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相似文献
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1.
研究了一种新型的GaAs基压阻式共振隧穿微加速度计结构.该微加速度计的压敏元件采用AlAs/In0.1Gao.9As双势垒共振隧穿纳米薄膜结构.加速度计的压敏元件和悬臂梁的加工分别利用空气桥工艺和控制孔工艺.对加工出来的加速度计结构进行振动台实验,初步测得传感器的灵敏度为7.6 mV/g,线性度为0.16%.  相似文献   

2.
研究了一种新型的GaAs基压阻式共振隧穿微加速度计结构。该微加速度计的压敏元件采用AlAs/In0.1Ga0.9As双势垒共振隧穿纳米薄膜结构。加速度计的压敏元件和悬臂梁的加工分别利用空气桥工艺和控制孔工艺。对加工出来的加速度计结构进行振动台实验,初步测得传感器的灵敏度为7.6mV/g,线性度为0.16%。  相似文献   

3.
基于GaAs材料和器件的制造工艺,介绍了纳米膜隧穿器件和微陀螺的结构设计方法和工艺加工方法。阐述了基于纳米膜隧穿效应微陀螺的工作原理,对纳米膜隧穿器件和微陀螺的结构进行了设计,分析了微陀螺的模态频率设计和匹配仿真。采用反应离子刻蚀(RIE)刻蚀和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀方法分别对隧穿器件和微陀螺结构进行了加工,利用扫描电镜观测,加工结果较好。利用冲击信号测试了微陀螺的频率响应,讨论了微陀螺的模态频率测试结果和匹配情况,证明微陀螺在驱动方向和检测方向上能够工作且模态频率匹配程度较好。实验结果表明,提出的GaAs材料微陀螺结构设计方法和工艺加工方法是可行的,能够应用于GaAs基微陀螺结构设计与制造。  相似文献   

4.
水平式隧穿磁强计表头的制作   总被引:1,自引:0,他引:1  
水平式隧穿磁强计是一种新型隧穿磁强计,其特点是反映磁场变化的洛伦兹力与敏感元件在同一水平面内。该文介绍了这种隧穿磁强计的工作原理,分析了与垂直式隧穿磁强计的区别。给出了表头的加工版图、加工工艺及相应的工艺简图,分析了工艺难点。介绍了按此工艺研制的两种表头:一为直梁式,其加工相对容易、可靠性高;另一种为折叠梁式,其弹性好,位移灵敏度高。SEM照片显示:结构平整、无毛刺。两种结构的表头均进行了封装。  相似文献   

5.
首先介绍了共振隧穿理论和一种新效应--介观压阻效应,对AlxGa1-xAs/GaAl/AlxGa1-xAs共振隧穿双势垒结构的轴向施加压应变作了分析,然后计算了轴向应变对垒宽和垒高的影响,对透射系数和隧穿电流用Matlab作了仿真.发现压应变可以使隧穿电流线性增加,偏压不同电流增加的速率也不同,为设计共振隧穿器件提供了理论依据.  相似文献   

6.
对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.  相似文献   

7.
对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.  相似文献   

8.
对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论. 采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.  相似文献   

9.
共振隧穿二极管(RTD)的物理模型——共振隧穿器件讲座(3)   总被引:2,自引:1,他引:1  
介绍了共振隧穿二极管物理模型的量子力学基础,重点讲解共振隧穿两种物理模型,从不同维度隧穿的特点分析共振隧穿和非共振隧穿的区别,为以后讨论分析共振隧穿器件的特性奠定基础。  相似文献   

10.
介绍了一种新型的非制冷高灵敏度硅微机械电子隧穿红外探测器的工作原理 ,详细描述了这种红外探测器的设计思想和制作工艺 ,采用微机械体硅加工的三层硅结构制作出探测器原理样品 ,通过和反馈电路 (包括前置放大电路 )连接测试表明 :电子隧穿位移传感器部分的分辨率可达 10 -4 nm/ Hz,红外探测器样品已能敏感红外信号。  相似文献   

