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相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
<正> 在为获取越来越小的特征尺寸的持续进军中,镜头设计者、步进机制造者和工艺师们必须处理好三个参数,即镜头数值孔径、照明波长和工艺的关系。这三个参数的关系由瑞利分辨率公式给出: 分辨率:K_1λ/NA式中K_1是一个取决于工艺的比例常数,λ是波长,NA是数值孔径。较高的分辨率,即较小的特征尺寸可用加大数值孔径,缩短曝光波长或改进工艺来实现减小K_1值。  相似文献   

2.
纳米电子学和光电子学方面的纳米物理和技术的进展与进入更小空间和时间尺度范围有关。为此需要纳米结构全新的制造方法和无损检验法。纳米物理的一个重要课题是发展能够用高的空间、时间和光谱分辨率来研究单个纳米结构、团族和分子的超快过程。因此我们讨论激光脉冲作用于扫描探针显微镜的探针 -衬底系统上的几个问题及与此有关的在纳米光学和纳米技术中的可能应用。首先讨论扫描探针显微镜的金属探针 -衬底系统中的局域等离子体振荡及其激光激发辅助问题 (参阅文献 [1,2 ]及其引用文献 )。如果针端至衬底的距离 d颇小于针的曲率半径 R,…  相似文献   

3.
《集成电路应用》2005,(1):26-26
日前在美国所举行有关半导体光刻技术研讨会SPIEMicrolithography中,新墨西哥大学学者宣称,运用湿浸式技术,可望将193纳米光刻设备向下延伸至22纳米工艺以下。据报道,率先采用湿浸式193纳米光刻技术的硅片代工龙头台积电,也于1月底时表示类似看法。  相似文献   

4.
半导体器件与集成电路的不断小型化要求特征尺寸越来越小,极端远紫外光刻是5种下一代光刻技术候选者之一,它的目标是瞄准70纳米及70纳米以下的特征尺寸光刻。本文从极端远紫外光源、极端远紫外光学系统、反射掩模、光刻胶、光刻机等方面对极端远紫外光刻技术进行了分析论述,并且对它的应用前景进行了简要分析。  相似文献   

5.
对于前沿领域,极紫外线(EUV)光刻胶技术的研究要有助于解决一些由于193nm光刻技术不断向下延伸而面临的问题。  相似文献   

6.
从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展   总被引:1,自引:0,他引:1  
从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上,对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望。  相似文献   

7.
纳米岛光刻技术及其应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了一种基于微加工技术的新方法——纳米岛光刻技术。利用该技术制造出几十纳米到微米尺度的岛结构,然后利用剥离、刻蚀等微加工技术,将该岛转化成纳米孔、纳米岛、纳米井等结构。该技术的特点是能够制造出具有各种密度的纳米结构(最高覆盖率可达50%以上),且开发成本低,工艺性能优越,是一种有效制造纳米岛结构的专业方法。  相似文献   

8.
微光刻     
2001040102纳米光刻技术[中]/罗先刚…//物理.-2000,29(6).-358—363,3502001040103用于高分辨大视场微光刻的全息照相技术研究[中]/冯伯儒…//微细加工技术.-2001,(1).-1—72001040104  相似文献   

9.
低k1光刻(Photolithography)工艺提高了RET(Resolution Enhancement Technology)在纳米设计中的应用复杂度.在45纳米,更多的复杂模式、工艺的窗口修正(window correction)、以及验证需求增加了计算负担.在双重压力下,45纳米工艺需要更加先进的光刻工具.  相似文献   

10.
1 引  言  最近几年 ,欧洲通过开展国家间的大型合作项目而使其微电子产业恢复了强劲的发展势头。根据Moore定律 ,进入纳米时代则需要在研究和开发方面进行持续不断的努力。为此 ,欧洲通过国家间的合作而再次显示出其在微电子产业中的超凡实力。本文首先描述了欧洲的一些受资助的纳米技术项目 ,然后介绍了欧洲实验室在该领域所取得的关键性成果 ,并指出为了建立一流的欧洲纳米技术中心而采取的大型国家行动。此外 ,还深入探讨了欧洲的纳米光刻技术。实际上 ,纳米光刻涵盖了从电子束到极紫外的宽光谱范围 ,包括纳米印刷技术以及更多的…  相似文献   

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