Sn-Zn系无铅焊料研究和亟待解决的问题

文章介绍了无铅焊料研究的趋势及Sn-Zn系焊料研究取得的最新进展,分析了Sn-Zn系焊料与Sn-Ag系焊料研究的差距。最后,文章还总结了Sn-Zn系焊料研究面临的困难,找出了存在于基础研究和应用研究领域的若干问题,指出Sn-Zn系焊料的研究还需要更加深入。     

无铅焊料的新发展

传统焊接技术使用锡铅焊料,对环境造成严重伤害。该文从环保角度出发,阐述了应用无铅焊料的必然性,并介绍了无铅焊料近几年的发展,指出现阶段无铅焊料离市场要求还有一定差距。     

无铅焊料的新发展

传统焊接技术使用锡铅焊料,对环境造成严重伤害。文章从环保角度出发,阐述了应用无铅焊料的必然性,并介绍了无铅焊料近几年的发展,指出现阶段无铅焊料离市场要求还有一定差距, 需进一步加强研究与开发。     

无铅焊料的新发展

传统焊接技术使用锡铅焊料，对环境造成严重伤害．本从环保角度出发，阐述了应用无铅焊料的必然性，并介绍了无铅焊料近几年的发展，指出现阶段无铅焊料离市场要求还有一定差距。     

Sn-Bi系列低温无铅焊料及其发展趋势

对国内外无铅焊料的发展情况进行了综述,总结了微电子行业的高、中、低温无铅焊料的应用技术领域,详细介绍了Sn-Bi系低温无铅焊料的发展及其物理化学性能,并从市场的角度分析了该系无铅焊料的发展趋势及市场前景.     

电子产品中的无铅焊料及其应用与发展

由于传统焊接技术使用的Sn-Pb焊料中的铅会对环境造成污染而被禁止使用,近年来无铅焊料成为了研究热点。文中介绍了运用于电子产品中的无铅焊料的发展背景、特点及要求。根据应用温度不同,无铅焊料可以分为低温、中温和高温无铅焊料。文章综述了它们各自的应用特点、场合及存在的问题和发展前景。     

无铅焊料及其可靠性的研究进展

环保和微电子器件高度集成化的发展驱动了高性能无铅焊料的研究和开发。本文介绍了国内外对Sn-Ag,Sn-Zn,Sn-Bi,Sn-Sb和Sn-In系无铅焊料的发展现状及所取得的研究成果;列出了美国抗高温疲劳焊料研究计划筛选的七种抗热疲劳无铅焊料合金;对焊点的一般可靠性问题及无铅焊料引入的新的可靠性问题进行了归纳和讨论。     

Sn-Ag和Sn-Zn及Sn-Bi系无铅焊料

随着微电子组装技术的发展，研制新型的和实用的无铅焊料替代传统的Sn-Pb焊料已成为近年的研究热点。介绍了目前最常见的Sn-Ag、Sn-Zn和Sn-Bi为基体的无铅焊料并与传统的Sn-Pb焊料的性能进行了比较。     

纳米颗粒增强无铅复合焊料的研究现状

熔化温度、润湿性及长期使用过程中的可靠性决定了无铅焊料的应用范围.通过添加适量纳米颗粒可显著提高无铅焊料的性能,特别是添加适量纳米Ag颗粒后SnCu焊料蠕变断裂寿命是未添加时的13倍.介绍了添加纳米颗粒对无铅焊料的物理化学性能的影响;探讨了纳米颗粒增强无铅复合焊料微观结构和力学性能;展望了纳米颗粒增强手段对焊料应用的前...     

低温无铅焊料

随着无铅焊料的发展,低温组装技术越来越多的需求对低温无铅焊料提出了诸多挑战。对国内外低温无铅焊料的发展情况进行了综述,详细介绍了四种不同的低温无铅焊料的研究现状,以及不同的领域应用的优缺点和解决方案,分析了未来实现低温安装的途径与开发方向。     

