应用于硅基等离子天线的LPIN二极管的自加热效应

介绍了LPIN二极管及其在硅基等离子天线方面的应用,从理论上分析了LPIN二极管自加热效应及其对本征区载流子浓度的影响.仿真分析了不同SOI埋层材料对LPIN二极管本征区载流子浓度的影响.仿真结果显示,LPIN二极管的自加热效应会降低其本征区载流子浓度,通过改变埋层的材料,增加埋层的热导率,可以减弱自加热效应,从而增加本征区载流子浓度,提高硅基等离子天线效率.     

基于PIN二极管加载的机载相控阵天线RCS缩减

现代飞机未来要实现射频隐身性能的最大化,就要求机载雷达的开机时间越来越短,这就为机载雷达不开机期间,相控阵天线的低RCS 隐身设计提供了可能。在天线非工作时段,加载PIN 二极管有效地减小了微带天线的RCS。PIN 二极管在正向偏置和反向偏置状态下可分别等效为电阻和电容。针对不同入射状态的平面波,依据天线感应电场分布确定PIN二极管的偏置状态,并对正向偏置状态的PIN二极管的等效电阻值进行优化,实现天线RCS的缩减。仿真计算结果表明,在天线非工作时段,优化PIN二极管的工作状态,可以实现当前情况(入射方向、频率)下天线RCS 的缩减,且RCS缩减最大可超过25 dBsm;同时又可保证天线在工作时段的辐射性能不受影响。     

微波PIN二极管倍频器研究

用理想的开关模型对反向并联PIN二极管对的输出频谱和倍频损耗进行分析,与混频二极管倍频器和变容二极管倍频器进行了比较,分析了PIN二极管的倍频机理。对微波PIN二极管倍频器进行了实验研究,得出了有益的结论。研制的S波段和C波段五倍频器倍频损耗分别达到15.4 dB和10.6 dB,而S波段的倍频源相位噪声达到—136 dBc/Hz@10 kHz,具有低噪声性能。     

PIN二极管用硅外延材料

介绍了研制适用于大功率PIN二极管的硅外延材料的工艺过程,采用CVD化学气相外延生长技术,对硅源流量与掺杂剂浓度的精确控制,实现了快速外延生长和高浓度掺杂.通过大量实验,利用4.0 μm/min的生长速率得到了掺杂浓度为2.0×1019 cm-3的超高浓度的掺杂外延层,其外延层表面光亮,满足了PIN二极管的使用要求.     

PIN二极管的研究进展

制备PIN二极管的几种方法：扩散法、离子注入法、外延法和键合法。用各种方法制备PIN二极管的工艺过程。分析了各种方法的优缺点,着重比较了键合与外延方法制备PIN二极管。结果表明键合工艺制备PIN二极管不仅制造成本低,工艺简单,而且界面缺陷少,反向击穿电压高。所以用键合工艺制备PIN二极管可能成为未来主流制造技术。     

兆瓦级微波雷达用硅PIN管保护器

开发硅ＰＩＮ管用作微波保护器与充气Ｔ－Ｒ管相比,就可靠性而言具有更大的前景。不管是在强大的微波功率脉冲,或是在加上直流偏置的情况下,通过电导率调制,该器件就能实现降Ⅰ层电阻的开关功能。本文理论分析入手,以方程式表示了Ⅰ层电阻是激励信号（直流偏置或微波功率）变化的函数。就直流或微波功率对Ⅰ层实施调制的相对有效性进行了推算。例如：１００毫安直流偏置约可产生相当于１千兆周时１００千瓦微波功率的入射载流子     

基于PERL技术的硅基PIN光电二极管的设计与仿真

缺乏高质量的硅光电接受器件一直制约着全硅光电子回路的发展。分析讨论了PERL太阳能电池的高效光电特性技术,并将其应用于硅光电二极管,设计了一种高响应度,高截止频率的硅基PIN光电二极管的器件结构,说明了该结构的技术特点与制备工艺。使用SUPREM-IV仿真器对该器件进行了模拟仿真,讨论了I层的长度与厚度对器件性能的影响。     

