单片GaAs声电荷转移器

声电荷转移(ACT)器是80年代初出现的一种新型高性能高速单片信号处理器件,它集SAW和半导体技术的优点于一身,能与其它信号处理器件进行单片集成.完成各种信号处理功能.作为新一代信号处理器件,它具有许多独特的性能及广阔的应用前景,故而受到人们的普遍关注.     

单片砷化镓声电输运器件

砷化镓声电输运器件(Acoustic Charge Transport Device,简称ACT器件)是一种新型的高速信号处理器件,其工作原理是基于电荷耦合器件和声表面波器件原理的结合,并克服了它们的缺点。本文介绍了ACT器件的基本结构、工作原理和特点。     

声电荷转移器件（二）

着重介绍（Ｈ）ＡＣＴ器件的类型以及ＡＣＴ器件在系统中的应用。ＡＣＴ器件包括固定延迟线、抽头延迟线、固定（可编程）横向滤波器、模拟存储器等。它在雷达中的应用包括ＡＣＴ中频滤波、中频脉冲压缩滤波、中频杂波对消、脉冲多卜勒处理、自适应旁瓣对消等。     

声电荷转移器件（一）

声电荷转移技术是８０年代初才发展起来的一门新技术，是声表面波技术与半导体技术相结合的产物，它具有极强的信号处理功能，目前已应用于各种系统中。作者参考国外报道文献资料，综述介绍这门新技术的基本工作原理，并详细介绍它在各种系统中的应用。     

GaAs单片式声表面波存储相关器

主要介绍了一种利用具有压电特性的半导体材料砷化镓设计和制作的声表面波非线性效应器件；声表面波存储相关器，对在这种器件的研制过程中所应该注意的一些关键性问题：如存储时间、离子注入等进行了较为详细的讨论，希望能对这种信号处理功能优良的器件未来的发展有所裨益。     

一类新型信号处理器件—砷化镓声电输运器件

声表面波器件(SAWD)现电荷耦合器件(CCD)是目前实现模拟信号处理的成功器件。本文介绍一种兼有SAWD和CCD两者优点,且不难把频率扩展到微波频段的新型高速信号处理器件——声电输运器件(Acoustic Charge Transport Dviece ACTD)。在简要介绍了ACTD的基本结构、工作原理和特点后,给出了基于ACT原理的几种典型信号处理器件。ACTD是一种具有很大应用潜力的新型器件。     

砷化镓声电荷转移延迟线的设计与工艺研究

由于声电荷转移(ACT)这一新颖的高速缓冲抽样技术的发明,使得新一代高速高频信号处理器件的实现成为可能。本文研究了第二代平面结构的ACT器件转移沟道的电位分布特性,给出了平面结构ACT延迟线的设计,并研究了ACT器件的工艺实现。     

GaAs微波单片集成电路中器件的精确建模

论述了精确模型的建立对于微波单片集成电路研制和产品开发的重要意义 ,介绍了工程模型的概念和提取模型的方法 ,给出了在南京电子器件研究所进行的 MMIC有源器件的建模实例及验证结果。     

GaAs单片电路封装

简述了微波在封装中的传输特性，以及不同封装型式和材料的ＧａＡｓＭＭＩＣ封装，介绍了多层共烧陶瓷在ＭＭＩＣ封装中的应用。最后，综述了国外ＧａＡｓＭＭＩＣ的最新封装与互连技术。     

声表面波器件

作为声表面波(SAW)技术的应用实例,本文描述了滤波器和信号处理器件的现状.文章特别提到,可将波控制在表面的电极构成法和微细加工技术的进步与SAW器件的发展背景密切相关,今后的目标之一就是期待SAW器件能以其模拟信号处理功能与数字器件并存发展.     

声电荷输运评述

声电荷输运是模拟信号处理领域的重要发展方向,有十分重要的应用价值。当前这方面的研究正在迅速发展之中。本文在介绍其原理及ACT、HACT两种结构的同时,对照比较两种结构的优缺点,集中评述声电荷输运效率、声电荷输运器件的效率、二阶效应、无损传感电极的影响以及可程控器件和光注入功能的重要前景等,讨论了在这些方面目前尚有待研究解决的问题。     

声电荷输运延迟线

声电荷输运技术是80年代初出现的一种新型高频高速信号处理技术，是模拟信号处理领域的重要发展方向。文内报道了声电荷输运延迟线的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。声电荷输运延迟线样品具有1μs的延迟时间，声表面波频率为358MHz。     

GaAs单片移相器设计

本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片。试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5~5.0GHz带宽内,移相起伏小于10;°在2.6~3.5GHz带宽内,移相起伏小于5°,同设计仿真结果基本吻合。     

半绝缘GaAs电传输特性

半绝缘ＧａＡｓ是弛豫半导体，其电传输特性和通常的寿命半导体有所不同。对弛豫半导体和寿命半导体电特性的差异进行了介绍，并介绍了不同金属／半绝缘ＧａＡｓ接触结构的电传输特性。     

GaAs器件及MMIC的可靠性研究进展

介绍了国外ＧａＡｓ微波器件及ＭＭＩＣ的可靠性研究进展情况，给出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＭＭＩＣ的主要失效模式和失效机理以及在典型沟道温度下的平均寿命代表值。     

自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器

对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm× 14μm的单管在 IB=2 0 0μA和 VCE=2 V偏压条件下截止频率达到了 4 0 GHz.设计并制作了直接反馈和 CE- CC- CC两种单片集成跨阻放大器电路 ,测量得到的跨阻增益在 3d B带宽频率时分别为 5 0 .6 d BΩ和 4 5 .1d BΩ ,3d B带宽分别为 2 .7GHz和 2 .5 GHz,电路最小噪声系数分别为 2 .8d B和 3.2 d B.     

微波固态器件与单片微波集成电路技术的新发展

对不同时代的单片微波集成电路(MMIC)的器件工艺发展和应用发展状况进行概况总结,并结合当前的研究与应用热点,重点分析以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)为代表的微波化合物固态器件和基于MMIC的异构异质集成新技术路径,并就今后发展的趋势做出展望.     

GaAs微波单片集成电路(MMIC)的可靠性研究

本文介绍了GaAs MMIC的可靠性研究与进展，重点介绍了工艺表征工具（TCV）、工艺控制监测（PCM）和统计工艺控制（SPC）等实现产品高质量、高可靠性和可重复性的可靠性保障技术，为国内GaAs MMIC可靠性研究提供了新的思路。