电子镇流器驱动器电路BL8305A

<正> 上海贝岭公司最近推出的电子镇流器专用控制/驱动器芯片 BL8305A 是BL8301的升级产品。与 BL8301相比,BL8305A 的功能进一步得到提升。众所周知,目前国外所有电子镇流器控制器IC 都是为驱动功率 MOSFET(或 IGBT)而设计的。BL8305A 成功解决了 MOS-FET 与双极型开关晶体管驱动的兼容性问题,它既可以驱动半桥配置中的两个功率 MOSFET,也可以用作驱动两只高/低端双极型功率晶体管。     

1200V三相逆变器IGBT驱动器TD350

TD350是意法半导体公司生产的一种先进的带有控制和保护功能的绝缘栅双极晶体管（IGBT）或功率MOSFET驱动器,它尤其适于驱动三相逆变器中额定电流为15-75A的1200V的IGBT,覆盖功率应用范围从0．5kW到100kW以上。     

恩智浦GreenChiP为上网本适配器带来更高能效

IR推出采用焊前金属（SFM）的1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT）AUIRG7CH80K6B—M，适用于电动汽车（EV）、混合电动汽车（HEV）和中功率驱动器中的高电流、高电压汽车逆变器模块。     

绝缘栅双极型晶体管的研究进展

作为一种新型的功率半导体器件,绝缘栅双极型晶体管（IGBT）以其优越的性能,成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件,被广泛应用于智能电网、新能源、高速铁路、工业控制、汽车电子、家电产品、消费电子等领域。概述了IGBT的演变历程以及主要技术发展,同时对我国IGBT的发展现状进行了分析。     

赛米控和LS产电开展合作——两家公司结合各自的专长为全球工业驱动器和消费电器提供最先进的电力电子解决方案

首尔，2007年10月19日——全球领先的二极管／可控硅功率模块制造商和功率模块封装的专业厂商赛米控公司和产业自动化器械的领头企业韩国LS产电（原LG产电）联手为工业驱动器和消费市场开发和提供电力电子解决方案。两家公司已签署了一项谅解备忘录，将结合各自的专长提供基于赛米控MiniSKiiP IGBT平台的LSIS集成功率模块。     

面向高铁、HVDC等应用的4500V IGBT驱动器

这款专门针对高功率模块的全新绝缘栅双极晶体管（IGBT）栅极驱动器工作电压为4500V,额定电流从400A至1200A,它专为支持包括ABB、Dynex、日立、英飞凌和三菱等制造商的模块产品而设计。     

国际新闻

日立SJ700驱动器提供近似伺服性能 日立旗下的Silverteam公司（即日立驱动及自动化英国区分公司）最近推出一款新型驱动器—SJ700。SJ700是日立驱动产品线中第一款内建可编程功能（EzSQ）的现货供应型号,其核心基于IGBT（绝缘栅双极型晶体管）栈。该产品还采用了最新的专利开关电源技术,以减少dv/dt。     

双极-MOS功率半导体器件概述

本文描述双极-MOS(BiMOS)功率半导体器件的基本结构和特性。重点介绍新型电力电子器件IGBT和MCT。并对双极晶体管、VDMOS和IGBT的性能进行了比较。     

IGBT设计与制程技术的发展

引言 自绝缘闸双极型晶体管（IGBT）于上世纪80年代面世以来,一直成为中等功率应用中最常用的部件“1,2”。IGBT兼具金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）的高输入阻抗,以及双极结型晶体管（bipolar junction transistor．BJT）的载流能力,可简化闸极驱动要求,同时增强导通状态性能“3”。     

国内外大功率晶体管发展动态

本文所指的大功率晶体管是指普通型双极大功率晶体管。包括低频大功率晶体管、功率开关晶体管、高反压晶体管和功率达林顿晶体管四部分。功率场效应晶体管VDMOS、功率晶体管模块GTR、绝缘栅晶体管IGBT、静电感应晶体管SIT、静电感应晶闸管SITH及