电路元件伏安特性及电源外特性的研究与分析

电路元件伏安特性及电源外特性是电工课程教学的基础,学好这两个特性对以后的电工学习有着很重要的帮助.本文通过对电路元件伏安特性及电源外特性的理论依据、实验方法和测量数据等论述,阐述了学习的方法以及培养实践能力的重要性,并为路上工作做充分准备.     

伏安法实验数据子波信息提取方法的研究

从实际测得的伏安法实验数据出发，分析研究了伏安法标准加入浓度曲线（子波）的提取方法。从分析子波畸变的特征入手，结合基于奇异值分解原理的TLS算法，提出了一种两组份浓度子波峰形的相关滤波叠代求解方案。     

基于虚拟仪器的半导体特性参数测试仪的设计与研究

本文利用虚拟仪器技术进行了二极管,三极管伏安特性测试系统的研究设计。硬件平台选用NI公司的PCI-6251数据采集卡,实现数据的产生与采集;软件利用NI公司的LabVIEW 8.2开发平台完成。整个测试系统能方便的完成二极管,三极管的特性参数测试。     

HgCdTe光伏器件反常I—V特性分析

对ＨｇＣｄＴｅ光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生ｐ－ｎ结模型，并以此模型为基点，结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。     

简易自动晶体管特性图示仪

该简易自动晶体管特性图示仪以AT89S52单片机为控制核心,由D／A来输出扫描电压和阶梯电流,可以自动识别晶体管的管脚与极性,并测量共射组态下三极管的特性曲线与主要参数以及稳压二极管的反向伏安特性。系统采用示波器作为图形显示终端．可直接从示波器上观察到稳压二极管、三极管的特性曲线．并可同时测量晶体管的主要参数：交／直流电流放大倍数、反向饱和电流Iceo和H参数。     

混合PiN/Schottky二极管的研究

对混合PiN/Schottky二极管（MPS）进行研究,首先对MPS二极管的工作原理进行了分析,通过对MPS二极管、肖特基二极管、PIN二极管的伏安特性进行模拟,结果表明MPS二极管正向压降小,电流密度大,反向漏电流小,是一种具有肖特基正向特性和PN结反向特性的新型整流器。可以通过改变肖特基和PN结的面积比来调整MPS二极管的性能,与肖特基二极管和PIN二极管相比具有明显的优势,是功率系统不可或缺的功率整流管。     

直流作用下氧化锌压敏电阻极性效应分析

为了能够精确测量MOV(氧化锌压敏电阻)的老化程度,利用LPL-2型直流热稳定仪分别对MOV样品进行了正负直流老化实验,然后对老化MOV的静态参数进行了测量并描绘出了压敏电压的变化曲线以及小电流区的伏安特性曲线。结果表明:在单一直流作用下,MOV存在极性效应和伏安特性曲线蜕变,而且其伏安特性曲线蜕变在负向测量时较严重;在正负直流交替作用下,MOV的极性效应逐渐消失,但其伏安特性曲线仍存在蜕变。这为今后精确表征MOV的蜕变程度提供了新的思路。     

基于虚拟仪器的三极管伏安特性测量的研究

本文利用虚拟仪器技术进行了三极管伏安特性测试系统的研究设计。硬件平台选用NI公司的PCI-6251数据采集卡,实现信号的产生与采集;软件设计利用NI LabVIEW8.2开发平台完成。整个测试系统能方便完成三极管测试电路各节点电压信号的采集和通道控制,采集数据的精确处理,以及测试结果的显示和保存。最后利用测试系统对三极管伏安特性进行了测量,实验结果表明所研制的测试系统达到了设计要求,测试精度高,操作灵活方便,且扩展性强。     

LED伏安特性随X射线辐照的变化

测量Ｘ射线辐照对发光二极管正向电压和反向击穿电压的影响。分析了由Ｘ射线辐照引起ＬＥＤ伏安特性变化的机理。实验结果表明一定剂量Ｘ射线辐照有助于改善器件电学特性     

基于89C52的二极管特性测试器的设计

利用单片机具有的智能程序控制的特点,设计了基于STC89C52单片机的"二极管特性测试器",可对二极管一般特性进行快速测试。通过稳定线性电流源给二极管加载恒定电流,然后由高精度模数转换器测试其压降,以此为基础可判断二极管好坏、检测二极管极性和测试二极管伏安特性等,避免了用万用表测试只能测得极性而不知其特性这一缺点。可用于电子设计制作过程中对二极管进行快速测试,以确定被测二极管是否满足电路的设计要求。     

