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相似文献
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1.
透明导电氧化物薄膜的新进展   总被引:8,自引:0,他引:8  
透明导电氧化物(TCO)薄膜In2O3:Sn和SnO2:F都已经发展成熟,分别大规模应用于平板显示器和建筑两大领域。最近几年,TCO薄膜的研究又进入了一次复兴时期,研究和开发出几类具有明显特色的新型TCO薄膜。ZnO基TCO薄膜有替代In2o3:Sn薄膜的趋势;多元TCO薄膜材料可以调整其性能来满足某些特殊应用的需求;具有高载流子迁移率的In2O3:Mo薄膜为进一步提高TCO薄膜的性能打开了一条新路;真正的p型TCO薄膜为制造透明电子元器件迈出了第一步。  相似文献   

2.
复合效应对掺杂氧化物透明导电薄膜的影响   总被引:6,自引:1,他引:5  
首次引入复合效应对不同价态差的掺杂氧化物透明导电(TCO)薄膜的载流子浓度及其迁移率进行了分析。对于较高温下制备的TCO薄膜,对载流子迁移率起主要作用的散射机制是带电离子散射和电中性复合粒子散射。带电离子散射迁移率与带电离子的有效电荷数大致呈反比关系,在载流子浓度相同的情况下,随着复合几率增大,价态差分别为3和4的TCO薄膜中的带电离子的平均有效电荷分别趋于1和2,因此带电离子散射迁移率也随之增大,分别趋于价态差为1和2的TCO薄膜的带电离子散射迁移率。而对于价态差为3的TCD薄膜,由于电中性复合粒子的数量较少,对载流子的散射最弱,因此在复合几率较大的情况下,价态差为3的TCO薄膜有可能获得比价态差为1的TCO薄膜更高的载流子迁移率。  相似文献   

3.
用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟 ( In2 O3:Mo,IMO)薄膜在可见光区域的平均透射率 (含 1 .2 mm厚玻璃基底 )超过 80 % ,电阻率最低达 1 .7× 1 0 - 4Ω·cm。采用等离子振荡波长法、van-der-Pauw法和光谱拟合法等三种方法对IMO薄膜和 ITO薄膜的载流子浓度进行了测量和比较 ,结果表明 IMO薄膜的载流子浓度还不到 ITO薄膜的三分之一。因此 ,IMO薄膜对可见光的吸收小 ,有很大的发展空间可以通过提高载流子浓度而进一步提高电导率 ,对近红外线也有较高的透射率 ,有利于拓展透明导电薄膜的应用领域  相似文献   

4.
电子束反应蒸发技术生长Mo掺杂In_2O_3薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用电子束反应蒸发技术,调制衬底温度200~350℃,详细研究了Mo掺杂In2O3(IMO,In2O3:Mo)薄膜的微观结构以及光电性能的变化。随着衬底温度增加,原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)图像均证明IMO薄膜表面趋于粗糙,透过率和Hall测试表明其光学和电学性能逐渐提高。在衬底温度为350℃时,获得薄膜最小电阻率为2.1×10-4Ωcm,载流子迁移率为34.2cm2/Vs,其可见光区及近红外区的平均透过率为78%。衬底温度为200℃时,薄膜表现为黑褐色,经分析X射线光电子能谱(XPS)结果认为与薄膜中钼的低价氧化有关,提高衬底温度可改善薄膜氧化状态。  相似文献   

5.
有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构 .Sn O2 ∶ Sb薄膜中 Sb2 O3的最佳掺杂比例为 6 % .适当调节制备参数 ,可以获得在可见光范围内平均透过率大于 85 %的有机衬底 Sn O2 ∶ Sb透明导电薄膜 ,其电阻率~ 3.7e- 3Ω· cm ,载流子浓度~ 1.5 5e2 0 cm- 3,霍耳迁移率~ 13cm2 /( V · s )  相似文献   

6.
陈新亮 《光电子.激光》2009,(12):1599-1601
研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。首先,利用低沉积速率(约0.01nm/s)生长一层厚度约为30nm的IMO薄膜,作为缓冲层,其次,提高生长速率至0.04nm/s,高速率生长IMO薄膜,薄膜厚度约50nm。典型薄膜电阻率ρ约为2.5×10-4Ωcm,方块电阻Rs约为22.5Ω,载流子浓度n~5.8×1020cm-3,电子迁移率μ约为47.1cm2V-1s-1,可见光和近红外区域平均透过率约为80%。获得的IMO薄膜光电性能和直接利用低速率生长的薄膜特性相当或更好,并且极大地降低了薄膜生长时间。  相似文献   

