声表面波大带宽滤波器的设计

报道在Ｙ旋１２７．８６°Ｘ传ＬｉＮｂＯ＿３基片上采用１／８λ＿０，５／８λ＿０结构的切指加权换能器的声表面波滤波器，成功地研制了中心频率为４０ＭＨｚ，３ｄＢ带宽为２０ＭＨｚ，矩形系数（Δｆ＿４０ｄＢ／Δｆ＿３ｄＢ）为１．４８，带内波动＜１．２ｄＢ，带外抑制＞４０ｄＢ．插入损耗＜３８ｄＢ，相对带宽（Δｆ＿－３ｄＢ／ｆ＿０）大于５０％的滤波器。     

一种宽带低损耗声表面波滤波器

阐述了一种利用纵向耦合双模制作宽带低损耗声表面波滤波器的方法，给出了理论计算方法和计算机模拟结果，最后给出了制作中心频率为４５３ＭＨｚ的声表面波滤波器实验结果，插入损耗为１．９ｄＢ，１ｄＢ带宽为６．６６ＭＨｚ，远端带外抑制大于４５ｄＢ。     

极窄带声表面波二重模滤波器

声表面波二重模滤波器具有极窄带宽和高阻带抑制的频率特性，应用于现代化移动通信系统中。本文介绍了二重模滤波器的设计方法及试验结果，报道了制作四极二重模滤波器在１６２．８ＭＨｚ频率下获得了０．９‰的相对带宽和约６０ｄＢ阻带抑制。     

一种宽带低损耗表面波滤波器

阐述了一种利用纵向耦合双模制作宽带损耗声表面波滤波器方法，给出了理论计算方法和计算机模拟结果，最后给出制作中心频率为４５３ＭＨｚ的声表面波滤波器实验结果，插入损耗为１．９ｄＢ，１ｄＢ带宽为６．６６ＭＨｚ远端带外抑制大于４５ｄＢ。     

高温超导带通滤波器

本文报道用ＬａＡｌＯ２衬底ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７高温超导薄膜研制的四极平行耦合带通滤波器。在７７Ｋ测试，结果为：中心频率为８．９６ＧＨｚ，带内插入损耗为０．５４ｄＢ，带宽为５００ＭＨｚ。文中还讨论了设计制作高性能微带滤波器应注意的问题。     

高频窄带声表面波滤波器

为满足温漂要求，同时避免驻波效应，利用剥离工艺在石英基片上制作了中心频率为１１２８ＭＨｚ，３ｄＢ带宽为２．８ＭＨｚ，插入损耗＞－１２ｄＢ，带外抑制＞４０ｄＢ的高频窄带声表面波滤波器。     

一种改进型宽带3dB混合环定向耦合器

叙述了一种改进型３ｄＢ混合环定向耦合器，它的结构简单，频带宽，在３７．７％的带宽内，各端口的电压驻波比小于１．３，隔离度大于２０ｄＢ。给出了设计实例和测试结果。     

基于EMSIW结构和QMSIW结构的紧凑型滤波器设计

为有效减小S波段基片集成波导SIW( Substrate Integrated Waveguide)滤波器的尺寸和插入损耗，提出了一种基于 1/4模基片集成波导QMSIW(Quarter Mode Substrate Integrated Waveguide)和1/8模基片集成波导EMSIW(Eighth Mode Substrate Integrated Waveguide)的紧凑型带通滤波器，利用EMSIW与QMSIW谐振腔体结构互补的特点，减少电磁泄露，改善插入损耗，通过设计交叉耦合，实现传输零点的引入，以改善其选择性和带外抑制水平，分别设计了四腔体EMSIW小型化带通滤波器以及EMSIW-QMSIW结构的小型化带通滤波器，其中心频率均为3.8ＧＨｚ，两滤波器的相对带宽为13.8％和8.4％，测试插入损耗均小于1.05ｄＢ，带外抑制高于60ｄＢ，传输零点数均为3，且标准化尺寸仅分别为0.24λ０×0.11λ０和0.35λ０× 0.12λ０。?     

