半导体工艺用高纯水中硅、硼的去除

本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硅、硼的脱除方法.通过对电压、进水电导率(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳脱硅、硼条件.EDI进水SiO₂浓度为1000μg/L,最佳出水硅为2.66μg/L,为目前国内最好水平.EDI进水硼浓度为50μg/L,最佳出水中硼含量为＜1μg/L.满足了大规模集成电路用水中硅、硼的要求(对于兆位电路硅要求＜3μg/L,硼要求＜1μg/L).     

控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究

本文介绍了溶解氧(DO)以及总有机碳(TOC)对超大规模集成电路(ULSI)用水的污染,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据.研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较,本文设计了用脱氧膜接触器,降低高纯水中的溶解氧.结合用双级反渗透(RO)及电脱盐(EDI) 再加上185nm紫外光照射高纯水,使高纯水中的溶解氧和TOC分别降至0.6μg/L和0.7μg/L,并用键能理论解释了185nm紫外降低TOC的机理.     

环F2+uF2上长度为2e的循环码的距离

确定码字的Hamming距离和Lee距离是解码的关键.本文对环F₂+uF₂上长度为2^e的循环码的结构进行了分类.确定了环F₂+uF₂上某些长度为2^e的循环码的Hamming距离和Lee距离.给出了环F₂+uF₂上长度为2^e的其它循环码的Hamming距离的上界及Lee距离的上界和下界.     

有限域上m序列与其采样序列的互相关性

本文研究了有限域GF(p)上的m序列与其采样序列之间的互相关函数C_d(t),得到以下结论:(1)当采样因子d= pⁿ+1 p+1 + pⁿ-1 2 ,n为奇数且p≡3(mod 4)时,|1+C_d(t)| 1+p 2 pⁿ ,从而解决了Muller在文献 中提出的一个公开问题,并将文献[1]中的p=3时的结论推广为一般情形;(2)当d= pⁿ+1 p+1 ,n为奇数且p≡3(mod 4)时,C_d(t)∈{-1,-1+ p n+1 -1- pⁿ⁺¹ };(3)在以上两种情况下,对|1+C_d(t)|关于t的分布进行了研究,结果表明,当p很大时,|1+C_d(t)|取最大值的概率很小.     

对三维多层快速多极子方法中不变项计算的优化

本文首先研究了三维MLFMA中不变项的内在性质.它们分别是:α_mlm'l具有平移不变性,V_s和V_f在角谱空间中共轭对称,使用Galerkin法时 _sparse为对称矩阵并且V_s和V_f相等.这些性质可用于优化不变项的计算,使α m_lm'_l的计算复杂度从O(M_l(6³-3³))降到O(7³-3³)甚至O((7³-3³)/8),而V_s和V_f的复杂度则从O(K_LN)降至O(K_LN/4),A_ji的从O(N)到O(N/2).数值结果表明了优化的有效性.     

用紫外光和双氧水降低工业废水色度的研究

本文研究185nmUV加H₂O₂去除工业废水中的色度.实验结果表明:185nmUV能使水发生均裂反应,产生·OH、·H和e_aq(水合电子)等活性中间体,对废水的色度有一定的去除作用;对185nmUV加H₂O₂对废水的色度有很好的去除效果,而且H₂O₂在紫外线的作用下也可以生成·OH,与单独使用185nmUV相比,降解速率可以提高10~20倍.因此脱色效果好,脱色速度快,适合多种色料,处理后结果色度均能达到国家一级以上的排放标准.本文研究的185nmUV+H₂O₂方法,工艺简单、操作方便、脱色快捷效果好,可广泛应用于各种场合的各种色度的脱除.     

MOVPE生产用高纯水中硅的去除

本文介绍了硅对砷化镓材料生长及有机金属化合物气相淀积(MOVPE)工艺中的影响和电脱盐(EDI)技术以及用EDI降低高纯水中硅浓度的机理和方法,通过大量实验比较不同制水设备脱硅效果,得出用EDI技术严格控制pH(8~11)时脱硅效果最好,能使高纯水中Si的浓度＜0.5μg/L,满足了MO源生产及MOVPE工艺用水中Si浓度<3μg/L的需要.     

