声子之间相互作用对表面磁极化子有效质量的影响

本文研究极性晶体中电子与表面光学（ＳＯ）声子耦合器，与体纵光学（ＬＯ）声子耦合弱的表面磁极化子的性质，采用线性组合算符和微扰法导出了极性晶体中表面磁极化子的有效哈密顿量。讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对表面磁极化子有效质量的影响。     

极性半导体中经由形变势的表面磁极化子的性质

采用改进了的线性组合算符和微扰法,研究极性半导体中电子与表面光学声子耦合强,与表面声学声子耦合弱的表面磁极化子的性质。讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对极性半导体中经由表变势的表面磁极化子的有效哈密顿量,频率,诱生势和有效质量的影响。     

稳恒磁场中极性晶体膜内电子—表面声子强耦合磁极化子的有效质量

采用Tokuda改进的线性组合算符、Lagrange乘子和变分法,讨论了磁场中极性晶体膜内电子－表面光学（SO）声子强耦合和电子－体纵光学（LO）声子弱耦合磁极化子的有效质量,得出了磁极化子的有效质量随膜厚的增加而先减小后增加,最后趋于一个稳定值,随磁场的增加而增加。     

CdF_2半导体中表面磁极化子的性质

本文讨论电子和表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱时对ＣｄＦ２半导体表面磁极化子性质的影响．采用线性组合算符法和微扰法导出了ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的有效哈密顿量．在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了对ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子性质的的影响．对ＣｄＦ２半导体进行数值计算,结果表明,ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的振动频率λ和诱生势Ｖｉｓ随坐标ｚ的增加而减小,随磁场Ｂ的增加而增加;诱生势Ｖｉｂ随坐标ｚ的增加而增加,但与外磁场Ｂ无关;有效势Ｖｅｆ随坐标ｚ和磁场Ｂ的增加     

声子之间相互作用和磁场对半导体量子点中束缚极化子性质的影响

研究声子之间相互作用和磁场对半导体量子点中束缚极化子性质的影响.采用线性组合算符和微扰法,导出了半导体量子点中束缚磁极化子的基态能量.在计算电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论了磁场、库仑束缚势、电子-声子耦合强度、量子点的有效受限长度和声子间相互作用对半导体量子点中束缚磁极化子基态能量的影响.数值计算结果表明,半导体量子点中束缚磁极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减少而迅速增大.当量子点的有效受限长度l0＞0.7时,必须考虑声子之间相互作用对半导体量子点中束缚磁极化子的基态能量的影响.     

声子之间相互作用和磁场对半导体量子点中束缚极化子性质的影响

研究声子之间相互作用和磁场对半导体量子点中束缚极化子性质的影响.采用线性组合算符和微扰法,导出了半导体量子点中束缚磁极化子的基态能量.在计算电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论了磁场、库仑束缚势、电子-声子耦合强度、量子点的有效受限长度和声子间相互作用对半导体量子点中束缚磁极化子基态能量的影响.数值计算结果表明,半导体量子点中束缚磁极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减少而迅速增大.当量子点的有效受限长度l0＞0.7时,必须考虑声子之间相互作用对半导体量子点中束缚磁极化子的基态能量的影响.     

声子之间相互作用和磁场对半导体量子点中束缚极化子性质的影响

研究声子之间相互作用和磁场对半导体量子点中束缚极化子性质的影响. 采用线性组合算符和微扰法，导出了半导体量子点中束缚磁极化子的基态能量. 在计算电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时，讨论了磁场、库仑束缚势、电子-声子耦合强度、量子点的有效受限长度和声子间相互作用对半导体量子点中束缚磁极化子基态能量的影响. 数值计算结果表明，半导体量子点中束缚磁极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减少而迅速增大. 当量子点的有效受限长度l₀＞0.7时，必须考虑声子之间相互作用对半导体量子点中束缚磁极化子的基态能量的影响.     

