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电可改写集成电路(Electrically Erasable integrated circuit,EEIC)包括电可改写可编程只读存储器(EEPROM),闪速存储器(Flash memory)和可编程电可改写逻辑器件(Programmable Electrically Erasable Logic Device,PEELD)三大类。电可改写集成电路的早期产品是EEPROM。EEPROM的问世,主要是解决EPROM擦除困难及成本高的问题。闪速存储器是1987年提出来的,是EEPROM走向成熟与半导体生产技术发展到1微米以下以及对大容量电可擦除存储器要求的产 相似文献
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FRAM(铁电存储器)、MRAM(磁阻存储器)和PRAM(相变存储器)等非易失性RAM相继上市,它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非 相似文献
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介绍了存储器分类,论述非易失性存储器编程机理以及编程/擦除耐久和数据保持试验方法,分析了MIL-STD-883B中的《耐久寿命试验》和JESD22-A117《电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)编程/擦除耐久和数据保持应力试验》等试验方法标准. 相似文献
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两种数据存储方式在英飞凌单片机系统中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
ATMEL公司的EEPROM存储器AT25128能在不脱离系统的情况下修改其存储空间单元中的内容.故可广泛用于安全性和可靠性要求较高的数据存储场合。而英飞凌单片机系统中的部分Flash也可当作EEPROM使用。文中介绍了以EEPROM方式和数据在应用编程等两种方式在英飞凌单片机系统中的应用方法。 相似文献
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三、闪烁存储器闪烁存储器是在1987年提出来的[11],是EEPROM走向成熟和半导体生产技术发展到1μm以下以及对大容量电可擦除存储器要求的产物。本节首先介绍EEPROM的版图结构、电路(单元)结构及阵列结构;在分析了闪烁存储器市场之后,再对EEPROM和闪烁在储器的性能进行对比。1.闪烁存储器的特点闪烁存储器的版图结构类似EPROM[24][17],如图12所示[17]。与BEPROM不同之处是它没有所谓的隧道孔。编程(给浮栅充电)机理是利用热电子注入,这一点与EPROM相同,而与EEPROM不同。图13给出了闪烁存储器单元的电路图,实际上… 相似文献