PS 类Bent函数的一种构造方法

PS 类bent函数类是所有2^(n/2)-1或2^(n/2)-1+1个Fⁿ₂的"不交的" n 2 维子空间的指示函数的模2和所组成的函数的集合.这些函数具有很好的代数结构并在密码学中有很多应用.如何来刻画 PS bent函数的代数范式一直是公开的难题.构造 PS 类bent函数关键在于如何将Fⁿ₂划分为2^n/2+1个 n 2 维子空间.本文给出一种划分的方法,从而构造出 PS 类bent函数,并给出了对应的代数范式.     

掺Er3+钨碲玻璃光纤放大器的特性研究

以WO₃、TeO₂、ZnO和Na₂O为基质制备了掺Er³⁺钨碲(EDWTZn)玻璃.差热分析表明EDWTZn玻璃的转变温度达到427℃,比常规碲酸盐玻璃具有更高的热稳定性.McCumber原理研究的结果显示,EDWTZn玻璃在1530nm处的峰值受激发射截面和荧光发射半高宽分别为9.52×10^-21cm²和86nm.数值模拟结果表明,EDWTZn光纤放大器利用较短的激活长度就可获得足够的信号光放大,在1530nm波长附近能提供极宽的平坦增益带,当输入信号光功率为0dBm时,在大约70nm带宽范围内的平均信号增益大于20dB,不平坦度小于5dB.     

3.4nm超薄SiO2栅介质的特性

用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为3.4nm的MOS电容样品,通过对样品进行I-V特性和恒流应力下V-t特性的测试,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响.实验结果表明,制备出的3.4nm SiO₂栅介质的平均击穿场强为16.7MV/cm,在恒流应力下发生软击穿,平均击穿电荷为2.7C/cm².栅介质厚度相同的情况下,P⁺栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N⁺栅样品.     

吹脱法在PCB企业氨氮废水处理中的应用

线路板生产过程中产生的氨氮废水主要来源于蚀刻工序,在原蚀刻废液交由有资质的回收企业回收再利用之后,排放的氨氮废水主要来自于蚀刻工序的清洗废水,其氨氮主要以游离氨、离子铵及〔Cu(NH3)4〕2+形式存在,含量在100-150 mg\L之间,文章针对这种PCB企业氨氮废水介绍吹脱法在其处理中的应用,研究分析了PH值、温度以及气液比对吹脱效率的影响。     

BF+2注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究

本文报道BF_2~+注入的多晶硅薄膜经快速热退火后的物理和电学性质。发现造成氟异常分布的原因是由于快速热退火过程中氟的外扩散以及在多晶硅/二氧化硅界面处的聚集。在注入剂量为1×10~(15)和5×10~(15)cm~(-2)的样品中,经快速热退火后可以观察到氟泡。     

双色红外焦平面研究进展

介绍了叠层双色红外焦平面的发展背景和适用的材料体系,及其在国际上的发展现状,重点论述了叠层双色探测器结构类型及其探测特点,最后介绍了国内碲镉汞叠层双色焦平面的研究进展。报道了基于n⁺_-p-P-P-N多层异质结Hg_1-xCd_xTe材料的叠层中波/短波（256×1）×2红外双色焦平面器件研制及性能。在77 K液氮温度下,红外焦平面探测器的两个波段的截止波长λ_c分别为2.8 μm和3.9 μm,中波/短波焦平面的平均单色探测率D*_λp分别为1.8×10¹¹ cmHz^1/2/W和9.6×10¹⁰ cmHz^1/2/W。     

BF2+注入多晶硅栅的SIMS分析

文本采用SIMS技术,分析了BF₂⁺注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO₂中的迁移特性。结果表明,80keV,2×10¹⁵和5×10¹⁵cm^-2 BF₂⁺注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO₂中。F在多晶硅和SiO₂中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。     

Deciphering the NH4PbI3 Intermediate Phase for Simultaneous Improvement on Nucleation and Crystal Growth of Perovskite

