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相似文献
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1.
介绍了抽象语法记法的技术、应用和特点,抽象语法记法与OSI七层模型的关系,以及在抽象语法记法中应用最为广泛的客体标识符的关键技术及注册.  相似文献   

2.
介绍了抽象语法记法的技术、应用和特点,抽象语法记法与OSI七层模型的关系,以及在抽象语法记法中应用最为广泛的客体标识符的关键技术及注册。  相似文献   

3.
段玉宏 《数字通信》1995,22(1):33-35,41
本文介绍了邮电部“八五”项目消息处理系统MHS的一大难点ASN.1,首先通过介绍消息处理系统MHS。电子数据交换EDI和X。500目录系统,说明对用于描述这些系统应用协议规程的抽象语法记法-ASN.1进行研究的重要性;然后举了一个用ASN.1描述的数据单元和该类型的一个ASN.1值记法实例,说明应用协议数据在OSI基本参考模型中通过编解码进行交互的基本原理。  相似文献   

4.
对象/客体标识符(OID)综述   总被引:1,自引:1,他引:0  
详细介绍了对象/客体标识符(OID)的背景、概念、特性、意义及国内外注册情况,并描述了OID扩充——对象分层名称(OHN)的最新国际标准化动态,最后给出了OID的发展展望。  相似文献   

5.
黄艳军  汤红波  朱可云 《通信技术》2007,40(12):163-165
抽象语法记法一(ASN.1)已被广泛应用于通信协议的描述,GSM移动应用部分(MAP)也使用了ASN.1来描述,并采用BER编码规则对协议传送数据进行编解码,但目前尚无针对MAP协议特点进行编解码的方案。为此,在改进通用的编解码方法的基础上,文章提出了一种优化后的MAP信令的ASN.1编解码方案,经过仿真验证其效率较通用编解码方案平均提高10%。  相似文献   

6.
作为宽带综合业务的雏形,ISDN(综合业务数字网)业务目前在铜线接入网中仍然有较广泛的应用。通过对接入网承载的ISDN信令交互过程的解读,接入网在ISDN业务中角色和作用的讨论,分析ISDN休眠用户工作流程的特点,通过正常呼叫流程和异常呼叫流程的对比,找到影响ISDN业务的因素并加以定位,从而实现ISDN业务的稳定和相关故障的快速处理。  相似文献   

7.
综合ISO/IEC JTC1/SC31自动识别和数据采集分技术委员会制定的关于RFID数据内容的标准,介绍了国际标准化组织对RFID标签数据内容的定义、重要数据的标识方法及分配。  相似文献   

8.
安全是人们普遍关心的问题。本文以Sun工作站为背景,从用户帐号安全性、文件安全性、网络安全性三个方面介绍了操作系统的安全性及其防范措施。  相似文献   

9.
本文介绍了SNMP的概念及框架结构,包括SNMPSMI、MIB、报文等内容,还介绍了如何在Windows 环境下用VC+ +6 .0 制作实现SNMP的软件。最后,笔者给出了该软件的一个应用实例的数据分析。  相似文献   

10.
SNMP是目前在计算机网络中应用得最广泛的网络管理协议,是基于TCP/IP的网管标准。本文介绍了SNMP协议的有关概念及SNMP的网管系统,并结合无线通信网网管系统,对该系统中的频管侧代理架构设计进行了简单介绍。  相似文献   

11.
《Microelectronics Journal》2003,34(5-8):623-625
The electroluminescence from PPV and the blue light emission from PPP constitute exciting subjects of study. The band gap of these semiconducting polymers can be engineered in a wide range from red to ultraviolet by structural changes made on them. In the present work, we present a theoretical approach based on semiempirical and ab initio total energy and force calculations of PPV and PPP. We perform a conformational analysis in order to investigate the connection between their structural, optical and electronic properties. We use the large cell approach, in connection with the semiempirical quantum method Extended Hückel (BICON-CEDiT code) and the density functional theory (DFT) within the full-potential linearized augmented-plane-wave method (FPLAPW) as implemented in the computational code WIEN2k. Our results are compared to other calculations and to optical absorption measurements.  相似文献   

