电子封装用金属基复合材料的研究现状

微电子技术的飞速发展也同时推动了新型封装材料的研究和开发。本文综述了电子封装用金属基复合材料的研究和发展状况,并以A1/SiCp为重点,分析对比了目前国内外的差距,提出了其未来的发展趋势及方向。     

电子封装用SiCp/Al复合材料的研究现状及展望

电子封装技术的快速发展对封装材料的性能提出了更为严格的要求。文章介绍了电子封装用SiCp/Al复合材料的研究现状和进展,讨论了其制备工艺和性能。文中着重介绍了空气气氛下的无压自浸渗制备方法,并进一步提出了SiCp/Al复合材料存在的主要问题以及今后的研究方向。     

电子封装中的铝碳化硅及其应用

随着电子封装技术的迅速发展,铝碳化硅AlSiC金属基复合材料成为高新封装技术的热门话题之一。AlSiC在电子封装中优势凸现,文章主要介绍AlSiC的性能特点、类型、制备方法以及在电子封装中的应用,并展望了这类封装材料的发展趋势。     

电子封装用低膨胀高导热SiCp/Al复合材料研究进展

随着微电子技术及半导体技术的快速发展,高封装密度对材料提出了更高的要求.SiCp/Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能,受到了广泛的关注.作为电子封装材料,SiCp/Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用.文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状,详细阐述并比较了几种常用的制备方法,包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等,进一步分析了各种方法的优缺点,并在此基础上展望了未来研究和发展的方向.     

电子封装用SiC_p／Cu复合材料制备与性能

采用挤压铸造方法制备了体积分数为55％、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp／Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律。显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率。复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大。     

电子封装材料用金刚石/铜复合材料的研究进展

电子技术的快速发展对封装材料的性能提出了更严格的要求.针对封装材料的发展趋势,金刚石/铜复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视.概述了金刚石/铜复合材料作为封装材料的优良性能及其制备工艺进展,并对其发展方向进行了展望.     

粉末冶金法制备AlSiC电子封装材料及性能

采用粉末冶金法制备了一定粒径分布的SiC颗粒体积分数不同的AlSiC电子封装复合材料。实验结果表明:材料微观组织致密,颗粒分布均匀。复合材料的平均热膨胀系数、热导率和弯曲强度都随SiC含量的增加而降低,抗弯断口以脆性断裂为主要断裂模式。     

电子封装用低膨胀高导热SiCp／A1复合材料研究进展

随着微电子技术及半导体技术的快速发展,高封装密度对材料提出了更高的要求。SiCP／Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能,受到了广泛的关注。作为电子封装材料,SiCP／Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用。文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状,详细阐述并比较了几种常用的制备方法,包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等,进一步分析了各种方法的优缺点,并在此基础上展望了未来研究和发展的方向。     

电子封装用环氧树脂基复合材料的优化

研究了593固化剂不同用量加入电子封装用环氧树脂E-51中的效果,以及在E-51,Al2O3复合材料中硅烷偶联剂不同用量的效果,结果显示:593固化剂与环氧树脂质量比为1:4时,复合材料的致密度高,气孔少,成型效果好;当硅烷偶联剂KH-560质量分数为8%时,复合材料的热导率达到0.75 W/(m·K).     

一种环保型电子封装用复合材料

采用挤压铸造专利技术制备了体积分数为65%高纯Si的环保型Sip/Al-Si20复合材料。试验结果表明:复合材料的铸态组织均匀、致密,没有明显的颗粒团聚和偏聚,也不存在微小的孔洞和明显的缺陷;Sip/Al-Si20是一种轻质(密度为2.4g/cm3)、低膨胀系数(7.77×10-6℃-1)、高热导率[156.34W/(m·℃)]复合材料,电导率为4.08MS/m,具有较高的比模量和比强度;Sip/Al-Si20复合材料可以进行镀Ni和封装焊接。     

Invar合金电子封装零件的制备及性能

研究了粉末注射成型技术生产Invar合金电子封装零件的工艺。设计一种新型蜡基多聚合物组元粘结剂,其组成:PW,PEG,LDPE,PP,SA的质量分数分别为50%,20%,15%,10%,5%。并依其差热分析结果制定了合理的脱脂工艺。在1350℃氢气烧结时,可制备出性能优良的PIM Invar合金电子封装零件,其致密度、抗拉强度、30~300℃温度内的平均热膨胀系数α30~300℃分别为98.5%、420MPa、4.5×10–6℃–1,其漏气率小于1.4×10–9Pa·m3·s–1。     