The NH₄PbI₃‐based phase transformation is realized by simply adding NH₄I additive, in order to simultaneously control perovskite nucleation and crystal growth. Regarding the nucleation process, the NH₄⁺ with small ionic radius preferentially diffuses into the [PbI₆]^4? octahedral layer to form NH₄PbI₃, which compensates the lack of CH₃NH₃I (MAI) precipitation. The generation of NH₄PbI₃ intermediate phase results in extra heterogeneous nucleation sites and reduces the defects derived from the absence of MA⁺. Regarding the crystal growth process, the cation exchange process between MA⁺ and NH₄⁺, instead of the MAs directly entering, successfully retards the crystal growth. Such NH₄PbI₃ consumption process slows down the crystal growth, which effectively improves the perovskite quality with lowered defect density. The cooperation of these two effects eventually leads to the high‐quality perovskite with enlarged grain size, prolonged photoluminescence lifetime, lowered defect density, and increased carrier concentration, as well as the finally enhanced photovoltaic performance. Moreover, NH₃ as a byproduct further facilitates the proposed transformation process and no external residue remains even without any post‐treatment. Such methodology of introducing a novel phase transformation to simultaneously control nucleation and crystal growth processes is of universal significance for further devotion in the foreseeable perovskite solar cells (PSCs) evolution.     

砷化镓汽相外延中Cd的行为和p-n结材料的制备

一、引言 在CaAs气相外延中,除了用各种掺杂剂制得n型材料外,也有少量工作述及P型外延层的制备。鉴于P型材料可用作双漂移二极管和太阳能电池,本文在GaAsCl_3-H_2体系中采用元素Cd为掺杂剂,研究了Cd的掺杂行为并制得了各种结构的p-n材料。 二、实验 实验装置与文献[2]基本相似。H_2分三路进入反应管,即主路,旁路和掺杂路;AsCl_3为主、旁两路,主路用于生长外延层,旁路用作掺杂和原位气相腐蚀。 掺杂源为元素Cd,置于磁拉舟内,不掺杂时放任冷处,掺杂时拉入给定的温区,以获得一定的Cd浓度。     

Tailoring Amino‐Functionalized Graphitic Carbon‐Encapsulated Gold Core/Shell Nanostructures for the Sensitive and Selective Detection of Copper Ions

The effective transfer of strong electromagnetic field from the gold core through the coating shell represents the most significant challenge for the applications of plasmonic nanoparticles. This study applies a one‐step arc discharge method to synthesize graphitic carbon‐encapsulated gold nanoparticles (Au@G NPs) functionalized with amino groups uniformly via adding NH₃ into He background gas. By tailoring the coating shell into few‐layered graphene, a strong localized surface plasmon resonance (LSPR) absorption band is achieved. The NH₃ introduces H radicals to strengthen the LSPR characteristic by etching the coating graphitic shell, as well as provides dissociated NH or NH₂ species to functionalize the surfaces with amino groups. With an LSPR‐based colorimetric method, it is demonstrated that trace Cu²⁺ ions can be detected rapidly with excellent sensitivity (as low as 10 × 10^‐9m linearly) and selectivity against other metal ions (Na⁺, K⁺, Mg²⁺, Ca²⁺, Co²⁺, Fe²⁺, Cd²⁺, Pb²⁺, and Hg²⁺ ions) by amino‐functionalized Au@G NPs in water samples.     

液相法制备窄粒径分布微米铜粉的研究

为了制备出抗氧化、纯度高且粒径分布窄的微米铜粉,以硫酸铜(CuSO4)为原料,抗坏血酸(Vc)为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为保护剂和分散剂,浓氨水(NH3·H2O)调节pH值,通过液相还原法制备微米铜粉,研究了CuSO4浓度对制备粉体的影响,并讨论了相关反应机理。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)、激光粒度仪和热重分析仪(TG)对制备的铜粉进行表征与分析。结果表明:不同CuSO4浓度下制得的粉体均为高结晶度的单质铜;当CuSO4浓度为0. 6 mol/L,反应温度为80℃时,制得的铜粉结晶度最好且粒径分布较窄,全都分布在1~4μm;制备出的铜粉抗氧化性和稳定性较好,在200℃时都不会发生氧化,于空气中放置30天后仍为单质铜。