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相似文献
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1.
电可改写集成电路(Electrically Erasable integrated circuit,EEIC)包括电可改写可编程只读存储器(EEPROM),闪速存储器(Flash memory)和可编程电可改写逻辑器件(Programmable Electrically Erasable Logic Device,PEELD)三大类。电可改写集成电路的早期产品是EEPROM。EEPROM的问世,主要是解决EPROM擦除困难及成本高的问题。闪速存储器是1987年提出来的,是EEPROM走向成熟与半导体生产技术发展到1微米以下以及对大容量电可擦除存储器要求的产  相似文献   

2.
读出放大器是电可擦除非易失性存储器(EEPROM)中的关键模块,其读取速度决定了EEPROM的操作频率。基于国内先进的0.18μm工艺,对EEPROM放大器的基准电流源和比较器进行了分别设计,测试结果显示读出放大器的响应时间小于70 ns,可满足10 MHz的EEPROM存取速度的要求。  相似文献   

3.
FRAM(铁电存储器)、MRAM(磁阻存储器)和PRAM(相变存储器)等非易失性RAM相继上市,它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非  相似文献   

4.
集成电路     
集成有快闪存储器和EEPROM的μP变体 Motorola Semiconductor公司推出一种16位68HC912B32μC,其特点是,有一个32K字节快闪存储器、一个768字节EEPROM、一个1k字节SRAM和一组外围设备(定时器、ADC以及串行和I/O)端口)。这种μC由于有快闪存储器和EEPROM,所以能在生产线的终端定制产品,并易于进行现场升级。采用80脚QFP封装。电视:(852)2666-8333 传真:(852)2666-6015  相似文献   

5.
据世界半导体市场统计组织(WSTS)的预测,电可擦可编程只读存储器(EEPROM)有关产品(包括EEPROM和闪速EEPROM等)的市场规模将迅速扩大,1992~1996年间的平均年增长率可达47.5%,1996年将接近SRAM的市场规模,其中闪速EEPROM增长率尤其迅速.  相似文献   

6.
介绍了存储器分类,论述非易失性存储器编程机理以及编程/擦除耐久和数据保持试验方法,分析了MIL-STD-883B中的《耐久寿命试验》和JESD22-A117《电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)编程/擦除耐久和数据保持应力试验》等试验方法标准.  相似文献   

7.
新品橱窗     
集成电路具有安全功能部件的集成有储器SGS-Thomson Microelectronics公司的ST16SF42存储器的特点是,有16k字节ROM、384字节RAM和2k字节EEPROM。这种存储器运用于智能卡,因为它具有一种安全特性,这种安全特性能把ROM和EEPROM配置成两个ROM和两个EEPROM扇区。一个存储器的存取控制矩阵,在任何  相似文献   

8.
高手接招     
问:①佳丽彩EC-2061R型彩色电视机一台,CPU采用SAA1290—02,因原配遥控板遗失,不知其型号,请问应用何种遥控板或如何代换? ②该机只有U高频头而不能接收V段及CATV信号,现  相似文献   

9.
两种数据存储方式在英飞凌单片机系统中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
ATMEL公司的EEPROM存储器AT25128能在不脱离系统的情况下修改其存储空间单元中的内容.故可广泛用于安全性和可靠性要求较高的数据存储场合。而英飞凌单片机系统中的部分Flash也可当作EEPROM使用。文中介绍了以EEPROM方式和数据在应用编程等两种方式在英飞凌单片机系统中的应用方法。  相似文献   

10.
三、闪烁存储器闪烁存储器是在1987年提出来的[11],是EEPROM走向成熟和半导体生产技术发展到1μm以下以及对大容量电可擦除存储器要求的产物。本节首先介绍EEPROM的版图结构、电路(单元)结构及阵列结构;在分析了闪烁存储器市场之后,再对EEPROM和闪烁在储器的性能进行对比。1.闪烁存储器的特点闪烁存储器的版图结构类似EPROM[24][17],如图12所示[17]。与BEPROM不同之处是它没有所谓的隧道孔。编程(给浮栅充电)机理是利用热电子注入,这一点与EPROM相同,而与EEPROM不同。图13给出了闪烁存储器单元的电路图,实际上…  相似文献   

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