CMOS静态RAM的掉电保护

在数据采集、过程监测与自动记录、自动化仪器仪表等领域,经常需要对采集的数据、运行的状态以及计算的中间结果等采取必要的保护措施,以防止由于供电系统突然断电导致信息的丢失。对于造价较高的微机系统,可采用不间断电源(UPS)对系统进行一定时间的保护,但对于需长时间保存RAM中的信息,上述方法已不适用,这时可以采用后备电池给RAM供电,从而保护必要的内容。微型计算机主机使用的RAM可分为两大类,一类是动态随机存贮器(DRAM),另一类是静态随机存贮器(SRAM)。DRAM工作时需要时时对其内容刷新,否则信息就丢失。一般说来,刷新信号来自CPU,这样要使DRAM的内容不丢失,不仅要给DRAM供电,而且还要使系统不断电,显然耗电大,不宜用后备电池保护。SRAM的内容在微机工作时不需要刷新,只要其电源电压不掉电就可以长久保持。对于CMOS静态RAM来说,在静态时消耗的电流仅是微安级,若采用常用的5号电池,也可以给CMOS静态RAM供电两年以上。由于CMOS电路工作可靠、耗电省、可以方便地与TTL电路匹配,而且用电池供电成本低,更换方便,所以下面介绍经常使用的几种CMOS静态RAM的掉电保护的方法。     

CMOS电路反向电压保护方法

本文提出并分析了能保护CMOS电路不受外围连接错误(如电源电压的反向等)影响的几种电路结构。找到了能够保护输入连接、输出连接以及电源电压连接的任何转换,使其不敢损坏电路的方法。设计目的是不管芯片的外围电路怎样连接,都能防止其发生永久性的损坏。通过分析和实验,发现这一目标是可以实现的。     

SRAM的掉电保护电路

ＳＲＡＭ的掉电保护电路华中理工大学朱永辉采用ＣＭＯＳＩ艺集成制造的静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ），具有功耗低、存取时间短等优点，大大降低了它对系统电源的要求；因而在微机化测量和控制系统中得到了广泛的应用。由于实时性、可靠性、安全性等方面的技术要求，系...     

CMOS掉电检测及保护电路设计

本文设计了一款电源电压检测保护电路,该电路由电阻分压电路、带隙基准电路、高精度比较器和输出缓冲电路组成。详细说明了各部分的电路及版图设计,并给出Spectre仿真结果。该电路采用SMIC 0.18μm混合信号工艺实现。电路结构简单,易于实现,可集成在单片机内部,提高单片机的可靠性。     

低功耗SRAM掉电保护电路

通常,SRAM的后备电池客量较小,它们的待机工作电流(芯片使能“禁止”)一般也很小,几个μA至几十个μA之间,实际要求在系统断电后,后备电池能够工作的时间越长越好,以保证长期保持SRAM的内容。这样,设计一个工作电流极小的SRAM保护电路,就显得尤其重要。一般常用SRAM掉电保护电路,如高性能的MAX691A,典型工作电流仅30μA。但是,就SRAM而言,具有更低功耗的掉电保护电路才是至关重要的。     

CMOS电路数字密码锁的设计

数字密码锁具有操作简便、保密性好等特点,而采用ＣＭＯＳ集成电路组成数字密码锁控制装置,更兼有电源范围宽、功耗低和工作可靠的优点,可广泛用于家庭及保险箱柜等场合,是目前比较理想的保安锁具。１．　控制要求数字密码锁的实际控制对象是电磁锁的电磁线圈,可规定线圈断电为落锁或加锁,线圈通电为开锁。电磁线圈一般为交流线圈（特殊情况下也可采用直流线圈）,可用数字密码电路驱动中间继电器来控制其电流通断。本文所述ＣＭＯＳ电路数字密码锁能满足下列控制要求：（１）该锁具有可重复８位密码开启功能,且在输够８位密码后进行…     

先进CMOS复位保护电路的研究

介绍了一种用于ＣＭＯＳ数字电路的上电复位和低压保护电路，该上偏置电路、比较放大电路、延迟产生电路和驱动电路四部分组成，具有复位时间短、响应速度快、控制精度高、抗噪声能力强、结构简单、功耗低等优点，已成功地应用于ＡＳＩＣ电路中。还给出电路和的计算机模拟结果。     

基于CMOS工艺的IC卡芯片ESD保护电路

介绍了ESD保护结构的基本原理,并提出一个基于CMOS工艺用于IC卡芯片的保护电路.讨论了一些重要的设计参数对ESD保护电路性能的影响并进行了物理上的解释.     

