新款iPhone下半年出货900万支激励NAND Flash市场

苹果电脑（Apple）正式宣布新款iPhone 3GS上市的时间以及升级版规格，研究机构集邦科技（DRAMeXchane）估计，下半年iPhone 3GS出货量约在900万支以上，使用储存型闪存（NAND Flash）的数量为162MGB．预期上市效应对第三季的NAND Flash市场将带来激励作用。     

05年医疗芯片市场超20亿美元，年复合增长11％

市场调查机构iSuppli报告显示，2005年第二季（Q2）全球NAND型快闪存（Flash）市场产值达到22．72亿美元，比Ql增长10．3％，更比2004年Q2增长46．2％，前7大供应商分别为三星电子Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）、现代（Hynix）、瑞萨（Renesas）、意法半导体（STM）、英飞凌（Infineon）与美光（Micron），囊括Q2全球NAND型Flash市场占有率．     

NAND Flash品牌厂商公布去年第四季暨全年营收排名

NAND Flash（闪存厂商）去年营收出炉，三星（Samsung）以46．14亿美元，市占率为40．4％，蝉联第一宝座，集邦科技（DRAMeXchange）表示，观察2007年与2008年NAND Flash品牌市场变化，2007年品牌厂商全年营收约为133.68亿美元，2008年则为144.18亿美元，年营收下跌14.6%，     

内建智能纠错的新型闪存

ClearNAND通过在同一个NAND封装内整合错误管理技术，解决了NAND在传统上面临的由工艺微缩方面所带来的问题。ClearNAND采用传统的NAND接口，且为高容量和高性能应用进行了专门优化。ClearNAND产品率先采用25nm多层单元（MLC）工艺，提供两种版本产品：标准型和增强型ClearNAND。     

NAND Flash品牌厂商第三季营收排名

研究机构集邦科技（DRAMeXchange）表示,NANDFlash品牌供货商在电子系统客户第四季旺季长单回温效应的带动下,第三季NAND Flash平均销售价格（ASP）较第二季小涨约4%,整体NAND Flash出货量则较第二季增加约17％，因此今年第三季NANDFlash品牌厂商营收都较上一季增长．     

Micron推出创新闪存装置 延长NAND闪存生命周期

美光科技（Micron）近日宣布推出高容量闪存产品组合,其将在未来延长数年NAND产品的生命周期。通过在同一个NAND封装内整合错误管理技术,新的Micron ClearNAND装置解决了NAND在传统上面临的由工艺微缩方面所带来的问题。     

9月下旬主流MLC NAND Flash合约均价小幅上涨1％到3％

研究机构集邦科技（DRAMeXchange）表示．9月下旬主流MLC NAND Flash合约均价小幅上涨约1％到3%．由于多数NAND Flash供货商在9月到10月实行优先供货给电子系统厂客户的长期订单．而无法满足记忆卡以及UFD客户在中国十一长假的短单需求．因此9月下句NAND Flash合约价呈现部份上涨及部份持平的状况。     

ONFI联盟正式成立 NAND闪存接口规格有望统一

据台湾媒体报导，半导体业龙头英特尔日前正式成立ONFI（Open NAND Flash Interface）联盟，计划推出统一的NAND型闪存接口规格，这一接口规格预计于第二季完成。ONFI首批创始成员包括英特尔、海力士（Hynix）、美光（Micron）、Sony以及中国台湾地区的群联共五家厂商。     

大容量 NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系统中的应用

随着嵌入式系统产品的发展，对存储设备的要求也日益增强。文章以东芝的NAND E^2PROM器件TC58DVG02A1F00为例，阐述了NAND Flash的基本结构和使用方法，对比了NAND和NOR Flash的异同，介绍了大容量NAND Flash在嵌入式系统中的应用方法，以及如何在Linux操作系统中加入对NAND Flash的支持。     

U-Boot从NAND Flash启动的实现

U-Boot不能从NAND Flash启动给应用带来些不便,因此修改U-Boot使其支持从NAND Flash启动.分析了U-Boot启动流程的两个阶段及实现从NAND Flash启动的原理和思路,并根据NAND Flash的物理结构和存储特点,增加U-Boot对NAND Flash的操作支持,从而完成把存储在NAND Flash上的U-Boot代码复制到SDRAM中执行,实现从NAND Flash的启动.修改过后的U-Boot可以直接从NAND Flash启动,给应用带来便利.     

