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相似文献
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1.
讨论了在低温条件下制备的ZnO∶Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polyimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究。两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃时,制备的薄膜密度变化范围为4.6~5.16g/cm3。在柔性衬底和玻璃衬底上制备的薄膜最低电阻率分别为5.3×10-4Ω·cm和5.1×10-4Ω·cm,薄膜在可见光区的平均透过率分别达到了72%和85%,讨论了两种衬底薄膜电学特性的稳定性。  相似文献   

2.
利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和7059玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的 ZnO:Al透明导电膜。研究了薄膜的结构和光电特性与衬底温度的关系,薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的 c 轴具有[002]方向的择优取向,薄膜的最低电阻率分别为 1.01×10–3ù·cm 和 8.48×10–4ù·cm,在可见光区的平均透过率分别达到了72%和 85%。并研究了溅射偏压对有机衬底 ZnO:Al 薄膜结构及光电特性影响,最佳负偏压为 60 V。  相似文献   

3.
直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性   总被引:10,自引:1,他引:9  
报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究 .结果表明 ,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向 ,4 5 0℃、6 0 0℃分别实现了p型转变 ,电阻率为 1e2 ~ 1e3 Ω·cm ,载流子浓度为 1e15~ 1e16cm-3 ,迁移率为 0.5~ 1.32cm2 / (V·s) .薄膜中Al原子促进了N原子的掺入 .实验还表明 ,p ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率 (约为 90 % ) ,室温下光学带宽为 3 2 8eV  相似文献   

4.
射频磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电膜及特性   总被引:11,自引:1,他引:10  
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌 (ZnO∶Ga)透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜 ,最佳择优取向为 (0 0 2 )方向 .薄膜的最低电阻率达到了 3 9× 10 -4Ω·cm ,方块电阻约为 4 6Ω/□ ,薄膜具有良好的附着性 ,在可见光区的平均透过率达到 90 %以上 .  相似文献   

5.
薄膜厚度对ZnO∶Al透明导电膜性能的影响   总被引:5,自引:0,他引:5  
铝掺杂的氧化锌(ZnO∶Al)透明导电膜是采用射频磁控溅射法在有机衬底(Polypro-pylene adipate, PPA)和Corning 7059玻璃上制备的.详细研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO∶Al薄膜具有(002)面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,性能优良的薄膜电阻率在两种衬底上分别为2.55×10-3Ω·cm和1.89×10-3Ω·cm,平均透射率达到了80%和85%.  相似文献   

6.
采用中频磁控溅射工艺,以2%的Al掺杂的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面及绒面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜,系统研究了衬底温度、工作气压和溅射功率等对平面ZAO结构和光电特性的影响,并对湿法腐蚀制备绒面ZAO薄膜进行了介绍。获得了适合太阳电池的高性能薄膜,其电阻率为4.6×10-4Ω·cm,载流子浓度为4.9×1020cm-3,霍尔迁移率为56cm2/V·s,可见光范围内(400~800nm)的平均透过率大于85%。  相似文献   

7.
有机衬底SnO2:Sb透明导电膜的研究   总被引:8,自引:2,他引:6  
采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出SnO2∶Sb透明导电膜,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的样品为多晶薄膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构.SnO2∶Sb薄膜中Sb2O3的最佳掺杂比例为6%.适当调节制备参数,可以获得在可见光范围内平均透过率大于85%的有机衬底SnO2∶Sb透明导电薄膜,其电阻率~3.7×10-3Ω·cm,载流子浓度~1.55×1020cm-3,霍耳迁移率~13cm2·V-1·s-1.  相似文献   

8.
以Al金属和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射的方法在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)透明导电薄膜,采用X线光电子能谱仪、X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫外 可见分光光度计和霍耳效应测试仪对薄膜的微观形貌结构及光电性能进行了表征和分析,探究了不同衬底温度对薄膜光电性能的影响。结果表明,所制备的AZO薄膜均具有c轴取向生长的六角纤锌矿结构,在衬底温度为300 ℃时AZO薄膜结晶质量最好,电阻率最低(为1.43×10-3 Ω·cm)。所有样品薄膜在380~780 nm区间平均透过率大于90%,随着衬底温度的升高,AZO薄膜的吸收边出现了蓝移。  相似文献   

9.
利用射频磁控溅射法首次在室温水冷柔性衬底 PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜.X射线衍射和扫描电子显微镜表明,ZnO∶Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有平行于衬底方向的择优取向.实验获得ZnO∶Zr薄膜的最小电阻率为1.55×10-3 Ω·cm.实验制备的ZnO∶Zr薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过90%.  相似文献   

10.
ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质   总被引:12,自引:5,他引:7  
在室温下,采用射频磁控溅射法在70 5 9玻璃衬底上制备出Zn O- Sn O2 透明导电薄膜.制备的薄膜为非晶结构,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压.薄膜的最小电阻率为7.2 7×10 - 3Ω·cm,载流子浓度为4 .3e1 9cm- 3、霍尔迁移率为2 0 .5 cm2 / (V·s) ,在可见光范围内的平均透过率达到了90 % .  相似文献   

