首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
VHF-PECVD法制备微晶SiGe薄膜及太阳电池   总被引:1,自引:3,他引:1  
以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在不同衬底温度和功率条件下制备了SiGe薄膜材料.用喇曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)对材料的结构进行了研究.结果表明:薄膜结构随温度的升高、功率的增大逐渐由非晶SiGe(a-SiGe)转变为微晶SiGe(μc-SiGe)材料.将这种材料应用于μc-SiGe薄膜太阳能电池中,电池结构为玻璃/SnO2/p-μc-Si/i-μc-SiGe/n-μc-Si/Al,首次获得效率η=4.2%的μc-SiGe薄膜太阳能电池,开路电压Voc=0.335 V,短路电流密度Jsc=20.16 mA/cm2,填充因子FF=41.938%.  相似文献   

2.
用磁控溅射的方法在石英玻璃上制备了ITO/Ga2O3双层膜。用X射线衍射仪、扫描电镜、双光束分光光度计和霍尔效应测试仪研究了衬底温度对ITO/Ga2O3双层膜的结构、表面形貌、光学性能和电学性能的影响。双层膜结构受衬底温度的影响,当衬底温度从100C 升高到 350C时,薄膜的电阻率由6.71′10-3 Ω.cm 降到 1.91′10-3 Ω.cm。衬底温度300C制备的ITO(22nm)/Ga2O3(50nm)双层膜的面电阻为373.3Ω,在300nm波长的深紫外透过率为78.97%。  相似文献   

3.
利用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过双靶(Er3O2/LiNbO3)交替与脉冲激光作用,在SiO 2/Si 衬底上制备了c-轴择优取向的Er掺杂LiNbO3(Er:LiNbO3)薄 膜。用X射线衍射(XRD)、 场发射扫描电子显微镜(FESEM)、台阶仪及光致发光(PL)光 谱对制备的掺杂薄膜进行了表征。研究了衬底温度、O2压及沉积时间对Er:LiNbO3薄膜 结晶、表面形貌及 PL性能的影响。结果发现,衬底温度低于300℃时制备的Er:LiNbO 3薄膜为非晶膜,随衬底温度升高,薄膜出 现(006)衍射峰,并且其强度随衬底温度升高而增大;O2压变化对 利用双靶沉积获得的Er:LiNbO3薄膜择优 取向及(006)衍射峰强度影响不明显;沉积时间越长Er:LiNbO3薄膜 中Er3+浓度越大,但结晶择优取向 变差;利用532nm波长激光泵浦,室温下,在1537nm波长处测得很强的光致荧光峰,而且沉积时间越长谱峰越尖锐强 度越大。  相似文献   

4.
GaInP2/Ge异质结外延材料特性分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
研制了一种基于Ge衬底的异质结热光伏(TPV)电池 ,并且在Ge衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法外延单晶材料GaInP2和GaAs,对GaInP2/Ge异质结界面进行了断面扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、电化学电 容电压(ECV)和光致荧光(PL)谱的测试分析,研究了基于 Ge衬底的异质结n-GaInP2/p-Ge界面的结构、光学和电学特性,得到了高质量、宽禁带 的单晶外延层,与Ge衬底晶格匹配良好,利于更多光子进入到吸收层,为制备高效率TPV电 池打下良好基础。  相似文献   

5.
硒化锑太阳电池以其原材料丰富、工艺简单和结 构稳定等优势,近年来得到了快速发 展。本论文采用近空间升华法制备硒化锑光电薄膜,并对硒化锑的生长进行了机理研究和参 数优化。结果显示:衬底温度的提升有助于硒化锑薄膜的晶化。当衬底温度为 340 ℃时,薄 膜具有较高的晶化率和致密的表面形貌。另一方面,蒸发间距的改变能够调制硒化锑薄膜的 择优取向。当蒸发间距为10 mm时,薄膜具有明显的(002)取向的择优,对应(Sb4Se6)n带 垂直于衬底生长,使硒化锑光吸收层具有优异的载流子传输特性。将优化好的硒化锑薄膜应 用到太阳电池中,以FTO/CdS/Sb2Se3/P3HT/C的器件结构,获得了5.78%的光电转换效率,其 中开路电压为0.375 V,短路电流密度为28.01 mA/cm2,填充因子为54.94%。以上研究为高 取向性硒化锑太阳电池的优化制备提供了技术路线,并显示出了硒化锑太阳电池的研究潜力 。  相似文献   

6.
采用磁控溅射FeSi2、Si靶加后续退火法在6H-SiC(0001)衬底上成功制备了β-FeSi2薄膜.采用XRD、SEM、AFM和Raman等测试手段对β-FeSi2薄膜的结构及形貌等特性进行了表征。XRD结果表明,当退火温度从500℃增加到900℃时,溅射的非晶FeSi2薄膜逐步相变为β-FeSi2薄膜,且其最佳的退火温度为900℃;SEM测试结果表明β-FeSi2薄膜表面较为平整、致密,β-FeSi2/6H-SiC界面清晰陡峭,薄膜表面粗糙度(RMS)为0.87nm;β-FeSi2薄膜的光学带隙为0.88eV。由此获得了在6H-SiC衬底上制备多晶β-FeSi2薄膜的最佳工艺条件。  相似文献   

