陶瓷基片填孔可靠性工艺研究

本文重点介绍陶瓷基片通孔金属化的工艺试验，以及如何提高陶瓷基片通孔金属化的可靠性筛选试验工艺。     

氧化铝陶瓷金属化技术的研究进展

综述了Al2O3陶瓷金属化技术的国内外研究现状与进展,简要介绍了目前主要应用的几种金属化方法,并着重分析了真空溅射镀膜金属化技术中薄膜材料、膜层厚度以及工艺参数对金属化质量的影响。     

陶瓷-金属封接中的二次金属化工艺

叙述了二次金属化在陶瓷 金属封接质量中的重要性和二次金属化工艺。     

陶瓷二次金属化和封接的可靠性

研究了陶瓷二次金属化对陶瓷-金属封接可靠性的某些影响，指出用一定时间酸溶液处理或高温（干氢）烧结工艺，会使其可靠性有所增长，推荐一次与二次金属化工序连续进行，将有利于封接质量的提高。     

AlN陶瓷活性法金属化

对AlN陶瓷活性金属化Ag-Cu-Ti钎料配方及工艺进行了研究,发现该钎料浸润AlN陶瓷是活性组元Ti与AlN发生化学反应的结果.要获得良好的金属化质量,钎料中Ti含量应高于2.0%(质量比),金属化层与AlN反应界面厚度应控制在10～15 μm范围内.     

陶瓷金属化及其与金属封接的一种新方法——直流溅射金属化及封接工艺

本文介绍一种初步研制成功的陶瓷金属化及其与金属封接的新方法,即陶瓷的直流溅射金属化及封接工艺。用达种方法可以使瓷件不必予先加热而能形成粘结牢固的金属化薄膜。金属化了的瓷件可以用常用焊料与金属件实现高强度、真空气密的封接。     

多层共烧氮化铝陶瓷金属化工艺研究

氮化铝陶瓷因其热导率高、绝缘性好以及无毒害等特点在许多领域有着广泛的应用。多层共烧氮化铝陶瓷是采用厚膜印厣j的方式将多层的电路金属化做入氮化铝基板并在特定气氛中高温烧结的一种高性能陶瓷。金属化是多层共烧氮化铝陶瓷的一个关键工艺,文章主要介绍了对金属化工艺的研究。重点研究了其中的印刷工艺、叠片层压工艺和烧结工艺。通过对印刷和烧结参数的研究,使得生产陶瓷的热导率大于170W（m·K）^-1,金属化的方阻小于18mΩ／□,金属化的抗拉力大于1．8N（1mm^2焊接面积）,能满足大功率LED封装、大功率功率管封装的性能要求,已经在多种陶瓷外壳和基板中应用。     

氧化铝陶瓷Mo-Mn金属化探讨

参考相关文献报道,本文对氧化铝陶瓷钼-锰金属化工艺中,气氛和玻璃相迁移对金属化质量的影响进行了简单评述,并指出了批量金属化生产工艺和国内金属化研究需要注意的问题。     

陶瓷金属化对真空灭弧室可靠性的影响

从陶瓷金属化生产的全过程分析了不同的陶瓷、陶瓷金属化的工艺控制对真空灭弧室性能进行了相应性能的分析,探讨了真空灭弧室用金属化陶瓷绝缘外壳生产和检验应该注意的事项.     

生瓷片通孔金属化工艺研究

通过工艺实验与通孔金属化原理相结合得出影响通孔金属化质量的原因，指出了人工取放定位生瓷片是造成金属化质量的主要原因;通过改变生瓷片的取放定位方式才能更好地保证通孔金属化质量，介绍了一种通孔金属化的新机构，并对该机构进行了结构组成和原理分析；通过工艺实验表明，新的金属化机构能更好地解决通孔金属化质量问题。     

BeO瓷的金属化和封接

综述了氧化铍瓷的金属化及其封接技术,指出氧化铍瓷和Al2O3瓷在金属化工艺上的差异,论文最后汇集了国内外常用烧结金属粉末法15种配方和工艺参数,以资同行专家参考.     

锰铬体掺杂氧化铝陶瓷及其金属化

基于95%氧化铝陶瓷开展锰铬体掺杂改性,掺杂后陶瓷样品的表面二次电子发射系数明显减小,表面电阻率显著降低,从而使其具有更高的表面绝缘能力(真空中)。针对锰铬体掺杂陶瓷样品开展了金属化试验,结果表明:通过对金属化膏剂配方和工艺的适当调整,体掺杂陶瓷的金属化效果良好,气密性和机械强度均满足使用要求。     

多次金属化烧结的初步探讨

通过二/三次金属化烧结实验,对提高陶瓷金属化质量进行初步探讨.     

