基于Smith圆图的射频功放电路的设计与分析

基于Smith圆图设计射频匹配电路，提出了大功率射频放大电路的设计方法，采用MRF9060芯片，运用如Pspice和ADS等开发软件，实现了包括直流偏置电路、保护电路、匹配滤波电路以及射频放大电路在内的整体设计，并给出了对系统增益、回波损耗等指标的仿真结果。     

VHF跳频电台接收机射频前端的仿真设计与研究

通过对VHF跳频电台接收机射频前端设计指标和具体结构的介绍,运用Agilent公司的射频设计仿真软件ADS,对整个接收机射频前端电路进行仿真和电路设计,构建了一个由保护电路、跳频预选滤波器、低噪声放大器和自动增益控制电路组成的射频前端电路模型,并对其进行仿真.最后的实验结果表明,所设计的射频前端的性能指标达到了系统的设计要求,并有所提高.     

基于FPGA的射频收发前端系统设计

以Xilinx公司的V5系列FPGA芯片为研究对象,设计实现了一种基于VPX标准的6U射频收发前端信号处理系统。该系统主要由控制电路和射频电路组成,控制电路主要完成对外、对内的接口通信功能以及核心器件的控制。射频电路主要完成信号滤波、放大、正交上变频、功率放大等。设计的系统支持串行Rapid IO高速数据传输,为数据的高速交换提供了可能,满足了系统对带宽和数据处理能力的要求,经过验证系统的各项性能指标符合设计要求。     

核磁共振功率放大器的设计与实现

简要介绍了核磁共振原理,分析了功率放大器的电路原理,设计并实现了一种应用于小型核磁共振系统的功率放大器.该功率放大器主要由两级放大电路组成,每级电路的核心器件分别为MRF475和MRF476,并围绕它们设计了相关的外围匹配网络.设计了一种门控电路以控制功率放大器的工作,该方法解决了目前现有的射频功率放大器稳定性能较差,噪声大的弊端.实验结果表明该功率放大器及其门控电路的设计是十分成功的.     

无线传输系统中低噪声放大电路的设计

介绍射频功率放大器的基础理论和技术参数,并根据设计要求选取合适的低噪声放大器。给出了射频功率放大电路的设计方案,并根据系统接收端无线信号特点,设计低噪声功率放大电路,从而提高无线传输系统的接收灵敏度,并满足冲击渡测试对无线传输距离的要求。     

射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真

简介了改进的绝缘层上硅横向扩散金属氧化物一半导体(SOI LDMOS)电路模型.根据改进的SOI LDMOS电路模型,采用射频仿真软件进行了射频功率放大器的设计与仿真.该射频功率放大器采用两级放大结构,采用了S参数设计方法和负载牵引方法设计.结果表明放大器的增益达到15 dB,输出功率达到25 dBm,功率附加效率大于40%.     

一个高电源抑制比的有源电感射频放大电路

提出了一种使用有源电感的电路实现方案,可用于宽带无线收发机射频放大电路的设计中.分析了有源电感的阻抗与各元件取值的关系,设计了中心频点调节电路和具有鲁棒性的偏置电路,保证工艺偏差和电源电压波动对有源电感的阻抗具有很弱的影响.在SMIC 0.18-μm工艺下进行了电路设计和流片验证,测试结果表明,使用有源电感的射频放大电路,可以得到期望的射频信号,其中心频点的调节范围为0.5～2 GHz, 能够抵御高达0.8 V的电源偏差.     

基于无源混频器的多频段TD—SCDMA射频接收器前端设计

文章以0．13μmRFCMOS工艺实现了直接下变频结构的多频段TD-SCDMA射频接收器前端,首先从TD-SCDMA系统要求和电路结构入手,分析了各电路模块的设计,包括高频低噪声放大器、无源混频器、运算放大器和本振驱动,最后给出了射频接收器前端的测试结果。     

一款应用于GPS的CMOS低功耗高增益LNA

针对当前应用于GPS射频前端的LNA存在的不足,设计了一种新型的LNA.从电路结构、噪声匹配、线性度、阻抗匹配、电压增益以及功耗等方面详细讨论了该低噪声放大器的设计.电路采用CMOS 0.18μm工艺实现,经过测试,低噪声放大器的增益为40.8dB,噪声系数为0.525dB,PldB为-29.5dBm,1.8V电压下的消耗电流仅为1.4mA.电路性能充分满足应用要求.     

一种新型射频导热治疗仪的功率放大电路的仿真设计

信息时代的到来极大地改变了人类社会的生产、生活、工作和学习方式.射频功率放大器不仅在通讯系统中得到广泛应用,还逐渐被应用于其他领域内.本文为一种新型射频导热治疗仪所设计的大功率射频放大器电路,满足工作于射频低端.借助ADS仿真软件采用负载牵引技术的设计方式,通过对整体效率、功率增益、功率容量等一系列的对比.得出最佳输入、输出阻抗,并进行阻抗匹配电路的设计.在此基础上对整个功率放大电路进行谐波平衡优化仿真,显示达到良好的设计效果.     

