8—12μm超晶格量子阱红外探测材料与器件的新进展

本文叙述天文用红外列阵器件发展的背景和研制过程中遇到的主要困难以及可能的解决途径。在此基础上介绍了使用各种读出电路的列阵器件的基本原理和发展现状,最后介绍几种有代表性的高水平红外列阵器件及其天文应用情况。     

8—12μm量子阱超晶格红外探测器材料与器件

介绍了近年来迅速发展的8～12μmGaAs-GaAlAs多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga_(1-x)In_xSb应变超晶格材料和器件以及HgTe-CdTe超晶格材料的简单原理、特点及国外最新动态。预计在90年代它们将与HgCdTe材料和器件同样受到人们的关注与重视。     

超晶格和量子阱红外探测器研究进展

本文综述了超晶格和量子阱红外探测器的发展。文章简要地阐明了超晶格和量子阱的原理,详细地介绍了业已发展的各种超晶格和量子阱红外探测器的原理、结构和性能等。还介绍了几种最有希望用于探测器制造的超晶格材料。     

Ⅲ—Ⅴ族超晶格量子阱结构红外探测器最新进展

半导体超晶格量子阱作为新一代微电子器件材料而迅速堀起,亦为寻求品质优异、具有特殊性能的红外探测器材料开拓了一个全新的能带工程领域。本文综述了国外发展很快的Ⅲ-Ⅴ族超晶格量子阱红外器件,着重介绍近两年的新成果。     

Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格量子阱红外探测器和焦平面阵列现状

文章主要介绍 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格量子阱长波红外探测器和新颖的红外焦平面阵列的现状。     

10μm GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器研究

采用量子阱中唯一束缚态到扩展态间的光吸收,研制成中心波长10μm的探测器。本文给出了器件性能测试结果,并讨论了存在的主要问题。     

宽带3-5μm量子阱红外探测器的研制

采用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了n型掺杂的应变InGaAs/A1GaAs多量子阱结构,制作成3-5μm波段的量子阱红外探测器,响应峰值波长λp=4.2μm,响应带宽可达△λ/λ=50%,500K黑体探测率DBB(500,1000,1)达1.7×1010cm@Hz1/2/W.     

量子电子器件——谐振隧道晶体管(RTT)

本文介绍了RTT的概念和谐振隧穿双势垒(DB)的理论,综述了RTT的最新进展,其中包括基区和发射区内有DB的谐振隧道双极晶体管(RTBT)、多态RTBT、超晶格RTBT、双极量子RTT(BiQuaRTT)和单极量子线RTT。     

Photoresponse study of normal incidence detection in p-type GaAs/AIGaAs multiple quantum wells

We studied p-type GaAs/AIGaAs multiple quantum well (MQW) materials as a possible alternative to the current n-type GaAs/AIGaAs MQWs for infrared detection. The advantage of p-type MQWs is that absorption of infrared radiation at normal incidence is not selection rule forbidden as it is for the n-type. We have verified that significant photoresponse occurs at normal incidence in p-type MQWs. We studied changes in the photoresponse spectrum as a function of well width and temperature. The MQW heterostructures were designed to use bound to continuum intersubband absorption in the GaAs valence band and to have a peak photoresponse near 8 μm. The photoresponse spectrum was compared to the first theoretical model of the bound to continuum absorption in p-type GaAs/ AlGaAs MQWs. The theoretical absorption curve was found to be in good qualitative agreement with the experimental results.     

新颖红外发光二极管

主要介绍近几年国外研制的红外正面、侧面发光二极管和超辐射发光二极管的最新进展，并对新开发的超晶格、量子阱发光二极管的基本结构、性能、制造技术和应用前景作了简要叙述。     

基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器

采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAs QWIP焦平面探测器阵列。 用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估,针对不同材料结构,实现了9 μm和10.9 μm的截止波长; 黑体探测率最高达到2.6×109 cm·Hz1/ 2·W-1 。 将128×128 AlGaAs/GaAs QWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连,成功演示了室温环境下目 标的红外热成像;并进一步讨论了提高QWIP组件成像质量的途径。     

AlxGa1−xN/GaN multi-quantum-well ultraviolet detector based on p-i-n heterostructures

We report on characterization of a set of AlGaN/GaN multiple-quantum-well (MQW) photodetectors. The model structure used in the calculation is the p-i-n heterojunction with 20 AlGaN/GaN MQW structures in i-region. The MQW structures have 2 nm GaN quantum well width and 15 nm Al_xGa_1−xN barrier width. The cutoff wavelength of the MQW photodetectors can be tuned by adjusting the well width and barrier height. Including the polarization field effects, on increasing Al mole fraction, the transition energy decreases, the total noise increases, and the responsivity has a red shift, and so the detectivity decreases and has a red shift.     

非制冷红外探测器用热释电陶瓷材料研究进展

热释电材料是非制冷红外探测器的关键敏感材料之一。介绍了非制冷红外探测器用热释电材料的分类以及国内外研究现状,重点评述了介电模式工作的热释电陶瓷材料的研究进展,并指出了它的发展方向。     

长波长多量子阱红外焦平面成像技术及其应用

介绍了长波长多量子阱焦平面红外热成像的发展概况.论述了多量子阱焦平面阵列的主要结构:超晶格多量子阱红外探测器及读出电路.分析了它们的结构特点及工作原理.文中就QWIP FPA的主要性能进行了讨论.最后概括了近年来QWIP FPA技术的研究进展与应用.表明了它具有广阔的应用前景.     

量子阱红外探测器的研究与应用

讨论了量子阱红外探测器的量子阱结构以及光耦合模式的研究状况，简要介绍了该探测器在国防、工业、消防和医疗方面的应用。     

热释电材料及其应用

对热释电材料进行了分类 ,对热释电材料、热释电传感器、热释电探测器的性能作了介绍 ,提出了一些改进热释电材料性能的方法 ,对热释电材料的研究现状和应用前景作了探讨。