10Gb/s光收发模块封装技术

本文介绍了10Gb/s光收发模块的封装技术。准平面封装技术非常适合于大规模制造的老器件,已广泛应用于各类激光器和接收器中。     

数字处理器SiP封装工艺设计

由于系统小型化要求,数字处理分机由原来的机箱缩小为一个表贴器件。通过选用裸芯片采用SIP封装的形式,把集成电路A D C芯片、A SIC、存储芯片和各类无源元件如电容、电感等集成到一个多层基板上。以现有混合集成技术为基础,主要研究器件装配工艺选择,对于关键器件,采用电磁仿真软件模拟装配方式对性能的影响。通过有限元仿真,分析芯片的散热需求;并详细探讨了基板材料对封装器件散热的影响。     

新型陶瓷/金属化合物基板——直接敷铜板

直接敷铜(DBC)板是用于电子学封装的一种陶瓷/金属化合物基板。这种DBC板适用于光电子学封装的采集排列制作,并可提供无源对准、好的热导率、CTE匹配及良好的可靠性。本文介绍了采用DBC板的光电子学封概念布线、制作和应用。     

微电子封装与设备

本文介绍了目前国际微电子封装的发展趋势,阐述了我国微电子封装发展的特点,说明了发展微电子封装设备的必要性,并提出发展我国徽电子封装设备的几点建议。     

镍金表面上LP封装中央焊盘焊点空洞控制

随着产品小型化的发展,微小LP封装器件的应用越来越广泛,其中中央焊盘焊点空洞率成为影响产品功能的关键因素.主要研究镍金表面处理印制电路板上LP封装器件中央焊盘锡铅焊点空洞问题.介绍了焊点空洞的产生机理、焊接工艺难点及空洞控制方法,提出了优化焊盘设计、优化模板开孔设计、强化焊膏使用控制、控制焊膏印刷精度、控制贴装精度和优化焊接工艺参数等六大保证措施.经试验验证,同时采取6项措施后,有效地控制了镍金表面处理的PCB上LP封装器件的中央焊盘焊点空洞问题.     

A highly-compact packaging design for improving the thermal performance of multi-finger InGaP/GaAs collector-up HBTs

To satisfy the increasing demand for small power amplifiers in advanced cellular phones, we have investigated the thermal performance of multi-finger InGaP/GaAs collector-up HBTs with a heat-dissipation packaging configuration. The thermal interaction between collector fingers and the size effect on the maximum operation temperature within the transistor have been scrutinized. In addition, the thermal handling for a stable operation in the device has been optimized through the variation of finger pitches. The superior results show that the thickness of the heat-dissipation structure can be reduced by more than 35%, and the achieved thermal resistance can be effectively improved over 40%. Based on appropriate approaches from the 3-D numerical simulation for thickness-adjusting evaluation and the analytical analysis for finger-pitch optimization, a highly-compact packaging design is proposed for the miniaturization of collector-up HBTs in future mobile communication systems.     

Promoting of charged-device model/electrostatic discharge immunity in the dicing saw process

Polyimide (PI) dielectric as a heatproof material is commonly employed in the integrated circuit (IC) industry. In the dicing saw assembly process, de-ionized (D.I.) water which has a higher resistance is rubbed on PI material. Hence, negative electrostatic charges are generated and accumulated on gate oxide capacitor or p-n junction capacitor in each IC chip. Since the discharge path is isolated during this time, sufficient cumulated charges through some feasible electrical path will damage the IC devices in this process step. Such damaged ICs exhibit function failure. A CO₂ gas flow under 2-3 kgw/cm² gas pressure to form a weak carbonic acid in water is efficient to conduct out the accumulated charges and adequately prevent the charge damage on IC devices. The final-test yield in sub-micron analog power complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) ICs was impressively increased from 80% to 98%.     

MEMS封装技术的发展及应用

封装技术在微电子机械系统(MEMS)器件中的地位和作用越来越重要。本文归纳与总结了MEMS封装的特点和发展趋势,重点对MEMS封装技术的应用进行了分析,最后给出一些有益的想法和看法。     

用于高速光电组件的光焊球阵列封装技术

本文介绍了用于高速光电组件的表面安装型焊球阵列(BGA)封装技术。     

挠性基板的芯片级封装技术

挠性印制电路(FPC)在IC封装中的应用,推进了电子产品小型化、轻量化、高性能化的进程,同时也推动了FPC向高密度方向发展。本文概述了基于挠性印制电路的芯片级封装技术,包括平面封装和三维封装技术,以及芯片级封装技术的发展对挠性载板的影响。