基于CS5530的计重计数电子秤的研究与设计

CS5530是美国半导体公司推出的一款SPI总线的24位A/D芯片,内置可编程放大器,集成度高,性价比优,在电子秤和其他仪器仪表行业具有广泛的应用前景,具有取代原有电子秤和仪器仪表行业中放大器＋A/D芯片电路的趋势,从电子秤中的应用介绍CS5530芯片的硬件电路、内部结构及软件编程.     

电子技术在线虚拟仿真实验教学项目建设研究

电子技术在线虚拟仿真实验教学项目建设依托电工电子国家级实验教学示范中心和电子信息技术国家级虚拟仿真实验教学中心,采用工程仿真软件进行复杂电子系统设计,解决高成本与不可及的实验难题。教学项目以工程实践内容为背景,对接行业应用,满足电子技术人才培养需要。文章对电子技术在线虚拟仿真实验教学项目建设进行研究。     

高回损指标的同轴封装接收组件的研制

文章较为详细地介绍了高回损同轴封装接收组件关于回波损耗指标的定义和指标要求,根据这些指标要求展开了分析,并提出了能达到指标要求的可插拔式接收组件（ROSA）的设计原理;同时介绍了武汉电信器件有限公司在这方面所做的工作以及样品的实验结果。研制样品的测试结果表明研制是成功的。     

基于B/S体系的电工电子网络虚拟实验室设计研究

为更好的解决电工电子领域网络虚拟实验室设计相关问题,提高电工电子网络虚拟实验室设计和应用水平,文章利用B/S（Browser/Server,浏览器/服务器模式）体系这一重要的管理信息系统平台模式,进行电工电子网络虚拟实验室设计。通过对B/S体系相关结构和应用优势的分析,探讨对基于B/S体系的电工电子网络虚拟实验室设计方法以及实现 B/S 结构的网络虚拟实验室的关键技术。得出基于B/S 体系设计网络虚拟实验室具有较高的可行性,以B/S 为基础进行网络虚拟实验室设计,可以有效激发虚拟实验室的应用潜能。通过掌握各种技术要点,可以更好的保证实验室的设计与实现。     

基于Multisim的电子线路分析与仿真

针对传统电子技术课程教学中存在的问题,提出在教学中引入Multisim进行辅助分析。利用Multisim对电子技术课程中的典型电路进行仿真,其各项结果与理论一致,且可以很方便地改变电路元件参数,观察不同条件下电路的工作情况。将虚拟实验和传统教学有机结合起来,能更好地提高学生的学习积极性和探索精神。     

电子科学与技术专业课程体系优化的研究

在掌握国内电子企业对人才需求及了解其他院校电子科学与技术专业课程设置的情况下，对电子科学与技术专业课程体系进行优化，加强数学、物理、电子技术等基础课，将微电子和光电子材料与器件、芯片设计、制造、封装、测试等课程列为专业基础，体现厚基础、增后劲、适应社会需求强的特点，为国内电子企业培养所需人才。     

模拟研究离焦量对7050铝合金Al/Ti熔覆过程的影响

针对7050铝合金表面激光熔覆Al/Ti复合粉体,建立了三维瞬态温度场有限元模型,模拟了不同离焦量条件下的熔池大小、温度梯度、冷却速度及形状控制因子.结果表明,熔池宽度与深度尺寸随着离焦量数值的增大先增大后减小,在离焦量为20 mm时熔池宽度与深度都出现了最大值.沿熔池深度方向(即Z向)的温度梯度数值最大,散热条件最好,表明熔覆凝固过程中的晶粒生长方向主要集中在Z向.离焦量为40 mm时的冷却速度最大、晶粒细小,离焦量为80 mm时的冷却速度最小、晶粒粗大,且得到实验验证.离焦量为60 mm时的形状控制因子最大,金相组织出现柱状晶;离焦量为80 mm时的形状控制因子最小,金相组织主要为胞状晶,并有相应的实验验证.