12.
通过Ta掺杂改性钨青铜陶瓷(Sr0.5Ba0.5)1.9Ca0.1NaNb5–xTaxO15(x=0~0.30),分析了Ta掺杂量对其烧结性能、微观结构及介电性能的影响。陶瓷的烧结温度随x的增大略有提高。当x<0.10时,陶瓷的tC和弛豫性变化不大;当x≥0.10时,tm(1kHz)明显降低,从270℃(x=0)降低至231℃(x=0.30)。且tm随频率增加向高温移动,弛豫性明显增强。认为Ta掺杂引起其性能变化是由于Ta—O键与Nb—O键键能的差异,导致陶瓷氧八面体中心离子位移量以及A位离子有序程度的变化所致。  相似文献   

13.
Karavaev  G. F.  Chernyshov  V. N.  Egunov  R. M. 《Semiconductors》2002,36(5):527-534
Semiconductors - Electron states in the conduction band of (111)-oriented (AlAs)M(GaAs)N superlattices (SLs) with M≥N and N&;lt;10 are considered. The properties of such SLs are mainly...  相似文献   

14.
采用熔体快淬法制备了纳米复合(Nd1-xPrx)9.4Fe75.6Ti4B10.5C0.5(x为0,0.2,0.4,0.6,0.8和1.0)合金薄带,研究了Pr对合金薄带结构与磁性能的影响规律。结果表明:Pr降低了合金薄带的晶化温度,使合金薄带晶粒变得粗大,不利于合金矫顽力的提高。Pr对合金薄带磁性能的影响不大,不同Nd和Pr比例的合金薄带在最佳热处理条件下,剩磁Br在0.86 T与0.90 T之间,内禀矫顽力Hcj在1 000 kA/m左右,最大磁能积(BH)max介于130 kJ/m3与136 kJ/m3之间。  相似文献   

15.
The DOS, JDOS and ε2(Ω) of monolayer superlattice Ga0.47ln0.53As/ InP(110) have been calculated by a tight-binding approach and compared with that of alloy Ga0.235ln0.765P0.5As0.5 which has the same stoi-chiometric composition as the monolayer superlattice. By using the techniques of the group theory we have obtained the expressions of momentum matrix elements between valence band states and conduction band states with four adjustable parameters. These parameters are determined by fitting the calculated values of ε2(Ω) with the experimental values for InP, GaAs and InAs. Our results show that the superlattice periodicity makes its DOS, JDOS and ε2(Ω) different from those of alloy in varying degree. Due to the folding of Brillouin zone, the JDOS of superlattice turns round in comparison with that of alloy. The momentum matrix elements have different effects for the superlattices and alloys.For the alloys, they can only change the amplitudes of peaks but not the positions of peaks; however, for the superlattices both amplitude and position can be changed.  相似文献   

16.
采用两步烧结工艺制备Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷,研究了烧结工艺对陶瓷的晶相和介电性能的影响。结果表明:适当提高最高温度、保温温度和保温时间可改善陶瓷的介电性能。当最高温度为1180~1200℃,在1050~1080℃保温5~15h时,其εr为238~262,tanδ小于10–2,σ为1.0×10–11~10–12S·m–1。该烧结工艺可减少铋的挥发,降低氧空位浓度,因而减弱了陶瓷的高温低频耗散现象。随着保温时间的增加,高温电导得到有效抑制,在1050℃保温15h样品的σ降低了一个数量级,在280℃时为5.2×10–9S·m–1。  相似文献   

17.
The deformation potentials of electron scattering at short-wavelength phonons for intervalley transitions in the conduction band of short-period (GaAs) m (AlAs) n (001) (m, n = 1, 2, 3) superlattices are determined by the electron density functional method. The dependences of the electron and phonon states and deformation potentials on the layer thickness in the superlattices are analyzed. The results of ab initio calculations are in good agreement with the data of empirical calculation of the deformation potentials integrated over phonons, but differ from data on the corresponding potentials for partial scattering channels because of approximations of the phenomenological model of interatomic binding.  相似文献   

18.
本文讨论了电信技术、网络形态和发展电信技术的指导思想,目的是从技术机理和工程应用方面说明GII网络形态的总体概念.  相似文献   

19.
20.
采用建立在经验赝历势基础上的推广k·P方法计算了复合量子阱Ge0.3Si0.7/(Ge0.3Si0.7)m-(Si)m/Ge0.3Si0.7的电子束缚能组及其活界面方向的色激关系,并与通常的单带模型下的包络函数方法的计算结果进行了比较。结果表明由于超晶格中子能带的形成,邻近能带间的互作用使通常单带模型下的包络函数方法不再能适用于复合量子阱的计算。计算结果也表明复合量子阱的电子束缚能级沿界面方向在kx<0.1(2π/a)范围内基本上不随kx变化。  相似文献   

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