11.
迅速发展的LCVD技术   总被引:1,自引:1,他引:0  
王庆亚  张玉书 《激光技术》1994,18(3):161-168
超低阈值电流的InGaAs激光二极管记录的低阈值电流—在原解理面InGaAs/AlGaAs激光器中为1mA,在镀高反射膜InGaAs/AlGaAs激光器中脉冲电流为0.25mA—在单量子阱结构中已经获得。  相似文献   

12.
紫外、蓝光、近红外等波段的光对人眼有一定程度的危害,这些波段的光存在于各种光电系统中,使用者需要佩戴防护镜进行防护。为了能够同时实现对上述三个波段的防护,通过膜系设计软件设计了防护膜系和增透膜系,采用电子束蒸发的方式进行了镀制,以电阻蒸发的方式在镜片两侧加镀了防水膜,并对镜片的光谱性能和防水性能进行了测试。结果表明,研制的镀膜镜片在250~360 nm的紫外波段、400~430 nm的蓝光波段、500~780 nm的可见光波段、900~1400 nm近红外波段平均透过率分别约为0.5%、38%、96%、40%,水滴角可达113°,能够有效减少紫外、蓝光、近红外对人眼的伤害,且镜片低偏色、可见光透过率高、防水效果好。  相似文献   

13.
介绍了多种光学膜的性能。这些膜在反射型LCD中起了重要作用。使用这些新型光学膜使反射型LCD具有更高的亮度,更宽的视角。  相似文献   

14.
不同膜厚的NiO薄膜电致变色特性的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
李筱琳  任豪 《光电子技术》2003,23(3):191-193,198
主要研究膜厚对NiO薄膜电致变色特性的影响,通过对不同膜厚的NiO薄膜在原始、着色和褪色态的透过率光谱曲线和电流时间响应曲线的分析比较,总结出通过控制膜厚来提高NiO薄膜电致变色性能的方法。  相似文献   

15.
在等离子激发条件下,进行了SiO_2,和SiON介质薄膜生长实验,研究了沉积参数射频功率、反应压力、反应气体流量比及总流量、反应温度对沉积薄膜的生长速率、均匀性和折射率的影响,并优化了工艺条件,得到了生长速率为150nm/min、均匀性为±0.44%、折射率n为1.463±0.002的SiO_2和生长速率为117nm/min、均匀性为±3.0%、折射率n为1.506±0.004的SiON介质薄膜。还介绍了这两种介质薄膜的应用。  相似文献   

16.
FPC用聚酰亚胺材料   总被引:2,自引:2,他引:0  
概述了非热塑性聚酰亚胺膜,热塑性聚酰亚胺膜和感光性聚酰亚胺保护膜等聚酰亚胺系列产品,适用于制造高性能的FPC。  相似文献   

17.
现代介质薄膜   总被引:1,自引:1,他引:0  
介质薄膜是一类重要的电子薄膜。现代常用的介质薄膜种类很多,按其成分可分为无机薄膜、有机薄膜和复合薄膜三类。同一种介质薄膜当制造工艺略有不同时,就会出现性能差别较大的结果,且随着膜厚的减小,这种现象表现得越来越明显。现在介质薄膜的进展可归纳为:(1)成膜技术的提高,其工艺特点是精细、程控和准确;(2)薄膜下限厚度的减小,如陶瓷薄膜已降到1μm,大量生产的高分子聚合物薄膜已降至100nm;(3)涌现出了不少新型介质薄膜。从80年代以来兴起了对纳米级介质薄膜的研究热潮  相似文献   

18.
采用聚酯-聚丙烯膜、铝箔电极、有感式卷绕结构,研制CH11型聚酯-聚丙烯膜复合介质电容器。有关试验结果表明,该电容器的性能达到GB11308标准要求。三年来,产品质量稳定,用户试用反映良好。  相似文献   

19.
陈全寿 《电子工艺技术》1997,18(3):110-112,115
随着微波技术的发展,混合微波集成越来越受到人们的重视。介绍了制造混合MIC电路的制作质量要素,即工艺控制难点所在。文章从厚膜,薄膜,微波印制,微组装以及表面组装五个大的方面进行了阐述。  相似文献   

20.
提出采用超薄银薄膜和具有陷光结构的薄TCO薄膜组成的复合膜层作为薄膜太阳能电池前电极,有效利用了超薄银膜的高电导性、高透过性,并解决了单银膜无法制作陷光结构以及在产业化生产过程中存在的激光选择性刻划问题。实验采用直流磁控溅射法在9个不同厚度的SnO2:F薄膜导电玻璃上制备方阻为3/,透过率为89%,厚度为10-15nm的超薄银膜构成前电极,并采用相同的工艺制作成单节的非晶硅薄膜太阳能电池组件,结果表明,方阻为80/的SnO2:F薄膜与超薄银膜构成的前电极能获得最佳的非晶硅薄膜太阳能电池输出性能,相比于普通的非晶硅薄膜太阳能电池输出功率提升了4%。  相似文献   

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