一种D类推挽放大电路的设计

提出一种基于CPLD的D类功率放大电路的设计,该设计改进了传统C类功率放大电路效率低、对管不易匹配、调试不方便等不足之处,同时采用EPM240T100CS CPLD作为放大电路的控制与保护单元,其工作效率更高,性能更稳定、可靠。还给出了CPLD中的电路模块框图和Verilog设计流程图。该设计中的D类推挽放大电路主要应用于调幅与调频通用的功率发射机的研制,以期为相似设计提供参考。     

The class BD high-efficiency RF power amplifier

Class B and class D operation of the same RF power amplifier circuit is not normally possible because of constraints imposed by the tuned output circuit and DC power input circuit. The use of square-wave drive in a current switching class D RF amplifier circuit allows the amplifier to move gradually from current source to current switch operation. This amplifier, called class BD, has a linear transfer characteristic (drive envelope to output envelope) and an efficiency 1.23 times that of a class B RF amplifier with the same peak output. The addition of a resistive AC current path to ground in the DC power input circuit of the class BD RF amplifier allows operation with sinewave driving waveforms. While this lowers the efficiency at the peak output, it can raise it at lower outputs, making possible a factor of 1.57 improvement in efficiency in the amplification of signals with large peak-to-average ratios. The class BD RF amplifier may therefore be used as a broad-band replacement for a Doherty-type amplifier.     

线性化Doherty功率放大器的研究

阐述了线性化功率放大器的发展过程。利用ADS进行Doherty功放的仿真分析,设计了一种多个放大器并联的Doherty功放电路,并与经典的Doherty功放比较效率的高低。研究结果表明,此多级并联Doherty功放电路比传统功率放大器效率要高,并且有电路简单、成本低、工作稳定等优点。     

高效率音频功率放大器的设计

本文主要介绍的是通过普通电子元件设计出高效率音频功率发大器的方法.它不仅能够减少电路的成本,同时还能够将放大器的效率给提高.该设计中的PWM电路是由基本的运算放大器所构成,从而形成了能满足高效率,低失真要求的D类功率放大器.     

基于GaN HEMT 器件的宽带高效功率放大器

介绍一种宽带高效放大器设计方法,并基于GaN HEMT器件研制了宽带高效功率放大器。采用源牵引和负载牵引方法获得适应宽带条件的最佳源阻抗和负载阻抗,然后综合宽带匹配网络并实现测试电路设计。实测结果表明,该放大器在0.9～2.7GHz工作频带范围内,放大器输出功率均大于10W,工作效率在51%～72%之间,增益大于13dB。为改善放大器线性度指标,采用商用预失真芯片搭建简单的预失真电路对放大器进行线性化校正,并给出了详细的测试结果。     

高效D类音频功率放大器的设计

D类功率放大器适应便携设备高效节能的客观需求,从而在音频模拟集成领域具有优势,随着设计技术的不断进步,D类功率放大器的性能指标也逐渐接近AB类放大器。通过分析基于CMOS工艺的D类音频功率放大器构成、驱动实现、性噪比、失真度等方面的特性来简要描述此类电路的设计思路。同时具体讨论了D类音频放大器各模块的工作原理和设计要点,针对设计要求比较高的驱动部分、抗干扰和噪声抑制部分以及抗EMS的设计都做了较详细的分析和论述。     

高效率E类放大器

E类放大器是一种新型高效率功率放大器,理论效率接近100％,有很好的发展前景,本文介绍了E类放大器当前发展概况、电路结构、工作原理、技术特性;给出了理论分析、设计方法以及微波频段E类放大器出现的新问题,最后给出集中参数电路和微带电路的E类放大器实例。     

AB类功率放大器的设计与仿真研究

在比较A类、B类、C类和介于A类、B类中间的AB类四类功放电路各自优缺点的基础上,提出功率放大器工作点的选取以及通过阻抗匹配来实现高效率的方法。讨论了放大器输入回路阻抗变换电路、晶体管放大电路以及输出回路阻抗变换电路的设计思想,运用电报方程从理论上推导出用于信号源和晶体管之间阻抗变换的传输线变压器输入输出阻抗计算公式,由此设计出模拟信号处理电路中非常重要的AB类高功率放大器。仿真和实验结果表明,放大器在1MHz～50MHz的范围内,输入0．1w时输出为1w,其增益达到10dB,并且失真率非常低。     

高效率X波段GaN MMIC功率放大器的研制

突破了GaN MMIC功率放大器的设计、制造、测试等关键技术,研制成功X波段GaN MMIC功率放大器。设计及优化了电路拓扑结构及电路参数,放大器芯片采用了国产外延材料及标准芯片制作工艺。单片功率放大器包含两级放大电路,采用了功率分配及合成匹配电路,输入输出阻抗均为50Ω。制作了微波测试载体及夹具,最终实现了X波段GaN MMIC功率放大器微波参数测试。在8.7～10.9 GHz频率范围内,该功率放大器输出功率大于16 W,功率增益大于14 dB,增益波动小于0.4 dB,输入驻波比小于2∶1,功率附加效率大于40%,带内效率最高达52%。     

Voltage stress effect on class AB power amplifier and mixed-signal sample-hold circuit

The effects of gate and drain voltage stress and breakdown location on the class AB power amplifier and mixed-signal sample-hold circuit have been studied. The soft breakdown has minor effect on the performance of the power amplifier and sample-hold circuit, while the hard breakdown at the drain side reduces the power efficiency of the class AB power amplifier and degrades the signal to noise ratio of the sample-hold circuit significantly. Also, hot electron effect reduces the linearity of the class AB power amplifier.