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相似文献
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1.
在集成锁相环中,压控振荡器的输出频率范围要能随所有工艺和工作条件的变化而覆盖所需的频率范围。增大压控振荡器的增益而实现宽调协范围会增加压控振荡器和锁相环的相位噪声。在这篇文章中,通过两路控制来得到压控振荡器中心频率可调,实现了非常小的压控振荡器增益。  相似文献   

2.
李振荣  庄奕琪  李兵  靳刚  靳钊 《半导体学报》2010,31(7):075005-6
实现了一个基于标准0.18µm CMOS工艺的2.4GHz高线性低噪声交叉耦合LC压控振荡器。基于三段分布式偏置的开关容抗管电路和差分开关电容电路,提出了一种调谐灵敏度补偿结构,减小了压控振荡器的增益变化,获得了高线性度和良好的相位噪声性能。与传统结构的压控振荡器相比,本文提出的压控振荡器在整个频率调谐范围内具有更加恒定的增益。当载波频率为2.42GHz 时,在100kHz和1MHz的频偏处相位噪声分别为-100.96dBc/Hz和-122.63dBc/Hz。工作电压为1.8V时,电路功耗为2.5mW。该压控振荡器面积为500×810 µm2。  相似文献   

3.
随着电感电容型压控振荡器调谐频率的增加,综合设计其中的负阻单元及可变电容,以同时达到宽调谐范围、低相位噪声、等子频带间距和低调谐增益输出频率的目标正变得越来越困难。本文中的压控振荡器通过设计一组开关可变电容阵列来解决这个问题,我们在0.18 μm CMOS工艺上实现了这个设计,并优化了相位噪声性能。测试表明,1兆赫兹频偏处的相位噪声达到-120dBc/Hz,调谐范围为4.2吉赫兹至5吉赫兹,调谐增益为8-10MHz/V,压控振荡器在1.5伏电源电压下至多消耗4毫安电流。  相似文献   

4.
《信息技术》2016,(5):104-108
文中研究设计了一种基于MSP430G2553单片机控制的宽带压控放大器,它由前级固定增益放大模块、中间级压控增益放大模块、后级固定增益放大模块和衰减网络四部分组成。具有0~60d B增益可调,输出端噪声电压的峰值UoNpp≤100m V,高线性度和宽带宽等特点。  相似文献   

5.
基于3.3V 0.35μm TSMC 2P4M CMOS体硅工艺,设计了一款1GHz多频带数模混合压控振荡器.采用环形振荡器加上数模转换器结构,控制流入压控振荡器的电流来调节压控振荡器的频率而实现频带切换.仿真结果表明,在1V~2V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为823.3MHz~1.061GHz,且压控振荡器的增益仅有36.6MHz/V,振荡频率为1.0612GHz时,频率偏差1MHz处的相位噪声为-96.35dBc/Hz,在获得较大频率调节范围的同时也能保持很低的增益,从而提高了压控振荡器的噪声性能.  相似文献   

6.
林玉树  蔡敏  敬小成 《半导体技术》2007,32(12):1073-1076
研究了一种用于微处理器时钟同步PLL的高带宽低噪声的压控振荡器(VCO),该VCO采用了交叉耦合的电流饥饿型环形振荡器,通过改善其控制电压变换电路,大大拓宽了压控增益的线性范围,消除了振荡器对控制电压的影响,降低了输出时钟的相位噪声.基于CSMC 3.3 V 0.35 μm CMOS工艺的仿真结果表明,取延迟单元沟道长度为1 μm、中心频率为365 MHz时,压控增益为300 MHz/V,其线性区覆盖范围是30~700 MHz,在偏离中心频率600 kHz处的相位噪声为-95 dB/Hz,低频1/f噪声在-20 dB/Hz以下.该VCO可以通过适当减小延迟单元沟道长度来拓宽压控增益线性范围.  相似文献   

7.
为了改善压控振荡器相位噪声,基于40 nm CMOS工艺,设计一种低噪声C类LC压控振荡器。交叉耦合NMOS对管通过电流镜偏置作为电路的电流源,并采用共模反馈偏置电路使交叉耦合PMOS对管工作在饱和区,保证LC压控振荡器实现C类振荡。通过差分可变电容的设计,压控振荡器的增益减小,压控振荡器的相位噪声得到改善。设计了4组开关电容进行调节,增大压控振荡器的调谐范围。仿真结果表明,处于1.2 V的电压下,压控振荡器振荡频率范围在4.14~5.7 GHz,频率调谐范围变化率达到31.2%,相位噪声为-112.8 dBc/Hz。  相似文献   

8.
低噪声可变增益放大器的性能及应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
AD603是美国AD公司推出的主要应用于射频和中频自动增益控制系统的一种低噪声、压控增益放大器。详细介绍AD603的工作原理、噪声特性、模式选择、增益控制方法,提出几个AD603级联使用的方法,最后介绍低噪声自动增益控制放大器的设计原理及实际应用电路。  相似文献   