英特尔美光量产34nm NAND闪存

英特尔和美光日前开始量产双方联合开发的34nm 32G MLC NAND Flash。双方的合资公司IM Flash表示,明年将开始试产34nm低密度MLC（multi-level cell）和SLC（Single-level cell）产品。该公司称34nm NAND flash量产提前开始,今年年底预计Lehi工厂将有50%的产能转向34nm。     

NAND Flash品牌厂商2Q11营收排行分析

根据集邦科技（Trend Force）旗下研究机构DRAMeXchange调查,2Q11初期NAND Flash市场受到3月初Apple发表iPad2的新产品上市效应,及3月中日本大地震带来缺料预期心理影响下,NAND Flash价格曾经出现急涨,但2Q11中后期NAND Flash市场在2Q淡季效应、平板计算机出货不如预期、欧债风波、2H11全球经济复苏的不确定风险、2Q季底效应等综合因素的干扰下,     

Macbook Air引领NAND Flash Storage新潮流

根据集邦科技（Trendforce Corp.）旗下研究机构DRAMeXchange表示,固态硬盘（Solid State Drive）一直为Flash厂商所寄予厚望的产品,主要是单一固态硬盘的NAND Flash消耗量是随身碟的数倍之多,     

大容量NAND Flash K9T1G08UOM在网络存储中的应用

针对嵌入式系统对存储的需求，提出了基于大容量NAND Flash的存储方案。简要介绍NAND Flash器件K9T1G08UOM及其编程特点，并讨论了网络存储应用的存储策略和数据可靠性方面的考虑，设计并实现了网络数据流的NAND Flash存储。     

NAND FLASH在WINCE.NET系统中的应用设计

提出了一种NAND Flash在WINCE．net系统中的应用方案设计。首先介绍了NAND Flash原理及与NOR Flash的区别。接着介绍了系统硬件设计方案和WINCE系统下NAND Flash驱动的设计与实现。并且详细描述了如何调整处理器存储控制器的寄存器来控制NANDFlash的读写时序，以达到对其读写速度进行优化的目的。经过优化后系统读取NAND Flash的平均速度可以达到约1．3Mbyte／s，写入速度可以达到约0．8Mbyte／s。此驱动通过了微软的测试工具CETK的测试，在实际的系统环境中运行稳定。     

NAND Flash与AT91RM9200的接口设计

以三星公司的与非型闪存(NAND Flash)器件K9K8G08U0A为例,介绍了NAND Flash的存储结构和接口信号以及AT91RM9200对NAND Flash的接口支持,分析了NAND Flash两种接口方式的优缺点,阐述了AT91RM9200对NAND Flash的初始化过程,重点以表格形式说明了接口时序的设计,最后对坏块的概念和ECC校验算法原理做了简单的介绍。NAND Flash的复用I/O接口为更新更高密度的器件提供了相同的引线,使得系统的扩展性大大提高。     

一种NAND Flash动态坏块管理算法的设计与实现

文章针对NAND Flash在大容量数据存储时对可靠性的要求,提出一种基于逻辑一物理块地址映射表的大容量NAND Flash动态坏块管理算法。该方法可彻底屏蔽对坏块的操作,实现对NAND Flash的有效存储,具有较高的实际应用价值。     

三星计划今秋量产8Gb NAND型Flash

日本产业经济新闻日前引述国外媒体报导指出，NAND型Flash大厂韩国三星电子半导体事业相关人员日前指出，在工艺技术持续不断提升及各厂积极扩增产能的带动下，未来NAND型Flash价格将呈现持续下滑的状况，而且每年价格跌幅度恐将挑战40％。三星电子除了注意价格效应外，同时还计划将于2005年秋季前量产8Gb NAND型Flash，期望以更佳的技术降低生产成本，快速拉大与市场竞争者的距离，续保竞争力。     

NAND Flash供货商预期合约价续扬至3·5美元以上

从3月中下旬起，NAND Flash（储存型闪存）16GB MLC现货市场价格持续走扬，研究机构集邦科技（DRAMeXchange）表示．由于大厂逐渐淘汰产能、第二季高容量颗粒供货提升，供货商希望未来合约价能调涨美金3．5元以上。     

Windows CE环境下大页面NAND Flash存储系统实现

介绍了大页面NAND Flash器件的结构和特点,以及Windows CE操作系统环境下与NAND Flash相关的软件结构,给出了Windows CE环境下大页面NAND Flash存储系统设计实例,并提出了一种对FAT文件系统进行改造的技术方案.