He-Ne和CO2激光对灯盏花种子影响的研究

研究了He-Ne和CO2激光对灯盏花种子的影响。采用激光照射灯盏花种子,然后用紫外光谱和高效液相色谱(HPLC)分析种子的提取物。结果表明,激光照射能影响灯盏花种子中的化学成份,且短时间的照射比长时间照射要显著,CO2激光比He-Ne激光显著。种子中的灯盏乙素在用CO2激光照射0.5min的种子中含量高于其他条件。激光能影响灯盏花种子中的化学成份,因此对灯盏花的繁育生长能有所帮助。     

He-Ne激光照射白菜种子的生物学效应的研究

目的:用不同剂量的He-Ne激光照射萌发的白菜(Brassica pekinensis)种子,从而探讨激光照射后产生的各种生物学效应.方法:以不同时间的激光(O、0.5、1.0、1.5、2.0、2.5、3.0min)照射已萌发的白菜种子后,测定种子的发芽势和发芽率、幼苗的生长量.待幼苗生长20d时测定细胞内可溶性糖、叶绿素、蛋白质和核酸的含量.结果:随着照射时间延长,种子的发芽势、发芽率逐渐下降;当照射时间在2.0min内,可明显促进幼苗的生长;幼苗细胞中多种内含物(叶绿素、可溶性糖和蛋白质)的含量都显著增长.但是,当激光照射超过2.0min后,白菜幼苗的多种生理生化特征均有所下降.     

Nd:YVO_4激光辐照对绿豆幼苗生长影响的研究

用Nd:YVO4激光照射绿豆种子,对绿豆种子的照射时间设置为Os(CK),15s、25s、35s、45s、55s.试验结果表明Nd:YVO4激光照射绿豆种子,15s、25s、35s、45s对绿豆的发芽势、发芽率、株高有促进作用,25s、35s、45s对绿豆的胚根有促进作用.其中以Nd:YVO4激光照射绿豆种子45s时影响最明显,而55s激光照射处理对绿豆的发芽势、发芽率、株高有抑制作用.照射时间为15s,55s时胚根的生长受到抑制.     

激光处理小麦种子后的存放效应

近年来,国内外广泛开展应用激光照射作物种子和植株的研究,很多结果都证明:应用适宜的激光剂量处理种子,有提高种子的发芽率、刺激植株生长、促进发育、增加产量、改良品质的效果。由于激光能产生光效应、热效应、光压效应和电磁场效应,引起植物体的结构和化学组成发生改变,从而产生性状上的变异,为育种提供选择的原始材料。因此,激光作为一种能源,是育种的一个新方法。但应用激光处理种子后,存放时间的长短不同,是否会影响激光所产生的生物学效应,则研究较少。本文研究了激光处理种子后,不同存放期对种子发芽的初步影响。现将实验结果总结如下,供参考。     

Nd:YAG倍频激光对大豆幼苗异黄酮的影响

以大豆为实验材料,研究了波长为532 mm的Nd:YAG倍频激光不同功率密度和不同照射时间对大豆发芽率、幼苗平均株高、幼苗子叶及叶片异黄酮含量的影响.从光合效率和植物异黄酮合成代谢起始酶苯丙氨酸转氨酶(PAL)活性两方面探讨激光预处理大豆种子提高其幼苗异黄酮含量的机理.结果表明,大豆种子经激光预处理后,其幼苗可溶性糖、蔗糖、淀粉等光合同化产物及异黄酮合成代谢起始酶PAL活性均得到提高,其中以15 mW/mm2激光预处理大豆种子5 min的效果最佳.幼苗光合效率得到了提高,为异黄酮的大量积累提供了基础.     

