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相似文献
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1.
用化学溶液沉积法在Si衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO 3(LSCO)导电薄膜.X-射线衍射结果表明退火温度600℃可以使LSCO薄膜晶化,薄膜没 有明显的择优取向并呈单一的钙钛矿相.原子力显微镜研究结果表明LSCO薄膜表面平整、无 裂纹及晶粒尺寸较大.用椭偏光谱仪测量了波长300~1700nm范围内LSCO薄膜的椭偏光谱.用适当的拟合模型进行拟合,获得了LSCO 薄膜的光学常数(包括折射率,消光系数,吸收系数等)谱.  相似文献   

2.
利用脉冲激光沉积法在STO(001)基片上外延生长了La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)导电氧化物薄膜,研究了基片温度对LSCO薄膜结构和电性能的影响,并制备了Ni-Cr/BST/LSCO多层膜结构。XRD谱发现,沉积温度在450~700℃均能得到高度(00 l)取向的LSCO薄膜,LSCO(002)峰的半高峰宽FWHM=0.1°~0.2°;在LSCO薄膜上制备的BST介质膜具有良好的c轴取向和较高的表面平整度,其εr约为470,tgδ为0.036~0.060。  相似文献   

3.
为研制具有较低室温电阻值的NTC薄膜热敏电阻,以La0.6Sr0.4CoO3陶瓷为靶材,采用RF磁控溅射法,在Al2O3基片上沉积了La0.6Sr0.4CoO3(LSCO)薄膜。研究了溅射过程中氩氧体积流量比对LSCO薄膜结晶性能和方阻的影响以及LSCO薄膜的阻温特性。结果表明:随着氩氧体积流量比的增加,LSCO薄膜的主晶相衍射峰强度及方阻均先增大后减小。LSCO薄膜具有显著的NTC特性,室温时的电阻温度系数α25为2.24×10–5;其lnR-T–1曲线具备良好的线形度,线性偏差仅为2.09%;另外,其室温时的电阻R25仅为18.75k?。  相似文献   

4.
采用磁控溅射法制备La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜、sol-gel法制备Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)薄膜,在玻璃和Ti-Al/Si衬底上构架了LSCO/PZT/LSCO电容器,研究了衬底对LSCO/PZT/LSCO电容器结构和铁电性能的影响。研究发现:虽然生长在两种衬底上的PZT薄膜均为钙钛矿结构多晶薄膜,但是,生长在玻璃衬底上的LSCO/PZT/LSCO电容器具有更好的铁电性能。玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度(Pr)为28×10–6C/cm2,矫顽电压(Vc)为0.96V;而硅基LSCO/PZT/LSCO电容器的Pr为25×10–6C/cm2,Vc为1.05V。  相似文献   

5.
采用金属有机化学液相沉积法在Si衬底上制备了La0.Sr0.5CoO3(LSCO)导电金属氧化物薄膜,采用溶胶-凝胶法在LSCO导电金属氧化物薄膜上沉积了PbZr0.5Ti0.5O3(PZT)铁电薄膜,X-射线测量结果表明在700℃的退火温度下制备的PZT/LSCO铁电多层薄膜呈(110)取向的钙钛矿结构,谢乐公式估算铁电薄膜的晶粒尺寸为50-80nm,原子力显微镜观察结果显示:薄膜表面平整,均方根粗糙度(RMS)小于5nm,用拉曼光谱测量表明PZT薄膜呈拉曼活性,椭圆偏振光谱仪用来表征薄膜在400-1700nm波长范围的光学性质,用洛仑兹模型来描述PZT和LSCO薄膜的光学性质,获得PZT和LSCO薄膜的折射率,消光系数等光学常数谱。  相似文献   

6.
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si衬底上沉积一层La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜底电极,并在不同的退火温度下表征薄膜的各种性质.X线衍射表明在550~750℃退火温度下制备的LSCO薄膜呈(110)取向的钙钛矿结构;谢乐公式估算薄膜的晶粒尺寸为25~50 nm.扫描电子显微镜(SEM)观察结果显示:薄膜表面平整,结构致密.运用四探针法测量薄膜的体电阻,结果表明,750℃退火温度后渗氧处理可获得电阻率较低的La0.5Sr0.5 CoO3薄膜.  相似文献   

7.
采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同Si(100)衬底温度下制备了La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)导电金属氧化物薄膜.X射线衍射(XRD)分析表明,随着衬底温度升高LSCO薄膜的结晶质量增加,在650℃和700℃下制备的薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜.通过椭圆偏振光谱仪测量了400~1100nm波长范围内该导电金属氧化物薄膜的光学性质,采用双Lorentz振子色散关系及三相结构模型(Air/LSCO/Si)拟合获得了薄膜的光学常数.结果表明,薄膜的折射率随着衬底温度的升高而减小,然而在可见-近红外波长范围内消光系数随着衬底温度的升高而增大.这主要与薄膜的晶化质量和导电性能有密切的关系.  相似文献   

8.
采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底上制备了Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)薄膜,分析结果表明,使用LSCO衬底对BTO的析晶有影响,击穿电压、铁电特性均有较大改善。  相似文献   

9.
利用化学溶液法在具有良好导热性和红外透过性的钇铝石榴石单晶衬底上成功制备了具有单一尖晶石相的Mn1.56Co0.96Ni0.48O4薄膜.傅里叶红外光谱测试表明薄膜在2.5~5μm波段具有明显的吸收带.通过研究其电阻-温度关系并利用最近邻跳跃模型进行拟合,得到薄膜的特征温度约为2 530 K,室温下的负电阻温度系数约为-3.66%K-1.  相似文献   

