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LTCC互连基板金属化孔工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
LTCC基板互连金属化孔工艺技术是低温共烧陶瓷工艺过程中的关键技术,它直接影响陶瓷基板的成品率和可靠性。文章从影响互连金属化孔的因素出发,介绍了金属化通孔填充工艺及控制技术、金属化通孔材料热应力的影响、金属化通孔材料收缩率的控制等三方面技术,并给出了如下的解决方案。采用合适的通孔填充工艺技术和工艺参数;合理设计控制通孔浆料的收缩率和热膨胀系数,使通孔填充浆料与生瓷带的收缩尽量一致,以便降低材料的热应力;金属化通孔烧结收缩率的控制可以通过导体层的厚度、烧结曲线与基板烧结收缩率的关系、叠片热压的温度和压力等方面来实现。 相似文献
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低温共烧陶瓷基板材料学上的进展 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了玻璃-陶瓷和玻璃 陶瓷两种低温共烧陶瓷(LTOC)基板主要途径上的进展,着重提到氧化物混合物 陶瓷该方法的优点,同时介绍了对LTOC金属化材料的要求、组成和选用,简述了工艺因素和烧结时的界面反应对LTCC电容器、电阻器性能的影响。 相似文献
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《微纳电子技术》2019,(10):797-805
简述了低温共烧陶瓷(LTCC)介质基板的优缺点,介绍了国内外LTCC基板材料的主要生产厂商,综述了LTCC材料中的玻璃/陶瓷体系和微晶玻璃体系。分析介绍了国内外主要研究机构开发的玻璃/陶瓷材料,总结了不同陶瓷材料的介电性能和热学性能;介绍了以Ferro公司的A6系列微晶玻璃体系为代表的陶瓷材料,总结了不同微晶玻璃材料的介电性能和热学性能。分析了LTCC材料的加工工艺,简述了实现LTCC材料零收缩的不同技术。论述了LTCC材料在电子元器件、封装基板、功能器件和集成模块中的应用。最后指出了国内LTCC材料和技术开发的不足,并展望了未来的研究和发展方向。 相似文献
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低温共烧陶瓷(LTCC)实现微波多芯片组件(MMCM)的一种理想组装技术.论述了制造微波多芯片组件的LTCC基板工艺,分析了LTCC基板生瓷材料在热切过程刀体运动流程以及其控制特点,研究了刀体在高速热切过程中的速度控制特点,提出了在确定结构下实现LTCC热切刀体的高精度和高速度控制方法,实验证明,在切割精度不受影响的情况下该方法提高了切割效率,减小了在高加减速情况下对机械系统造成的冲击。 相似文献
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LTCC工艺技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
叙述了LTCC技术的起源、特点及未来发展趋势.介绍了LTCC产品的种类、优越性及广阔的应用领域,对LTCC工艺技术中高精度金属化印刷技术和陶瓷高温共烧技术进行了深入研究,剖析了影响金属化印刷精度、导体表面粗糙度、LTCC基板翘曲度和陶瓷强度的工艺因素.并分析了如何根据产品布线特点来设计和优化印刷工艺参数、如何根据基板结构特点来设计和优化排胶曲线.通过大量的工艺试验和数据测试,结果表明,印刷压力影响金属化导体精度和表面粗糙度、烧结曲线排胶段升温速率影响LTCC基板翘曲度和陶瓷强度. 相似文献
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重烧对LTCC基板性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在LTCC基板制造工艺中经常需要进行后烧结,本文对Dupont951和FerroA6-MLTCC材料烧结后的LTCC基板多次重烧后的电性能、机械性能、材料结构的影响进行了研究。重点研究了重烧对材料的结构和机械性能的影响。从研究的结果来看,重烧对LTCC基板的电性能影响较小,对基板的材料结构和机械性能有一定的影响,其中重烧对Dupont951的机械性能影响较大。 相似文献