7.
采用三步共蒸发工艺在玻璃衬底上制备CIGS薄膜, 研究沉积预制层的衬底温度对CIGS薄膜 结构特性的影响。薄膜的厚度、组份、晶相结构、表观形貌和电学特性分别由台阶仪、X射 线荧光光谱(XRF)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和霍耳效应测量仪来表征。沉积 预制层的衬底温度 较低(如300℃)时,预制层中Ga含 量较低,容易形成In2Se3相;而衬底温度较高(如400℃) 时,预制层中Ga含量较高,容易形成(In,Ga)2Se3相;原因是Ga2Se3的形成焓(-462.4kJ/mol)比In2Se3的(-360kJ/mol)低,没有In2Se3稳定;In2Se3相比Ga2S e3相更容易稳定存在,尤其是在低温下;当温度较高 时,Ga2Se3相也容易存在,与In2Se3一起形成(In,Ga)2Se3固溶体。而且,衬 底温度较高(如400℃)时,沉积 的CIGS薄膜中的Ga含量比其它两种衬底温度下沉积的薄膜都高,薄膜粗糙度较小,迁移率和 载流子浓度都比较大,电阻率较小。  相似文献   

8.
采用高温固相反应法制备了Zn3Ga3.99Ge xO9+2x:1%Cr3+(x=1,2,3,4,5)新型近红外长余辉荧光粉, 利用X射线衍射(XRD)和荧光(PL)光谱分别对其晶体结构、PL性质和余辉性能进行了分析。结 果表明,Zn3Ga3.99Cr0.01GexO9+2x实际上是Cr3+和Ge4+共同取代了ZnGa2O4尖晶石 结构中的部分Ga3+而形成的固溶体; 样品可以被近紫外光和蓝绿光有效地激发,发射出640nm波长范围的红光和近红外光,峰值位于695nm波长 附近,属于Cr3+的特征发射,对应于2E→4A2的跃迁;余辉持续时间均超过300h。进一步分析了烧结温度对Zn3Ga 3.99GexO9+2x:1%Cr3+(x =1,2,3,4,5)材料的发光和余辉性能影响,得到Zn3Ga3.99Cr0.01Ge1O11 的最佳烧结温度是1200℃,且随温度的升高, 样品的发光和余辉性能均得到提高。  相似文献   

9.
基于铌酸锂(LN)薄膜的横向激发体声波谐振器(XBAR)能够兼具大机电耦合系数(K2)和高谐振频率(f)特性,有望满足5G应用的频段要求。然而,常规LN薄膜单层XBAR结构的温度稳定性较差,频率温度系数(TCF)较低。该文提出一种具有SiO2温度补偿层的SiO2/LN双层结构XBAR,并建立了精确分析层状结构XBAR的有限元模型。理论分析表明,该双层结构XBAR上激励的主模式是一阶反对称(A1)兰姆波。通过合理优化结构参数配置,能够获得高谐振频率(f~4.75 GHz)和大机电耦合系数(K2~8%),同时其温度稳定性也得到显著改善(TCF~-36.1×10-6/℃),相较于单层XBAR结构提高了近70×10-6/℃,这为研制温补型高频、大带宽声学滤波器提供了理论基础。  相似文献   

10.
为适应高效Si基薄膜太阳电池对宽光谱透明导电 薄膜的需求,采用磁控溅射技术 生长了不同衬 底温度氢化作用下Ga和Mg共掺杂ZnO(HMGZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜。研究了不同衬底温 度(200~280 ℃)对HMGZO薄膜 结晶特性及光电特性的影响。实验结果表明,制备的HMGZO薄膜均为具有六角纤锌矿结构的 多晶薄膜,呈 现(002)晶面择优生长。随着衬底温度的升高,薄膜中Mg含量逐渐增加,并且薄膜表面新型 锥状结构趋于 致密和均匀化。在各元素含量和结晶质量的共同影响下,其电阻率随着温度的升高从6.70×10-4 Ω·cm增加至7.63×10-4 Ω·cm。所有薄膜在可 见光区域(380~800 nm)的透过率均在80%以上,由于载流子共振吸收的作用,近红外区域的 透过率有所下降。MgO扩展带隙的作用和 Burstein-Moss(BM)效应的影响共同促进了薄膜光学带隙Eg展 宽,使得Eg达到了3.75 eV。当衬底温度为280 ℃ 时,薄膜方块电阻为4.91 Ω/sq,电阻率为7.63×10-4 Ω·cm,光电性能指数ΦTC值达0.022 Ω-1。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号