A fritless copper conductor system for power electronic applications

Copper coated aluminium nitride (AlN) ceramic is a preferred substrate material utilized for high power, high frequency electronic applications. The use of metallized ceramic requires bonding of the metallization onto the substrate. AlN, however, is chemically inert to Cu. At present time the direct copper bonding (DCB) technology is used to manufacture such structures.In this project, for reasons of simplicity and economy and as alternative to the standard DCB-technology, the metallization on the AlN ceramic is built up by active metal brazing of a screen printable AgCuTi thick film ink. The mean advantage of this technology is, that the metal/ceramic braze compound can be processed in a conventional belt furnace at inert firing atmosphere usually available at hybrid microelectronics industry.Aspects of paste preparation ranging from the derivation of the metallic powder to the assortment of an appropriate organic screen-printing medium were investigated. The physical properties of the phases occurring at the interface between the TiCuAg metallization and AlN ceramic and their contribution to the thermal conductivity and the thermomechanical performance of the metallized substrate have been characterized theoretically as well as by experiment and compared with different commercial glass frit containing copper thick film metallization systems.     

钼粉处理新工艺对95%氧化铝陶瓷金属化质量的影响

分别采用传统工艺和新工艺处理了陶瓷金属化用钼粉,并利用激光粒度分析、FESEM、X射线射、金相、扫描电镜、拉伸试验、氦质谱检漏等方法研究了处理前后钼粉的粒度及其分布、颗粒形貌、松装密度、氧含量、相组成,金属化膏层的表面状态,金属化层及界面组织,金属化层的封接强度和气密性。物理性能测试结果表明,新工艺处理钼粉的松装密度明显提高,氧含量增幅明显减小,且无杂相污染。配浆及丝网印刷试验显示,含新工艺处理钼粉的金属化料浆流动性好、固液比高,金属化膏层表面光亮细腻,金属化层致密度高。装管成品拉伸试验表明,含新工艺处理钼粉的金属化层的封接强度提高35%,拉伸后出现断瓷现象;这缘于钼粉容易烧结致密化并形成均匀连通的钼骨架。     

95%Al2O3陶瓷的MoO3体系低温金属化机理研究

本文采用由MoO₃加活化剂组成的配方对氧化铝陶瓷进行低温金属化,通过对氧化铝陶瓷、金属化层的显微结构及元素的分布情况来探索氧化铝陶瓷的低温金属化机理。研究发现金属化层中大部分MoO₃还原成活性较好的Mo颗粒,Mo颗粒间相互烧结连通为主体金属海绵骨架,同时少量的Mo氧化物与MnO、Al₂O₃、SiO 2、CaO等形成玻璃熔体,MnO、Al₂O₃、SiO 2、CaO之间也会形成MnO-Al₂O₃-SiO₂-CaO系玻璃熔体,从而获得致密、Mo金属与玻璃熔体相互缠绕、包裹的金属化层。金属化层中的两种玻璃熔体先后渗透、扩散进入氧化铝陶瓷晶界从而实现陶瓷与金属化层之间的连接。金属化层中还原的Mo金属与Ni层之间形成Mo-Ni合金,从而实现Ni层与金属化层之间的结合。     

金属化层表面状况的不同处理方法对陶瓷金属封接强度的影响

针对陶瓷金属封接,分别采取了打磨法和酸洗法两种不同的方法对陶瓷金属化层的表面状况进行处理,得到了两种不同的表面状态。利用划痕测试法,分析比较了两种方法制备试验件表面的电镀镍层的结合力情况。进行抗拉实验,研究比较了采用两种不同方法处理后的陶瓷抗拉试验件的封接强度。研究表明,酸洗法对金属化陶瓷表面的处理可以使金属化层得到更为良好的表面状态,是一种可以提高陶瓷金属封接强度的有效可行的方法。     

陶瓷金属化Mo粉测试及球磨工艺

陶瓷金属化生产中的Mo粉,通过采用科学的球磨方法,根据经验及理论公式计算球磨过程的各个工艺参数,进行各项生产性试验测试分析,应用于生产,产品的抗拉强度及一次金属化层微观形貌均达到了理想的要求,并经多次试验重复,肯定了这一工艺改进的正确性。     

用Weibull分布函数选取陶瓷金属化的配方

介绍如何结合运用Weibull分布函数来选取陶瓷金属化配方的方法,从本文的试验结果可知,对陶瓷金属化配方的选取应该结合平均封接强度和Weibull模数两个指标进行选取。     

Effects of metallization thickness of ceramic substrates on the reliability of power assemblies under high temperature cycling

This study focuses on the influence of metallization thickness of ceramic substrates on reliability and lifetime of electronic power assemblies under high temperature cycling. The paper presents experimental and numerical results on different test vehicles with a number of DCB substrates with AlN ceramic and different copper thicknesses. It will be shown the influence of the DCB metallization on failure modes such as ceramic fracture and solder delamination under high temperature cycles. Finally, these samples will be compared with DCB substrates equipped with dimples and DAB substrates. Furthermore, the main factors that could increase the lifetime expectancy of power modules in such harsh environments will be identified.