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本文简要介绍了用TDK-36单晶炉拉制的较大直径(φ=25mm)、低位错(<100cm ̄(-2))的锑化铟单晶的理论和实践。通过对晶体生长室内温场,特别是内外坩埚尺寸的调整及对循环水流量的控制,成功地拉制出较大直径、低位错的锑化铟单晶。 相似文献
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锑化铟单晶是制备3μm~5μm红外探测器的重要材料.为了适应红外焦平面探测器大规模化发展的趋势,我们开展了高质量3in锑化铟单晶的生长研究.本文解决了大直径锑化铟单晶生长的关键技术,讨论了3in锑化铟单晶生长过程中的多晶原料提纯问题,以及单晶电性能参数控制、位错密度控制和直径控制问题,并采用Czochraski法成功地在国内首次生长出直径为3in的锑化铟单晶.其中,直径大于3in的单晶长度超过100mm,单晶的位错密度小于100cm-2.试验结果表明:相对于其他半导体单晶生长位错密度沿晶棒增大的分布规律,我们得到的锑化铟单晶位错密度沿晶棒从头至尾递减,单晶尾部位错密度可小于50cm-2;同时单晶的电子迁移率、载流子浓度均满足制备高性能大规格红外焦平面探测器的要求. 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1991,(1)
<正>LEC法要求有适当的轴向和径向的温度梯度来控制GaAs晶体的直径,但为了降低GaAs单晶的位错密度,又需要降低它们的温度梯度.对大直径GaAs单晶的生长,上述矛盾更为突出.HB法虽然能生长低位错GaAs单晶,但对大直径圆形晶体的生长却无能为力.通常采用VGF(垂直梯度凝固)法来解决大直径和低位错的矛盾.但由于VGF法中要有As源来 相似文献
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InSb是一种重要的中波红外探测器材料。为了满足更大规模、更高质量红外焦平面探测器的发展要求,对100 mm直径低位错密度InSb单晶的生长进行了研究。通过改良生长方法、优化籽晶、改进缩颈工艺、优化热场,最终获得位错密度小于等于100 cm-2、直径大于等于100 mm的大尺寸低位错密度InSb晶体。晶体沿晶棒从头到尾部的位错密度分布均匀,可用率高,能够满足大规模高质量红外焦平面探测器的使用需求。 相似文献
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兵器工业第211研究所(昆明物理所)负责研制属“75513工程”项目的“SPRITE探测器”、“32元碲镉汞长波光导红外探测器组件”、“长载流子寿命碲镉汞材料”、“D64JT7型多元金属杜瓦瓶”和“大直径低位错密度锑化铟单晶”五项科研成果于1993年1月11日至13日在昆明通过部级技术鉴定。鉴定会由中国兵器工业总公司兵科院主持。国防科工委、总参兵种部、云南省国防科工办有关领导出席了会议。参加鉴定会的有:中科院上海技术物理研究所,航空航天部8358所,航空航天部014中心,北京理工大学等21个单位,计60余名专 相似文献
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到目前为止,国内锑化铟单晶主要用于制作光导或光伏红外探测器。对单晶的电性能和位错缺陷要求很高,价格昂贵,用量小,社会经济效益受到一定限制。而锑化铟单晶迁移率高,霍尔效应显著的突出特点,尚未得到开发利用。磁敏电位器正是利用了锑化铟单晶的这一特点。使其应用又有了新的领域。磁敏电位器的基本工作原理,是通过旋转 相似文献
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