低功率磁作用半导体激光照射对神经功能恢复的影响

目的 :探讨低功率磁作用半导体激光对家兔神经功能恢复的影响。方法 :用 5 6只体重 2 .5kg左右的家兔随机分为 3 ,6,9和 12周 4个观察期组 ,每个观察期组随机分为半导体激光照组 (各用家兔 5只 )、磁作用半导体激光照组 (各用家兔 5只 )和对照组 (各用家兔 4只 )。麻醉后 ,均切断左侧腓总神经 ,用 9 0尼龙单丝对端吻合神经外膜。各照射组在术后 1d开始照射家兔L5 ,6脊髓节段 ,照射激光输出功率为 2mW ,磁作用半导体激光照射采用在激光输出端安置强度为 5mT的恒磁场作用在激光上 ,每天照射 5min ,连续照射 7d。对照组不照射 ,均按期观察。结果 :术后 3周 ,各照射组看到细小而稀少的再生轴突 ,对照组直到术后 9周才看到 (P <0 .0 1) ,磁作用激光照射组优于激光照射组 (P <0 .0 5 ) ;各照射组的腓总神经潜伏速率和动作电位波幅均优于对照组 (P <0 .0 1) ,磁作用激光照射组优于激光照射组 (P <0 .0 5 )。展趾功能到术后 12周 ,磁作用激光照射组与侧健相同 ,激光照射组恢复到磁作用照射组 9周水平 ,对照组才恢复到磁作用半导体照射组近 6周的水平。结论 :低功率的磁半导体激光促进了脊髓运动神经细胞功能 ,加速了轴突再生。     

用激光促进种子的生长

蚕豆、萝卜、紫花苜蓿和南瓜种子经红宝石激光照射之后生长加快。美帝陆军医学研究实验室和加拿大格韦耳夫大学都在进行实验,比较被照射的种子和控制样品的生长情况。在一次实验中,被激光照射过的蚕豆样品在种植后第七天在土壤表面露出了芽子,而控制样品则在第九天。受照样品出现芽子与脉冲剂量有关,稍大的剂量使出现较早。当激光剂量增加时,完全发芽的时间缩短——控制样品发芽需时沉天,而一组受照射的种子仅需16天。但用紫花苜蓿作实验时发现,25焦耳/平方厘米的脉冲强度比50焦耳/平方厘米的更有效。     

不同波长激光照射小麦种子诱变效应的探讨

试验始于一九八五年,由山东海洋学院应用YAG脉冲染料激光器,照射小麦种子胚。小麦品种为原丰5号,激光波长及照射量分别为2660A 1次、3550A 1次、5300A 1次、5900A 1次、10600A 1次。每个处理照射100粒种子,按系谱法进行试验。研究结果表明:     

激光显微切割高等植物染色体

本实验室在激光显微照射动物细胞PTK_1和PTK_2有丝分裂染色体以诱发染色体局部区段失活或切断染色体取得成功的基础上,在国内首次尝试用激光切割植物细胞染色体。其目的为探索把激光显微照射用于染色体工程和基因定位的可能性。我们选用了蚕豆、小麦、大麦、玉米和小黑麦等多种农作物材料进行了本项实验。 染色体样品制备:选取饱满的种子浸泡在盛有自来水的烧杯中置于25℃条件下过夜。次日捞出种子放入铺有双层纱布的培养皿中水培(小麦、大麦等)或砂培(蚕豆、玉米等大粒种子),并置于25℃条件下保温培养。当胚根长到1.5-3厘米时,用水洗     

激光辐照水稻的生理生化基础研究——(Ⅱ)He-Ne激光辐照对水稻不同发育期同工酶的影响

为了探索激光辐照对同工酶的影响,以便进行激光作用机制的研究,为优良品种的选育提供一定的生理、生化数据和指标.我们采用He—Ne 激光辐照并以(60)~Co γ射线作参照,比较研究了各因子对水稻苗期生长和不同发育期同工酶的影响.材料和方法试验采用广陆矮四号水稻种子为材料,利用波长6328埃、输出功率20毫瓦、功率密度95.54焦尔/厘米~2的 He—Ne 激光器照射种子胚部10分钟。以及用30万伦(60)~Co γ射线,按强度179.4伦/分对种子进行照射.将种子     

组分变化对无铅低熔玻璃使用特性的影响

采用阿基米德排水法、热机械分析、失重法和扫描电镜法研究了V2O5-P2O5-Sb2O3-Bi2O3体系玻璃的密度、热膨胀系数和化学稳定性。结果表明:随着Sb2O3取代部分V2O5,玻璃的密度显著升高,膨胀系数略有增长,化学稳定性显著增强;随着Sb2O3取代部分P2O5,玻璃的密度显著升高,膨胀系数下降,化学稳定性增强;随着P2O5取代部分V2O5,玻璃的密度略有下降,膨胀系数增长较大,化学稳定性增强。90%的样品的密度、膨胀系数和化学稳定性都能满足使用要求。这是由于Sb2O3和P2O5取代V2O5进入钒酸盐玻璃中,玻璃结构由层状转化为立体交联结构,玻璃结构得到增强的结果。     