声子之间相互作用对磁场中表面极化子性质的影响

研究了在稳定磁场作用下极性晶体中表面电子与表面光学声子耦合弱的表面极化子性质，采用微扰法和线性组合算符法导出表面磁极化子的基态能量，讨论了反冲效应中不同波矢声子间相互作用对表面磁极化子基态能量的影响     

磁场中极性晶体膜内电子—表面声子强耦合对磁极化子自陷能的影响

本文采用线性组合算符法和变分法,研究了磁场中极性晶体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合系统的基态能量,得到了磁极化子自陷能随膜厚和磁场强度变化的规律,计算了不同支声子与电子相互作用对磁极化子自陷能的贡献以及随磁场的变化。     

半导体量子点中强耦合磁极化子的性质

采用线形组合算符和么正变换研究了磁场对半导体量子点中强耦合磁极化子基态的影响.结果表明,磁极化子束缚能、磁极化子振动频率随有效束缚强度增大而减小,随电子-体纵光学声子耦合强度增大而增大,随磁场强度增大而增大,即均由于半导体量子点的受限和磁场的增大而使量子点的极化加强,因此半导体量子点的极化是不容忽略的.     

散射相位函数的近似计算

用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟光在介质中的传输时，常常会面临散射相位函数的选取问题。本文对几种散射相位函数进行了分析和比较。不难发现，Ｃｏｒｎｅｔｔｅ等提出的近似公式是一个较佳的散射相位函数，但由这个公式不能直接得到散射角的表达式，我们在ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟中，了提出了三种散射相位函数的近似方法，尽管三咱方法都取得了较好的效果，但比较而言，在保证计算精度和计算效率的条件下，方法三是散射相位函数     

CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响

采用改进的 Huybrechts线性组合算符和变分方法 ,研究了半导体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合对极化子性质的影响 ,得到了极化子的有效质量和自陷能随膜厚的变化规律 .对 Cd F2 半导体 ,计算了不同支声子与电子的相互作用对极化子有效质量和自陷能的贡献     

声子之间相互作用对半导体量子点中磁极化子性质的影响

研究了半导体量子点中磁极化子的性质.采用线性组合算符和微扰法,导出了半导体量子点中磁极化子的基态能量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论了对半导体量子点中磁极化子的基态能量的影响.通过数值计算表明,半导体量子点中磁极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的增加而增加,对于弱磁场声子之间相互作用的影响不能忽略.     

自旋对晶体内弱耦合磁极化子性质的影响

本文采用线性组合算符和微扰法研究极性晶体中弱耦合磁极化子的性质。在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论电子的自旋对极性晶体中弱耦合磁极化子基态能量的影响。结果表明,在不同电子自旋状态下,磁极化子的基态能量Ｅ０随磁场Ｂ的增大而减小;电子自旋能量与Ｅ０之比随Ｂ的增加而增加。     

晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内表面磁极化子自陷能的影响

采用Huybrechts的线性组合算符法和变分法 ,研究了晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内电子与表面光学 (SO)声子强耦合、与体纵光学 (LO)声子弱耦合体系的影响 ,得到了作为距离晶体表面的深度、磁场和温度函数的表面磁极化子的自陷能 .对AgCl晶体进行了数值计算 ,结果表明 ,不同支声子与电子相互作用对表面磁极化子自陷能的贡献以及它们随距离晶体表面的深度、磁场和温度变化的情况大不相同 .     

温度对非对称量子点中强磁耦合极化子声子平均数的影响

采用Huybrechts线性组合算符法和LLP变分法,研究了温度对非对称抛物量子点中强耦合磁极化子声子平均数的影响。数值结果表明,非对称量子点中强耦合磁极化子的声子平均数随温度的升高而减小。另外,温度还对磁极化子的声子平均数随量子点的横向受限强度、纵向受限强度、外磁场的回旋频率和电子-声子耦合强度的变化产生显著影响.