PIN二极管少子寿命测试方法

少子寿命是PIN二极管的重要参数。对二极管的正向导通压降和开关时间有重要影响。本文介绍了常用的测量低掺杂区少子寿命的方法,包括阶越反向恢复法、线性反向恢复法、储存电荷法、开路电压衰减法(OCVD)和射频测试法,并指出了各种方法的优点和不足。重点介绍了阶越反向恢复法和线性反向恢复法,对实际的测试过程具有一定的指导作用。     

一种小型化高功率微波PIN二极管

通过精确控制扩散工艺和台面腐蚀工艺研制了一种小型化的高功率微波二极管.对耐微波大功率的设计、低温铅玻璃钝化、多层金属化电极系统、台面腐蚀等先进工艺技术进行了研究,样品具有耐功率大、正向电阻小、反向恢复时间短、结电容小等优点,可广泛应用于微波电调衰减器和开关等微波电路中.     

基于PIN 二极管的微带天线RCS 缩减

本文通过PIN 二极管加载方案实现了矩形微带天线在低RCS 状态和最佳辐射状态之间的转换。提出了一种简单 的加载电路,在每一加载位置处,电路加载于贴片和接地板之间。根据辐射贴片下感应电场的幅度分布,提取出最大感 应电场出现的区域和随频率变化是最大场强出现的次数,确定二极管加载位置。在分析过程中,PIN 二极管采用正偏电 阻反偏电容等效模型。研究表明,天线不工作时在较大的角向空域内可以实现明显的RCS 缩减,而天线工作时辐射性能 保持良好。     

一种新型的波导缝隙频率可重构天线的研究与设计

设计了一种基于硅基等离子体的波导缝隙频率可重构天线.首先对横向PIN二极管进行了介绍,并以横向PIN二极管为基础提出了一种双横向PIN二极管结构,叙述了双横向PIN二极管的工作原理.其次,结合双横向PIN二极管和波导缝隙天线,提出了一种新型的波导缝隙频率可重构天线,并对天线进行建模与仿真,仿真结果表明:该天线实现了103.5、104和104.5 GHz的频率可重构.     

微波激励PIN二极管的时频响应研究

利用一种PIN二极管子电路模型,分析微波激励下的I区电导调制机理,通过ADS软件瞬态、谐波仿真,研究Ⅰ层厚度w和少数载流子寿命τ对PIN二极管时频响应的影响。结果表明,对于同一微波激励,w越大,尖峰泄漏功率越大,导通时隔离度越小;τ越大,尖峰泄漏脉宽越小,导通时隔离度越大。仿真结果与理论分析相符。     

左/右旋圆极化可重构微带天线

设计了一种左/右旋圆极化可重构的微带天线。在矩形微带贴片的两条边上增加枝节,贴片与枝节通过PIN 二极管开关连接,通过控制PIN 二极管的通断来改变正交模式的相位差,使天线在同一个馈电点上可实现左旋圆极化（LHCP）和右旋圆极化（RHCP）的重构。该天线在（2800±10）MHz 的频率范围内驻波比小于2,轴比小于3dB。仿真结果与测试结果均验证了该方案的可行性。     

大功率微波PIN开关谐波对消技术研究

针对大功率微波PIN 开关产生谐波问题,提出了一种谐波对消PIN 开关电路,通过一个反向并联PIN管对二次谐波进行对消抑制。在谐波对消原理分析基础上研制了谐波对消PIN 开关试验电路,实测在工作频率1-1.2 GHz,输入功率45 dBm 以下范围内,二次谐波小于-63.5 dBc,比无谐波对消的PIN开关的二次谐波减小14 dB以上,有效抑制了大功率PIN开关产生的二次谐波。     

SOI横向二极管击穿特性分析

对硅片直接键合方法制作的 SOI横向二极管的击穿特性在不同条件下进行了测量 ,通过计算机模拟分析了击穿机理 ,从器件的几何尺寸和衬底偏置电压方面 ,提出了提高击穿电压的途径。     

Reconfigurable Ground‐Slotted Patch Antenna Using PIN Diode Switching

This letter presents a reconfigurable ground‐slotted patch antenna using a PIN diode connection in slots to achieve dual‐frequency operation. Slots in the ground plane increase the electrical length and thereby reduce antenna size by 53%. By controlling PIN diode conduction, we achieved band hopping while still satisfying the bandwidth requirements for K‐PCS and WiBro bands.