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磷化铟单晶作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于光电器件.衬底外延生长和电子器件制备要求磷化铟晶片表面具有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需对磷化铟晶片表面进行抛光加工,其表面质量决定了后续的外延层质量并最终影响磷化铟基器件的性能.综述了磷化铟晶体化学机械抛光(CMP)技术进展;介绍了磷化铟表面的化学反应原理、CMP去除机理;详细分析了磷化铟抛光液组分及pH值、抛光工艺参数(抛光压力、抛光盘转速、抛光垫特性、磨料种类、粒径及浓度)等对磷化铟抛光质量的影响;介绍了磷化铟抛光片的清洗工艺,并对磷化铟CMP的后续研究方向提出一些建议. 相似文献
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本文对功能半导体材料硅、砷化镓、磷化铟材料、硅基和Ⅲ-Ⅴ族基的超晶格量子阱及其新型功能材料(超导、金刚石、多孔硅等)进行介绍分析,提出发展建议和措施。 相似文献
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利用X射线双晶衍射(XRD)技术研究了原生及退火处理后的磷化铟单晶的晶格完整性. 原生磷化铟单晶中由于存在着大量的位错和高的残留热应力,导致晶格产生很大的畸变,表现为XRD半峰宽的值较高并且分布不均匀,甚至有些原生的磷化铟单晶片出现XRD双峰等. 通过降低晶体生长过程的温度梯度,降低位错密度并减小晶体中的残留热应力可以提高晶体的完整性. 利用高温退火处理也可有效地降低磷化铟晶体中的残留热应力. 对磷化铟晶体生长过程中熔体的配比、掺杂浓度等条件对结构完整性的影响进行了分析. 相似文献
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AWG器件是目前光通信元器件中重要的研究课题,而材料是决定AWG性能的基础。本文主要分析了硅基材料、聚合物和磷化铟基等材料在AWG制作技术中的材料特性与应用特点,同时展示了AWG在光通信领域中的应用前景。 相似文献
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Zhao Youwen 《微纳电子技术》1994,(2)
介绍了近几年磷化铟合成及其单晶生长的进展情况。对提高晶体成晶率、降低缺陷密度、改善晶体的热稳定性等新工艺、新技术进行了分析比较,并论述了磷化铟单晶生长技术的发展趋势及其应用前景。 相似文献
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Alix L.Paultre 《今日电子》2006,(12):29-29
采用标准的硅加工工艺,Intel公司和加州大学的研究人员开发出了一种新技术。该技术能在单芯片中结合磷化铟的光发射能力和硅的光路由能力,从而产生一个全新的混合硅激光器。为了能扩展对光子的应用,这项技术着重解决了生产低成本、高带宽的光电子器件的主要障碍。基于可用在晶圆、部分晶圆和模级别的结合方法,该技术能使磷化铟中的发光原型融入硅波导管中,从而产生能驱动其他硅光子器件的连续激光束。整个工艺使用了低温氧等离子体来在所有材料上创建一个相当于25个原子厚的氧化层。 相似文献