新颖的S波段宽带八倍频链

本文介绍使用双平衡混频器设计制作Ｓ波段宽带八倍频链带宽大于１３％，谐波抑制大于４５ｄＢ、输出波动小于１ｄＢ的良好性能。     

采用EWC单相单向换能器的SAW滤波器组

采用带旁瓣的ＥＷＣ单相单向换能器技术，研制中等相对带宽（５．６％～７．１％）和具有好矩形度的声表面波滤波器组。该滤波器组用于通信电子对抗，工作频率为３０～４０ＭＨｚ，各信道的矩形系数为１．６，信道插入损耗１５ｄＢ，滤波器组输入端口的驻波系数小于１．５。     

电磁寄生参数在高频SAW滤波器设计中的应用

在设计高频声表面波（SAW）滤波器的过程中,若只考虑封装壳和键合线的电磁寄生参数而忽略汇流条的电磁寄生参数,则SAW滤波器的实际性能易受汇流条寄生参数影响而出现通带波动和驻波增大等问题。该文拟用电声-电磁联合仿真方法设计高频SAW滤波器以解决汇流条寄生参数对SAW滤波器性能的影响。通过此方法研制的滤波器通带插入损耗小于1dB,波动0.5dB,通带内驻波最大值2.1,-1.5dB带宽75.7MHz,-3dB带宽84MHz(相对带宽为4.8%),-30dB带宽112MHz,BW_{-3 dB}/BW_{-30 dB}矩形系数1.33。包含封装壳、键合线及汇流条的寄生参数的理论仿真结果与实验测试结果吻合较好,表明了采用此模型设计高频SAW滤波器的可行性。     

Bandpass Sigma–Delta Modulator Employing SAW Resonator as Loop Filter

Continuous-time bandpass (BP) sigma-delta modulators (SigmaDeltaMs) employing surface acoustic wave (SAW) resonators as loop filters are presented. Compared with the loop filters realized with G_m-C and LC resonators, the SAW resonator has the advantage of high-Q factor, wide resonant frequency range and accurate resonant frequency without the need for automatic tuning. With the proposed anti-resonance cancellation and loop filter phase compensation techniques, a second- and a fourth-order BP SigmaDeltaMs are demonstrated in a 0.35-mum CMOS technology. Both modulators are tested with 47.3-MHz off-chip SAW resonators. The second-order modulator attains a dynamic range of 57 dB and peak signal-to-noise distortion ratio (SNDR) of 54 dB and the fourth-order one achieves a dynamic range of 69 dB and peak SNDR of 66 dB, both in a 200-kHz signal bandwidth. The fourth-order modulator is also measured in a 3.84-MHz signal bandwidth and achieves a dynamic range of 52.5 dB and peak SNDR of 50 dB, an effective 8-bit resolution     

基于LiTaO3基片宽带声表面波滤波器设计方法

通讯系统传输效率的提升对滤波器带宽的要求越来越高,如果使用常规声表面波(SAW)滤波器设计技术,则将面临损耗大或带宽达不到要求的问题。该文根据系列宽带SAW 滤波器产品开发结果,总结了采用特殊技术用 LiTaO₃压电基片实现相对带宽8%以上的宽带 SAW 滤波器设计方法,其包括利用外围电感、电容增加 SAW 谐振器的谐振频率和反谐振频率的间隔,提高阻抗元滤波器带宽;利用多模式纵向耦合谐振滤波器结构增加滤波器带宽;利用双通带滤波器并联结构获得大带宽滤波器。上述方法各有优缺点,其均能获得约为9%的带宽。     

声表面波低损耗滤波器的进展

本文从分析获得声表面波低损耗的途径出发,概述声表面波低损耗滤波器的最新进展,介绍几种单层工艺制作的实用型声表面波低损耗滤波器结构。并报道我们研究的650MHz高频低损耗滤波器以及10%宽带低损耗滤波器的结果。     