9.
在DRM DAB系统设计中,压控振荡器需要满足宽的调频范围,而其压控增益的差别需要控制在一定的范围内,以使得锁相环的稳定性得到提高,同时为了降低锁相环环路对噪声的敏感性,我们需要低的压控增益。据此,本文所采用的可变电容阵列结构有效地满足了上述要求,使用SMIC 0.18μm CMOS工艺,仿真得到的结果显示在1.71G振荡频率1MHZ频偏处的相位噪声为-124.3d Bc/Hz.压控范围为1.71-2.31GHz。  相似文献   

10.
程梦璋  景为平   《电子器件》2008,31(3):824-826
设计和分析了一种高稳定性,宽频带范围,低噪声的差分环型压控振荡器.该电路具有较低的压控增益,较好的线性范围,较低的相位噪声.应用复制偏置电路,对差分环型压控振荡器的控制电压进行复制,以提高对环型压控振荡器电源电压噪声和衬底噪声的抑制.采用0.6 tanCMOS工艺进行模拟仿真,当控制电压从1 V到3.2 V变化时,相应的振荡频率为130 MHz到740 MHz;在偏离中心频率100 kHz,1 MHz频率处的相位噪声为-89 dBc,-110 dBc.  相似文献   

11.
介绍了变容管反射式360°模拟移相器的设计,对相位与调制电压的线性关系作了分析。制成的模拟移相器采用计算机辅助设计,使用了超突变结变容管管芯和微波集成电路工艺。在9.3~9.7GHz范围内可获得360°连续可变相移,调相电压20V,线性偏离优于±5%,中心频率上的偏离优于±3%,插入损牦随相位的变化3dB。  相似文献   

12.
陆晾 《电子质量》2001,(1):10-12
本文介绍了一种新的相位检测方法。它能在1/4信号周期内检测出两个正弦信号之间的相差,其相差由流输出电压的幅度表示,并通过该电压的正负来判别相应相位是超前还是滞后。由于本方法无需使用低通滤波器,其检相时间小于1/4信号周期,因而在响应时间方面的性能大大优于传统的检相器。  相似文献   

13.
介绍一种新型的ωn和Q可编程MOSFET-C二阶滤波器的新技术。滤波器中的电阻全部用MOSFET代替,构成压控电阻,对滤波器的中心频率ωn可通过改变栅极直流控制电压来调节,并且在滤波器的反馈路径中引入非线性电路,使滤波器对Q和ωn在很宽范围内编程,而且没有相位误差。  相似文献   

14.
基于双谱的谐波信号相位重构   总被引:17,自引:0,他引:17  
本文提出了一种基于双谱分析的谐波信号相位精确重构方法.该方法通过在被测信号中加入一相位为零的半基频信号,并对该合成信号进行双谱分析,实现了被测信号的相位精确求解,解决了已有基于双谱的信号相位估计方法中所存在的相对相移问题.仿真结果验证了该方法的有效性.  相似文献   

15.
In phase unwrapping, how to control the residues and cut-lines is critical to unwrap ill-state wrapped phase map successfully. Some new concepts in phase unwrapping field are proposed. Firstly, the residues in three types, I.e., singular residues, normal residues and virtual residues, are classified, which leads to some rational unwrapping paths. Secondly, some differences between cut-line and curved-line are analyzed. And finally, experiment is carried out to compare our new enhanced Goldstein algorithm with the original Goldstein algorithm.  相似文献   

16.
锁相环中高性能电荷泵的设计   总被引:6,自引:4,他引:2  
设计了一种结构新颖的动态充放电电流匹配的电荷泵电路,该电路利用一种放电电流对充电电流的跟随技术,使充放电电流达到较好匹配,同时,在电荷泵中增加差分反相器,提高电荷泵的速度。采用Istsilicon 0.25μmCMOS工艺进行仿真,结果显示:输出电压在0.3—2.2V之间变化时,电荷泵的充放电电流处处相等。  相似文献   

17.
ULSI相移光刻技术*   总被引:2,自引:0,他引:2  
相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。  相似文献   

18.
位相恢复问题是物理学领域中一个非常重要的课题,本文在微波领域内研究了二端口网络反射系数的位相恢复方法,从已测得的输入反射系数振幅(或驻波比)出发,经过振幅重建,可以部分恢复和完全恢复振幅所对应的相位,最后,对模拟数据、实验数据进行了恢复,恢复值与精确值、实验值吻合得很好,  相似文献   

19.
错位相移技术研究   总被引:4,自引:1,他引:3  
本文在充分错位技术与相移技术的基础上,提出了一种基于偏振的错位技术和相移技术,并将二者结合起来,实现了错位与相移的结合,制作了出错位相移器,最后将错位相移器应用于集成电路硅片薄膜应力分布测试仪及错位电子散斑干涉仪之中。  相似文献   

20.
李锐  李建新 《微波学报》2010,26(6):42-45
介绍了相位中心的定位方法--相位梯度法,分析了大型相控阵天线远场主瓣相位特性,明确指出大型相控阵天线相位中心位于天线的口径面上.在此基础上,结合相位梯度法与大型相控阵天线相位中心的特点,推导出了大型相控阵天线相位中心的定位方程组,该方程组可直接用于大型相控阵天线的相位中心定位,最后通过求解一个非对称加权的相控阵天线相位中心的实例验证了该大型相控阵天线相位中心定位技术的正确性.  相似文献   

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