11.
Resonant tunneling is observed in double barrier resonant tunneling diodes (RTDs) with semi-metallic ErAs quantum wells. Magnetic field dependence distinguishes two different resonant channels. From the thickness dependence of the voltage for resonant tunneling the dispersion of the channels is found to be hole-like. The dispersion agrees well with the theory that identifies the two channels with mj = ±1/2 and mj = ±3/2, hole states.  相似文献   

12.
文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点,论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展。概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算。重点介绍了电子通过半导体双势垒结构产生隧穿现象的研究进展,即电子通过双势垒结构横纵波矢的耦合行为与共振准能级及共振准能级寿命的解析计算。  相似文献   

13.
已研制成了肖特基栅共振隧穿晶体管,在双势垒结构上蒸发铂金形成栅。通过调制准二维电子积累层的面积进而达到控制隧穿电流的目的。并对发射极正反接电压不同而出现的不同调制现象进行了分析。  相似文献   

14.
15.
A vertical field-effect resonant tunneling transistor is demonstrated consisting of a triple-barrier, double-well resonant tunneling diode (3bRTD) that can be depleted by the action of side gates. The 3bRTD features a double peak current-voltage characteristic in which the second valley current is less than the first valley current. Combination of the resonant tunneling transistor and a constant current load is shown to yield both binary and ternary logic and memory functions  相似文献   

16.
 Experimental investigation on resonant tunneling in various GaAs/Al_xGa_(1-x)As double barrier single well structures has been performed by using tunneling spectroscopy at different temperatures.The results show that in addition to resonant tunneling via GaAs well state confined by Al_xGa_(1-x)As Γ-point barrier there exists resonant tunneling via GaAs well state confined by Al_xGa_(1-x)As X-point barrier for both indirect(x>0.4)and direct(x<0.4)cases.  相似文献   

17.
Preliminary results are presented for a 3-terminal device fabricated by incorporating a narrow quantum well into the collector barrier of a unipolar hot electron transistor. The structure allows unique studies of the mechanism of resonant tunneling in which the carrier injection energy and the bias across the double barrier can be independently varied. The transistor clearly shows an additional current collection threshold representing as much as 10% of the injected current attributable to tunneling via the single subband in the quantum well. This interpretation is confirmed by measurements in perpendicular and parallel magnetic fields despite the fact that theoretical estimates of the resonant tunneling current without scattering are many orders of magnitude smaller, and there are strong indications that elastic scattering in the well is responsible for the enormous discrepancy. The data tend to support proposals (Guéret, 1989a, 1989b; Wolak, 1988) that elastic scattering is responsible for the large valley currents in resonant tunneling diodes, and it appears that the tunnel process may not be completely incoherent as has frequently been assumed up to now.  相似文献   

18.
带间共振隧穿二极管(RITD)是导带与价带间发生共振隧穿的两端器件,其特点是启始电压VT和峰值电压Vp较低,电流峰谷比PVCR较大。在导出RITD物理模型和其电流密度方程的基础上重点介绍了InAs/AlSb/GaSbⅡ类异质结RITD、n+InAlAs/InGaAs/InAlAs/In-GaAs/p+InAlAsp-n结双势阱Ⅰ类RITD以及δ掺杂RITD三种RITD的器件结构、材料结构、工作原理、器件特性和参数等,并对这三种RITD的特点进行了比较和讨论。  相似文献   

19.
简要介绍了RTD(共振隧穿二极管)的微分负阻特性及其等效电路,通过对实际AlAs/InxGa1-xAs/GaAs双势垒共振隧穿结构I-V曲线拟合,得出RTD的Pspice等效电路模型参数。采用Pspice软件建立了RTD的等效电路模型,并对其微分负阻特性进行了仿真,仿真结果与测试结果基本吻合。利用所建立的模型,对RTD的基本应用电路:反相器、非门、与非门和或非门进行了仿真模拟。结果表明,该类电路能够正确实现其逻辑功能。最后,对基于RTD的振荡电路进行了仿真,仿真频率与实际测试频率处于同一数量级。由于实测电路寄生参数如串联电阻、电容等的影响,仿真结果与测试结果稍有出入。  相似文献   

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