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研究了烧结温度对TiO2压敏陶瓷显微结构、晶界势垒结构和电学性能的影响。采用扫描电镜(SEM)测试了不同烧结温度对TiO2陶瓷的显微结构;根据热电子发射理论,采用电学性能数据计算了不同烧结温度的晶界势垒结构;讨论了显微结构和势垒结构对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响。实验结果表明:烧结温度必须高于致密化的初始温度,但烧结温度过高会形成大量氧空位而在晶粒中形成气孔,影响显微结构的均匀性和致密性,较适合的烧结温度为1 350℃。随烧结温度的增加,TiO2压敏陶瓷的晶粒尺寸长大,Nb5 的固溶度增加,势垒高度与势垒宽度增加,压敏电压降低,而非线性系数和介电常数增加。 相似文献
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基于典型的陶瓷工艺制备试样。压敏陶瓷可视为双向导通的二极管,将适用于齐纳二极管的半导体理论应用于TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷。测量了低压下的电流-电压(I-V)特性,根据lnJs与E1/2关系曲线的拟合直线的的截距得出了TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷的势垒高度。 相似文献
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利用电容-电压关系研究了施主Nb掺杂BaTiO_3陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响,得出了样品在不同冷却速率下的晶界势垒高度和载流子浓度,其值与施主掺杂含量和样品的冷却速率相关,此结果可由在高、低施主掺杂含量下,晶粒边界处和晶粒体离子缺位的区别来解释。 相似文献
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为了改善TiO_2低压压敏陶瓷材料的非线性,本文通过添加少量的MnO_2。使其非线性系数有了明显地提高。并对其原因进行了合理分析。结果表明,MnO_2添加剂可提高材料的晶界势垒高度,从而提高了其非线性系数。 相似文献
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以TiO2为原材料,制备了具有压敏–电容复合功能的TiO2系压敏陶瓷材料。通过测试典型样品的V-I特性、D-f特性、电容特性及复阻抗频率谱,研究了不同掺Sr量的TiO2系压敏陶瓷材料的相关电学性质。实验结果表明,掺Sr量在强烈影响材料压敏性能的同时,对材料的电容特性也会产生较大影响。在掺Sr量为x (Sr)=0.6%时,样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为55 V/mm,a可达到5,1 kHz下损耗为0.1,相对介电常数可达2.8?05。 相似文献
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Ta2O5对TiO2基压敏陶瓷半导化的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
研究Ta2O5对(Sr,Bt,St,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着Ta2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bt2O3+SiO2)+0.1%Ta2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主Ta2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。 相似文献
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粉料埋烧的TiO2瓷致密性和微观规整性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
通过与裸烧工艺的对比实验,研究了粉料埋烧对TiO2陶瓷性能的影响.采用金相显微分析、密度测量、压敏电压测量和介电测量等实验手段,分析了埋烧的作用机理.结果表明,采取粉料埋烧有利于晶粒均匀生长、促使陶瓷致密(密度达4.112
g·cm-3)、降低压敏电压(E10mA=5.4 V·mm-1),同时提高了介电常数(εra=7.61×104).该研究结果为TiO2基低压压敏电阻器的研制探索出一条新途径. 相似文献
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