大功率LED伏安特性模型研究

研究了大功率LED芯片的伏安特性。基于LED 芯片的特殊性,从经典的PN结伏安特性出发,进行理论推导并通过选择不同的基函 数,构建出了大功率LED芯片的伏安特性新 模型和优化模型,模型中的系数采用最小二乘法进行确定。对大功率LED芯片的实测 伏安特性数据表明,本文构建出的优化模型比经典的PN结模型更能准确表征LED的伏安特性 ,与实测的伏安特性数据一致性更高,更具实用价值。     

对PN结及其单向导电性的研究

本文首先介绍了PN结的概念,其次对PN结的单向导电性进行了分析,在此基础上提出了二极管的伏安特性及电流方程。     

水体非线性伏安特性的研究

为了研究水体的伏安特性,基于实验室环境,设计了相应的测量电路,得到一组不同电压下的水体电阻值数据;通过分析比较,发现水体两端所受的电压越大,其电阻值则越小这一现象；同时利用matlab对所得到的数据进行polyfit函数拟合,得到一定外部电源电压下的水体电阻值与其两端所受电压之间的关系式,从而得出水体具有非线性的伏安特性这一结论.     

用吉时利源表实现二极管特性曲线测试

二极管的伏安特性曲线直观地反应了器件的性能,传统上采用阴极射线管(CRT)的晶体管图形仪进行测试,设备体积大、能耗大,测试精度低,人工读数的方式还会带来无法避免的主观差异.随着测试技术和计算机技术的发展,可以采用数字源表加控制软件的方法实现二极管特性曲线的测试.本文介绍了具体的实现方法.     

X波段上变容二极管参数的测量

本文研究了X波段上半导体变容二极管在负偏压下的等效电路,提出了测量二极管Q_d值和等效电路各参数值的三种方法。第一种方法是测量二极管在各偏压点下的输入阻抗与管壳阻抗。这种方法的突出优点是适合于二极管串联电阻r_s随负偏压而变化的情况。第二种方法,在已知等效管壳电容的条件下,由测得的输入阻抗就能直接求得二极管的Q_d值和等效电路的各参数值;但此法要求串联电阻r_s不随负偏压而变化。第三种方法是测量二极管在各负偏压点下的输入阻抗与低频结电容C(V)来求得二极管的结参数;因而,为某些二极管,如砷化镓二极管,提供了一种测试方法。实验结果表明用上述三种方法所求得的Q_d值和等效电路的各参数值有很好的一致性。     

光敏管特性的动态显示方法与实现技术

文中介绍了利用示波器显示光敏管的光电特性、伏安特性曲线的基本原理，提供了实施测量、显示电路的具体方法。采用这种方法不仅可以十分方便地得到光敏管的动态特性曲线，而且也适应光电池、光敏电阻等光电检测器件的光电、伏发牧场考曲线的测量与显示。     

PN型半导体电特性分析

基于PN结半导体的理论知识,详细的介绍了PN结半导体的工作原理,通过实验描绘出了PN结伏安特性曲线,并利用基本理论知识对大学实验中＂非线性电阻元件＂的伏安特性进行解释。     

立方氮化硼晶体的非线性伏安特性及电致发光

测量了夹在两个金属电极间的非故意掺杂的n型立方氮化硼(cBN)晶体的伏安特性,它们为非线性曲线.使用不同的电极测量了20多个cBN晶体的伏安特性,曲线的形状非常相似.在样品两端的电压值大约为560V时,cBN晶体发生电致发光现象.利用空间电荷限制电流和能谷间的电子跃迁解释了上述实验现象.     

Nonlinear Current-Voltage Characteristics and Electroluminescence of cBN Crystal

测量了夹在两个金属电极间的非故意掺杂的n型立方氮化硼(cBN)晶体的伏安特性，它们为非线性曲线. 使用不同的电极测量了20多个cBN晶体的伏安特性，曲线的形状非常相似. 在样品两端的电压值大约为560V时，cBN晶体发生电致发光现象. 利用空间电荷限制电流和能谷间的电子跃迁解释了上述实验现象.     

用于有源矩阵液晶显示的Ta-Ta2O5-Ta MIM薄膜二极管

本文介绍了一种用于有源矩阵液晶显示、具有对称结构的ＭＩＭ薄膜二极管,其中Ｔａ２Ｏ５膜采用溅射／阳极氧化两步法制成。实验结果表明,用此法制备的氧化钽膜作绝缘层的ＭＩＭ二极管,具有良好的开关特性,较大的通断比和较好的伏安特性对称性