7.
ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质   总被引:12,自引:5,他引:7  
在室温下,采用射频磁控溅射法在70 5 9玻璃衬底上制备出Zn O- Sn O2 透明导电薄膜.制备的薄膜为非晶结构,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压.薄膜的最小电阻率为7.2 7×10 - 3Ω·cm,载流子浓度为4 .3e1 9cm- 3、霍尔迁移率为2 0 .5 cm2 / (V·s) ,在可见光范围内的平均透过率达到了90 % .  相似文献   

8.
有机衬底SnO2:Sb透明导电膜的研究   总被引:8,自引:2,他引:6  
采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出SnO2∶Sb透明导电膜,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的样品为多晶薄膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构.SnO2∶Sb薄膜中Sb2O3的最佳掺杂比例为6%.适当调节制备参数,可以获得在可见光范围内平均透过率大于85%的有机衬底SnO2∶Sb透明导电薄膜,其电阻率~3.7×10-3Ω·cm,载流子浓度~1.55×1020cm-3,霍耳迁移率~13cm2·V-1·s-1.  相似文献   

9.
射频磁控溅射法制备SnO2:Sb透明导电薄膜的光电性能研究   总被引:5,自引:1,他引:4  
采用射频磁控溅射法在载波片玻璃衬底上制备了锑掺杂二氧化锡(SnO2Sb)透明导电薄膜.利用霍耳效应实验、紫外可见光光谱仪、n(折射率)k(消光系数)d(薄膜厚度)光谱仪对该导电薄膜的光电性能进行了测试.讨论了氧气分压对样品光电性能的影响,增加氧气分压,薄膜的厚度减小、吸收边和截止波长蓝移,光学带隙增大,并且氧气分压对薄膜电阻率、载流子浓度和霍耳迁移率的影响不是线性的,而是存在一个最佳值.当氧气分压为0.10 Pa时,薄膜的光电性能最佳,此时膜厚为399 nm,可见光平均透过率为70 %,电阻率为2.5×10-3 Ω·cm,载流子浓度为1.2×1021 cm-3,载流子霍耳迁移率为2.04 cm2·V-1·s-1,其光电特性已达到了TFT-LCD透明电极的要求.  相似文献   

10.
离子注入对ITO薄膜电学特性的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
对系列In2O3∶Sn (ITO)薄膜样品分别实施了不同剂量的Sn+, Ag+ 和Mo+离子注入并将它们在250 ℃下进行了热处理.利用霍耳测量研究了原始样品及注入和退火前后各样品的电学特性.研究了ITO薄膜的电学参数受离子注入的种类及剂量的影响.实验证明不同种类的离子注入会不同程度地降低ITO的导电性能,但热处理的效应与之相反.3种金属中,Sn+离子对薄膜造成的注入损伤最小,而高价的钼离子可以替换铟离子的位置成为施主,当注入剂量为1×1015 cm-2时,经过Mo+离子注入和后续退火的ITO薄膜,载流子浓度提高了14%.  相似文献   

11.
The factors limiting the conductivity of fluorine‐doped tin dioxide (FTO) produced via atmospheric pressure chemical vapor deposition are investigated. Modeling of the transport properties indicates that the measured Hall effect mobilities are far below the theoretical ionized impurity scattering limit. Significant compensation of donors by acceptors is present with a compensation ratio of 0.5, indicating that for every two donors there is approximately one acceptor. Hybrid density functional theory calculations of defect and impurity formation energies indicate the most probable acceptor‐type defects. The fluorine interstitial defect has the lowest formation energy in the degenerate regime of FTO. Fluorine interstitials act as singly charged acceptors at the high Fermi levels corresponding to degenerately n‐type films. X‐ray photoemission spectroscopy of the fluorine impurities is consistent with the presence of substitutional FO donors and interstitial Fi in a roughly 2:1 ratio in agreement with the compensation ratio indicated by the transport modeling. Quantitative analysis through Hall effect, X‐ray photoemission spectroscopy, and calibrated secondary ion mass spectrometry further supports the presence of compensating fluorine‐related defects.  相似文献   