Design of saw filters in SS-FDMA routers for mobile satellite systems

The present paper reports the design of a SAW filter bank consisting of 26 linear phase filters with bandwidths ranging from 60 to 2180 kHz, 0·5/40 dB transition width narrower than 30 kHz and stopband rejection as high as possible. Passbank amplitude and phase ripple limits are 1 dB and 4° peak-to-peak respectively. Three candidate filters of bandwidth 60 kHz, 400 kHz and 2·180 MHz were selected for detailed design, taking into account spurious effects such as acoustic regeneration and diffraction as well as technology limits. Since the physical length of a SAW filter—as any transversal (FIR) filter—is determined by (i) the required passband amplitude ripple, (ii) the stopband rejection level and (iii) the transition width, the steepness of the required passband-to-stop band transitions in these filters dictates their physical size to be unusually large, resulting in an overall size for each packaged filter of 360 × 38 × 17 mm, i.e. 14·2 × 1·5 × 0·7 inches. The electrical specifications are met by all but the 2180 kHz filter, whose shape factor, for a 30 kHz transition band, would be 1·027 : 1, beyond the state of the art. The filter bank has about 27 dB insertion loss per filter, plus roughly 14 dB (1 : 26) power split loss.     

基于分层级联技术的梯形声表面波滤波器正向设计

针对任意复杂拓扑结构的梯形声表面波(SAW)滤波器的精确快速设计问题,基于声/电/磁多物理场耦合全波仿真平台,结合基因遗传优化算法和通用图形处理器(GPGPU)加速技术,利用有限元分层级联精确模型(HCT)代替COM模型进行SAW滤波器的设计与优化,计算速度和优化速度与COM模型相当。通过42°Y-X LiTaO₃常规SAW滤波器的优化设计与研制,插入损耗为0.67 dB,2 dB相对带宽为3.85%,验证了该方法的有效性和可行性。     

单相单向换能器的低损耗SAW滤波器

概述了采用分布式反射的单相单向换能器及其设计，特别推荐了电极宽度控制的单相单向换能器，并报道了我们制作的几种低损耗滤波器结果。单级低损耗滤波器插入损耗为４．７～６．５ｄＢ，带外抑制达５０ｄＢ。两级低损耗滤波器获得带外抑制近９０ｄＢ，而插损仅为１０ｄＢ。     

Optimal Frequency Band Design Scheme of Dyadic Wavelet Processor Array Using Surface Acoustic Wave Devices

In this paper, the relationship between the center frequency and radius of bandwidth and its effect on the frequency band characteristics of dyadic wavelet processor array using surface acoustic wave (SAW) devices are studied, and an optimal frequency band design scheme is proposed. For an arbitrary scale wavelet processor, we proposed that the center frequency is defined to three times of the radius of frequency bandwidth. The frequency band design scheme ensures that the frequency band coverage factor is equal to 100% at -3 dB, which avoid the signal loss caused by the discrete frequency band and the device waste caused by the redundant frequency band. With the frequency band design scheme, an experiment of implementing a dyadic wavelet processor array using SAW devices with five scales is presented. Experimental results confirm that the frequency band coverage factor equals 100% at -3 dB without discrete and redundant frequency band.     

基于ADS的声表面波单端对谐振器建模

声表面波(SAW)滤波器的设计需对单端对谐振器建模。该文提出了一种新的基于ADS线性矩阵模型的声表面波单端对谐振器模型,并给出了主要参数的推导过程。借助新模型成功设计了一个中心频率为1GHz、带宽为30MHz的声表面波带通滤波器,其插入损耗小于4dB,带外抑制大于30dB。设计过程表明,采用新模型设计声表面波滤波器可做到操作性强、简单、快捷。     

基于纵向耦合结构的宽带声表面波滤波器设计

基于纵向耦合五换能器结构,采用41°-YX-LiNbO3基片材料,通过优化设计,研制出中心频率232 MHz,3 dB带宽23.5 MHz的声表面波滤波器。该产品的插入损耗-3 dB,相对带宽达到10.1%,矩形系数小于2.5,阻带抑制大于40 dB,产品综合性能指标优异,有很好的实用性。