LTCC材料介电性能的影响研究

文章研究了La2O3-B2O3和SiO2作为添加剂对钙硼硅系LTCC材料的烧结和介电性能的影响。实验结果表明,La2O3-B2O3添加剂促进了CaSiO3的析晶,从而极大增强了钙硼硅玻璃陶瓷的抗弯强度。Si用于调节样品的收缩率以满足实际生产要求。CaO-B2O3-SiO2-6wt%La2O3-B2O3-7wt%Si样品性能较好：εr=6.13,tanδ=12.34×10-4（10 GHz）,弯曲强度σf≥160 MPa,收缩率为14.9%。     

掺杂改善SnO_2甲醛气敏元件灵敏度特性的研究

用纳米SnO2制作了旁热式气敏元件。用掺杂方法提高SnO2甲醛气敏元件的灵敏度,掺杂剂包括Pd,Sb,Ti,Zr,Cu,Ag,Mn等。在SnO2气敏元件中分别掺杂质量分数2%Pd和2%Zr对提高元件灵敏度有显著效果。未掺杂SnO2、掺杂质量分数2%Pd和2%Zr的气敏元件对体积分数为5×10-5甲醛的灵敏度分别为1.33,2.38,2.08,但是掺杂在改善元件对乙醇的选择性方面作用不大。分析了掺杂改善SnO2气敏元件灵敏度的原理,当SnO2表面吸附还原性气体时,吸附气体提供电子,使半导体表层的导电电子数增加,引起电导率增加、电阻下降。吸附气体浓度越高,电阻率变化越大,元件灵敏度越大。     

锰(Ⅱ)化合物对二氧化锰结构及电化学性能的影响

采用氧化还原水热法合成二氧化锰。研究了在氧化剂及反应温度等条件相同的情况下,不同反应时间和还原剂对二氧化锰晶型及电化学性能的影响。通过对产物进行XRD分析发现,还原剂为MnSO4时,仅生成单相α-MnO2;而在Mn(NO3)2和MnCl2溶液中,随着反应时间由2～24 h增加到48 h,产物由含有γ-MnO2的α-MnO2转变为单相β-MnO2。对反应时间为12 h生成的二氧化锰进行了循环充放电测试。结果显示,在Mn(NO3)2和MnCl2溶液中生成的含有γ-MnO2的α-MnO2,其初次放电容量分别为203和186.3 mA.h/g,均比在MnSO4溶液中生成的单相α-MnO2的容量140 mA.h/g高;7次循环充放电后,在Mn(NO3)2,MnCl2和MnSO4溶液中生成的MnO2的容量分别保持在初次放电容量的51%,54%和49%。     

硅片背面铜污染的清洗

H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。     

现多重周期序列联合2-adic复杂度的稳定性

该文首次提出了联合k-错2-adic复杂度的概念,并与联合k-错2-adic复杂度一齐作为衡量多重周期序列联合2-adic复杂度稳定性的指标。随后分别研究了两种联合错2-adic复杂度意义下的序列计数问题以及满足2N-1=p,p1p2的周期为N的m重序列联合错2-adic复杂度数学期望的下界并说明了不存在2N-1=pe(e1),的情况。该文的结果对于研究多重周期序列联合2-adic复杂度的稳定性有重要意义。     

量子突发纠错乘积码的构造

量子突发纠错码是以CSS量子码的纠错原理和构造技术为基础,在量子计算和量子通信中有着十分重要的作用。首次利用GF(q)上的任意线性码C1=〖JB([〗n,k1,d1q和满足对偶包含关系的BCH码C2=〖JB([〗n,k2,d2q,来构造乘积码C1C2和(C1C2)⊥,当满足n2>2k1k2时,在CSS构造的基础上便可构造参数为[[n2,n2－n]]的量子突发纠错乘积码,并给出其突发纠错能力。     

氢与氧及氮钝化对多孔硅光致发光的影响

对多孔硅在NH3和O2中进行后处理的结果表明,SiH(O3),SiH(SiO2）,SiH2(O2),Si(NH)2和Si3N4结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高的原因。     

Li~+替代Bi~(3+)对BZN陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备了Bi2-xLix(Zn1/3Nb2/3)O7陶瓷,研究了Li+部分替代Bi3+对陶瓷相结构和介电性能的影响。结果表明:当替代量0相似文献   

掺杂对低压ZnO压敏陶瓷材料显微结构及性能的影响

本文探讨了多种金属氧化物对ＺｎＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－ＴｉＯ＿２系材料的改性作用和对其微结构的影响，为得到预定性能的材料提供了掺杂方面的实验依据。