12.
In this report, we present inverted organic solar cells integrating solution-processed aluminum doped zinc oxide (AZO) and trilayer graphene oxide (GO) as an electron selective and anode buffer layers, respectively. The polymers in this inverted architecture are PCDTBT, PBDTTPD and PCBM as an electron donor and acceptor, respectively and the photovoltaic performance were recorded at 300 K under 100 mW/cm2 light intensity. The characteristics of PCDTBT and PBDTTPD-based inverted solar cells were: open-circuit voltages (Voc’s) 0.74 and 0.70 V, short-circuit current densities (Jsc’s) −12.09 and −12.06 mA/cm2, fill factors (FFs) of 60.73% and 60.03%, with an overall power conversion efficiencies (PCEs) of about 5.46% and 5.07%. The fabricated inverted cells show better performances compared to conventional structure reference cells.  相似文献   

13.
锑掺杂二氧化锡薄膜的导电机理及其理论电导率   总被引:5,自引:0,他引:5  
归纳总结了锑掺杂二氧化锡(ATO)的导电机理。晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n型载流子是ATO导电的两种主要机理。从材料的电导率公式出发,定性分析了二氧化锡中掺杂锑的含量存在理论最佳值,根据已有模型计算证明了锑掺杂二氧化锡电导率存在理论上限。掺杂二氧化锡中锑的最佳理论含量为1.49%(质量百分数),锑掺杂二氧化锡理论电导率最高为0.217×104(Ω·cm)-1,氧空位对ATO电导率的贡献为0.1506×104(Ω·cm)-1。  相似文献   

14.
红外和雷达复合隐身材料--掺杂氧化物半导体   总被引:26,自引:1,他引:25  
从红外隐身、雷达隐身原理及电磁波在半导体表面层的吸收和反射的机理出发,从理论上分析了掺杂氧化物半导体材料同时实现红外和雷达隐身的可能性,指出ZA0(掺铝氧化锌)作为红外和雷达隐身复合隐身材料是很有发展前景的。  相似文献   

15.
氧化镓材料的电导在高温(400℃以上)下随环境气氛显著变化的电学性质可用于汽车尾气成分的检测。相比于薄膜材料,氧化镓纳米线阵列具有更大的比表面,增加了与待测气体接触面积,有可能大幅提高探测器的灵敏度。本文直接利用生长在衬底上的图形化氧化镓纳米线阵列制成气体探测元件,初步分析了纳米线未掺杂和掺杂条件下其对还原性气体的浓度变化的响应,探讨了反应过程的机理,为后续研究打下了基础。  相似文献   

16.
以SnCl4?5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料,用阴离子树脂交换除氯水解法制得无Cl–的掺锑氢氧化锡胶体沉淀。并用乙酸异戊酯作脱水剂。结果表明,用乙酸异戊酯共沸蒸馏干燥法能有效防止粉体的硬团聚,得到了比表面积为284.43m2/g掺锑氢氧化锡微粉。热处理后得到了低硬团聚、电阻率为0.405?·cm的掺锑氧化锡纳米晶体。  相似文献   

17.
为提高a-Si/μc-Si叠层太阳电池的效率,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备了系列n型掺磷硅氧(SiOx:H)薄膜作为中间层,研究了CO2/Si H4气体流量比、沉积功率和PH3掺杂浓度等工艺参数对材料光电特性的影响,获得了折射率、电导率和禁带宽度能够在较大范围内调控的SiOx:H薄膜。  相似文献   

18.
采用两步溶胶–凝胶法制备出 ATO(掺锑氧化锡)-SiO_2复合抗静电薄膜。通过 DTA-TG、XRD、SEM 对 薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密。薄膜中 SiO_2为无定形结构,ATO 的衍射峰 与 SnO_2一致。研究了 SnO_2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随 SnO_2含量增加 ?(SnO_2/ SiO_2)从 5 至 12.5,薄膜的表面电阻降低(从 1010ù/□降低到 108ù/□),薄膜的结合强度下降,薄膜的透过率降低(从 89.0%降至 84.2%),结合三方面性能,得出最佳 SnO_2的配比为:?(SnO_2/ SiO_2)=10。  相似文献   

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