深亚微米CMOS IC抗噪声ESD保护电路的设计

CMOS工艺技术缩小到深亚微米阶段，电路的静电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此，需要采取更加有效并且可靠的静电放电保护设计。文章提出了一种新型的ESD保护电路，以LVTSCR结构为基础，结合栅耦合技术以及抗噪声干扰技术。这种新型电路即使被意外触发也不会引起闩锁效应，提高了ESD保护电路的可靠性，实现了全芯片保护。     

使用CMOS电路需注意的有关问题

<正> 集成电路可分为TTL和MOS电路(主要以CMOS为主)两种。TTL以高速度见长,MOS电路则以低功耗著称。使用CMOS电路时,除了要认真阅读产品说明书或有关资料,了解其引脚分布情况及极限参数之外,还应注意以下问题: (1)在安装电路、改变电路连接、插拔CMOS器件时,必须切断电源,否则CMOS器件很容易受到极大的感应或电冲击而损坏。     

CMOS工艺下的温度检测电路的设计

介绍一种在CMOS工艺条件下,温度检测电路的实现方案,对温度检测的原理进行了深入分析,通过具体的电路设计验证了实现方案的可行性。电路在HHNECCZ6H工艺上流片。测试结果表明电路性能稳定可靠,提出的方案切实可行。电路可在-50°C到100°C范围内测温,精度可达正负3°C。     

低耗高速互补型CML电路

本文给出一种互补型ＣＭＬ电路，该电路可以工作在很低的功耗下，具有很高的开关速度。ｍｗＳＰＩＣＥ仿真结果表明，单门功耗为０．５ｍＷ和０．２ｍＷ时，平均门延时可分别低达１８ｐｓ和３０．５ｐｓ。     

一种3V CMOS音乐集成电路的设计原理

介绍了一种数字式全定制音乐集成电路设计原理。对伪音阶发生器、节拍发生器等子电路作了较详细的叙述。采用这种原理可设计出单芯片驱动压电陶瓷和发光二极管的音乐集成电路，该电路无须外接电阻、电容，可存储数首歌曲；另外，还可设计出一种数字音频程控频率合成器，时钟为ｆ０时，可控频率范围为ｆ０２～ｆ０２Ｎ。     

一种CMOS带隙基准的软启动电路设计

该文设计了一种应用于CMOS带隙基准的软启动电路,使电压基准能够快速、稳定地启动,并在其达到1V左右时自动关闭,对基准电路不产生影响,从而实现了软启动功能。采用Hynix0.5μmCMOS工艺和Hspice软件进行仿真后表明,设计的电路满足设计指标要求,具有优良的性能。     

CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的研究

本文介绍CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的设计,版图设计,工艺及电路性能。从理论和实验中分析了常规工艺中影响击穿电压的几个关键工艺参数。     

一种RISC单片机的运算电路

介绍了ＲＩＳＣ单片机ＰＩＣ１６Ｃ５７的运算部件，包括ＡＬＵ，Ｗ寄存器，移位寄存器和状态字寄存器，详细说明了其电路结构，工作原理及设计特点。     

由版图引起的CMOS ESD保护电路失效的分析

ESD保护电路已经成为CMOS集成电路不可或缺的组成部分,在当前CMOS IC特征尺寸进入深亚微米时代后,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手的问题.光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发光现象可以对失效部位进行定位,结合版图分析以及微分析技术,如扫描电子显微镜SEM、聚焦离子束FIB等的应用可以揭示ESD保护电路的失效原因及其机理.通过对两个击穿失效的CMOS功率ICESD保护电路实际案例的分析和研究,提出了改进ESD保护电路版图设计的途径.     

一种SOI CMOS电脉冲时间间隔测定电路的研制

文章设计了一种SOI CMOS电脉冲时间间隔测定器集成电路。阐述了其工作原理，进行了电路的版图设计，测试了芯片的性能。测试结果表明，该电路测量精度高、工作速度快，且抗辐照性能好，达到了设计要求。     

一种高性能CMOS带隙电路的设计

文章提出一种CMOS带隙参考源（BGR）电路设计，它可以在很宽的电压范围内有效的工作，能够在12．8V，10V范围内实现稳定工作，抗干扰能力强，结构相对简单，由CMOS运放，二极管以及电阻组成，用常规的0．6um CMOS工艺制作，在模拟环境下仿真结果表明其最小工作电压为2．75V，完全能够满足锁相环设计的要求。     

CMOS电路教学方法浅谈

数学逻辑电路最基本的构造就是用电子开关实现逻辑“0”和逻辑“1”。目前采用CMOS构造的逻辑器件在总体性能上已超过TTL,因而将成为数字电路教学的重点内容。本文介绍了从MOS管的逻辑形式出发用互补对及广义互补的方法揭示CMOS逻辑电路实质的内容以供参考之用。