体具有光子带隙、光子局域等特性,所以它具有巨大的应用前景.简述了光子晶体的主要特征,重点介绍了三维光子晶体的自组装方法.     

Synthesis and characterisation of nanometre-sized CdS clusters in chitosan film

A novel process using chitosan containing ligand groups as a medium for forming CdS clusters in chitosan films by an ion co-ordinate method has been investigated. The CdS clusters in the chitosan have been identified by X-ray diffraction and by their infrared, ultraviolet and visible absorption spectra and shown to possess high stability with a specific structure. Notable quantum size effects have been shown through their absorption spectra. By changing the reaction conditions, the wavelength edge of the absorption can be blue-shifted from 470 to 375 nm.     

基于不同自组装单层的酞菁氧钒薄膜晶体管

研究了不同界面修饰层对酞菁氧钒(VOPc)薄膜晶体管性能的影响。通过AFM图谱分析不同界面修饰层上VOPc薄膜的生长行为,通过半导体参数测试仪测试分析不同界面上器件的电学特性。实验结果表明,十八烷基三氯硅烷(OTS-18)修饰后生长的VOPc薄膜,比正辛基三氯硅烷(OTS-8)和苯基三氯硅烷(PTS)修饰后的薄膜晶体尺寸更大、质量更优;基于OTS-18修饰的底栅顶接触型VOPc有机薄膜晶体管,在4种结构器件中具有最高的场效应迁移率(0.51cm2/V·s),相对于未修饰的器件迁移率提高了近40倍。较长的烷基链能够有效地隔绝VOPc分子和二氧化硅之间的相互作用,利于形成大晶粒尺寸、少缺陷的优质薄膜,获得高迁移率的TFT器件。绝缘层表面自组装单分子层的厚度对其上薄膜的生长行为和相应器件的性能影响极为明显,这一结论对有机半导体薄膜生长和器件制备具有指导意义。     

蒽基磷酸衍生物自组装膜修饰的有机薄膜晶体管

本工作主要介绍一种利用新型磷酸衍生物作为分子自组装膜来修饰二氧化硅介电层,从而提升有机薄膜晶体管性能的方法。将红荧烯真空蒸镀到这种分子自组装膜修饰的基片表面制备的晶体管其空穴迁移率为0.18cm2/Vs , 比裸二氧化硅作介电层的晶体管性能有10多倍的性能提升。研究表面这种磷酸衍生物自组装膜在促进红荧烯蒸镀成膜方面有特殊作用,可以诱导其形成有序结晶膜,从而提高晶体管整体性能。     

C-2CH复合型PTCR薄膜

采用溶胶包裹再凝胶工艺制备了Ｃ－２ＣＨ复合型ＰＴＣＲ薄膜。实验表明，这种材料的ＰＴＣ效应是由２ＣＨ的相变体膨胀引起的，Ｃ的粒径大小对复合薄膜ＰＴＣ特性有十分显著的影响。较高的热循环温度和较多的热循环老化次数使ＰＴＣＲ薄膜电性能重现性得以改善。     

VO2薄膜的制备及表征

综述了目前VO2薄膜主要的制备方法(sol-gel法,蒸发法,脉冲激光沉积,溅射法和CVD)及其优缺点;以及X射线技术、光电子能谱、光谱技术、显微技术等表征手段在VO2薄膜研究中的应用。如何方便地获得准确化学计量的VO2,获得结晶性好的薄膜结构以及与基体间具有良好结合力的制备方法,是今后关注的问题。     

TFT-LCD制造工艺中金属或金属复合膜层坡度角的研究

在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板制程中,Gate层(栅极)电路和SD层(源极)电路根据产品电阻等要求可以使用纯金属膜层,如钼、铜等金属膜层,也可以使用金属复合膜层,如铝钼、铝钕钼、钼铝钼等金属复合膜层。当使用不同金属或金属复合膜层作为Gate、SD电路时,应当对应不同的刻蚀液。但在实际生产时,往往是一种刻蚀液同时对应金属膜层或金属复合膜层。由于钼金属膜层的Etch Rate(刻蚀速率)大于铝钼等金属复合膜层Etch Rate,所以当铝钼等金属复合膜层刻蚀完成后对应坡度角有时会存在异常,如膜层角度较大(80～90°)、顶层金属钼发生尖角或缩进等现象,产生宏观不良及进行后工序时会产生相应的光学不良或导致后层物质残留,影响产品品质。本文针对金属膜层或金属复合膜层坡度角进行影响因素分析,主要受刻蚀工序及曝光工序影响。通过对刻蚀液浓度调整、温度调整、刻蚀方式调整及曝光工序等调整减少金属钼发生尖角、缩进几率,将金属膜层坡度角控制在60°左右及金属复合膜层坡度角控制在50°左右,从而降低不良的发生率,提高产品品质。     

硅基高精度镍铬薄膜电阻的制备和性能表征

集成无源元件（IPD）技术可以将分立的无源元件集成在衬底内部,提高系统的集成度。为了获得高精度的薄膜电阻,采用多层薄膜电路工艺在硅晶圆上制备了不同线宽的镍铬薄膜电阻,利用显微镜和半导体参数测试仪对薄膜电阻的图形线宽及电学特性进行了表征及测试。结果表明,制备出的镍铬薄膜电阻线宽精度在±5%以内,电阻精度在±0.5%以内,具有稳定的电学特性。基于镍铬的高精度硅基无源集成电阻器在系统集成中有广泛的应用价值。