10.
采用射频磁控溅射和组合靶在260℃的(111)Si上制备了不同Ni、La含量比的La-Ni-O薄膜.通过拟合2~12.5μm波长范围的反射和透射光谱,得出了薄膜在此区间的折射率和消光系数.薄膜的折射率随波长的增长均呈现单调增大的变化趋势,并且随组分的变化,此趋势没有大的变化.而消光系数的邑散却对薄膜的组分具有很大的依赖性.实验结果同时表明,在La含量较高时,薄膜为无定型结构,并且具有较大的电阻率.当Ni、La含量比大于1:1.44后,薄膜具有(100)择优取向的赝立方钙钛矿结构,同时具有金属导电性.薄膜的晶面间距、电导率、折射率和消光系数随着Ni含量的增加具有相似的变化规律.并在Ni:La=1:1时,晶面问距和电阻率达到最小值.对所有实验现象,文中从LaNiO3薄膜的导电机理出发给出了理论分析,并取得了比较一致 的结果.  相似文献   

11.
Epitaxial Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) thin films were deposited on LaAlO3 (LAO) substrates with the conductive metallic oxide La0.5Sr0.5CoO3 (LSCO) film as a bottom electrode by pulsed laser deposition (PLD). X-ray diffraction ~2 and Ф scan showed that the epitaxial relationship of BST/LSCO/LAO was [001] BST//[001] LSCO//[001] LAO. The atomic force microscope (AFM) revealed a smooth and crack-free surface of BST films on LSCO-coated LAO substrate with the average grain size of 120 nm and the RMS of 1.564 nm for BST films. Pt/BST/LSCO capacitor was fabricated to perform CapacitanceVoltage measurement indicating good insulating characteristics. For epitaxial BST film, the dielectric constant and dielectric loss were determined as 471 and 0.03, respectively. The tunabilty was 79.59% and the leakage current was 2.6310-7 A/cm2 under an applied filed of 200 kV/cm. Furthermore, it was found that epitaxial BST (60/40) films demonstrate well-behaved ferroelectric properties with the remnate polarization of 6.085 C/cm2 and the coercive field of 72 kV/cm. The different electric properties from bulk BST (60/40) materials with intrinsic paraelectric characteristic are attributed to the interface effects.  相似文献   

12.
巨磁阻薄膜激光感生电压的温度稳定性研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
为了研究温度对激光感生热电电压的影响,采用脉冲激光沉积方法制备了La1-XCaXMnO(LCMO),La1-XPbXMnO(LPMO)和La1-XSrXCoO(LSCO)3种薄膜.用锁相斩波系统测量了激光感生热电电压依环境温度的变化并定义了温度系数,进行了理论分析和实验论证,取得了温度系数数据.结果表明,LSCO的温度系数最小并为正温度系数,LC-MO温度系数最大是负温度系数,LPMO温度系数为正.这一结果对激光感生电压器件的稳定性是有帮助的.  相似文献   

13.
Epitaxial Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) thin films were deposited on LaAlO3 (LAO) substrates with the conductive metallic oxide La0.5Sr0.5CoO3 (LSCO) film as a bottom electrode by pulsed laser deposition (PLD). Xray relationship of BST/LSCO/LAO was [001] BST//[001]LSCO//[001] LAO. The atomic force microscope (AFM)revealed a smooth and crackfree surface of BST films on LSCOcoated LAO substrate with the average grain size of 120 nm and the RMS of 1.564 nm for BST films.Pt/BST/LSCO capacitor was fabricated to perform CapacitanceVoltage measurement indicating good insulating characteristics. For epitaxial BST film, the dielectric constant and dielectric loss were determined as 471 and 0.03, respectively. The tunabilty was 79.59% and the leakage current was 2.63×107 A/crm2 under an applied filed of 200 kV/cm. Furthermore, it was found that epitaxial BST (60/40) films demonstrate wellbehaved ferroelectric properties with the remnate polarization of 6.085 μC/cm2 and the coercive field of 72 kV/cm. The different electric properties from bulk BST (60/40)materials with intrinsic paraelectric characteristic are attributed to the interface effects.  相似文献   

14.
性能优良的 Si衬底铁电薄膜的制备对制作 Si基单片集成非制冷焦平面阵列 (UFPA)器件意义重大。文中采用磁控测射技术在 Si衬底上成功地制备了 (Pb1 - x Srx) Ti O3系铁电薄膜 ,该薄膜以 LSCO/ITO复合薄膜作底电极 ,Au薄膜作顶电极 ,其制备工艺可与 Si微电子技术兼容。测试结果表明 ,其微观结构致密 ,绝缘性较好 ,电阻率可高达 1 0 1 1 Ω· cm量级 ,介电常数与热释电系数分别可达 1 0 2 及 1 0 - 2 μC/cm2 K量级。  相似文献   

15.
原子层热电堆材料的激光感生热电电压   总被引:4,自引:1,他引:4  
测量了La1-xSrxMnO3(LSMO),La1-xPbxMnO3(LPMO)和La1-xSrxCoO3(LSCO)三种薄膜在不同激光波长下的激光感生热电电压(LITV).利用脉冲激光沉积(PLD),在LaAlO3倾斜衬底上制备了钙钛矿结构的三种薄膜,并用电脑采集系统和锁相斩波系统对激光感生热电电压信号进行测量。发现不同波长下信号的灵敏度和响应时间各不相同,激光波长为532nm和632.8nm时LSMO灵敏度最大而LSCO最小,但响应时间恰好相反。波长为808nm时LPMO灵敏度最好。  相似文献   

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