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平面零收缩LTCC基板制作工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
LTCC基板的共烧收缩均匀性受到材料和加工工艺的影响较大,使烧成基板的平面尺寸难以精确控制,成为LTCC基板实现高性能应用的一大障碍,需要重点突破。文章在简要介绍了常见平面零收缩LTCC基板制作工艺技术的基础上,通过精选LTCC生瓷带并设计10层和20层LTCC互连实验基板,提出评价指标,根据自有条件开展了自约束烧结平面零收缩LTCC基板的制作工艺研究,重点突破了层压与共烧工艺,将LTCC基板平面尺寸的烧结收缩率不均匀度由通常的士0.3%-±0.4%减小到小于士0.04%,可以较好地满足高密度高频MCM研制的需要。 相似文献
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陶瓷材料的成膜技术是制造低温共烧多层陶瓷基板的关键技术之一,本文介绍了低温共烧(800-900℃),低介电常数(ε〈5)多层陶瓷基板中,流延料浆的配制及最佳流延工艺参数的研究。 相似文献
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本文报道采用流延法制备的热释电厚膜陶瓷材料直接装配的单元红外探测器,该方法大大简化了目前探测器的制备工艺,极大地提高了材料的利用率,器件的性能也达到了目前探测器的水平。 相似文献
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采用流延成型工艺制备了硼硅酸盐玻璃/氧化铝陶瓷生瓷带,并经烧结制备了陶瓷试样。研究了烧结温度对所制陶瓷烧结性能、介电性能与微观结构的影响。结果表明:随着烧结温度的升高,所得陶瓷试样的体积密度、烧结收缩和介电常数均先增大后减小;当烧结温度达到850℃时,陶瓷试样中开始析出钙长石晶相;经880℃烧结所得陶瓷性能较佳:体积密度为3.08 g/cm3,在20 MHz下相对介电常数为7.7,介质损耗为2.0×10–4,25~600℃内线膨胀系数为8.3×10–6/℃,满足LTCC基板材料的应用要求。 相似文献
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介绍了铁氧体基片的研究现状及其流延成型工艺原理,重点分析了铁氧体粉体表面性质、浆料的稳定性以及不同流延体系的干燥机理,并对铁氧体基片流延成型的发展趋势进行了展望. 相似文献
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以熔盐法制备的BaBi4Ti4O15片状粉体作为模板,流延法制备了BaBi4Ti4O15压电陶瓷,并与传统固相法制备的BaBi4Ti4O15压电陶瓷进行比较。通过XRD分析不同工艺制备的陶瓷样品相结构,SEM观察其微观形貌。结果表明:流延法制备的BaBi4Ti4O15陶瓷在(00l)方向实现了定向排列,且随着模板含量的增加,(00l)晶面的定向度f增加,模板质量分数为20%时,f=57.7%。另外,流延法制得的BaBi4Ti4O15陶瓷样品容易致密,当烧结温度从1 140℃到1 145℃时,密度由5.39 g.cm–3增大到6.64 g.cm–3,在1 150℃达到最大密度7.39 g.cm–3。 相似文献
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为了在低于1400℃的烧结温度下获得相对密度高于95%的氧化钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷,将粒径不同的YSZ粉体球磨混合成双粒径组分粉体,采用流延成型工艺制得生坯并分别在1 350,1 400,1 450℃下进行烧结。研究了双粒径粉体的组分对所制YSZ陶瓷性能的影响。结果表明:粗细粉组成的双粒径粉体试样烧结密度较之单一原料粉体有所提高,微米级(中径1.46μm)粉体与造粒后的纳米级(中径90 nm)粉体进行级配(质量比7∶3)后在1 350℃烧结所制的YSZ陶瓷相对密度达到97%。 相似文献
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氮化硅陶瓷力学性能优异,理论热导率高,是大功率电力电子器件的关键热管理材料。但是,高导热氮化硅陶瓷烧结温度高、保温时间长,因此制备成本居高不下,对于产业化应用不利。本研究提出了一种快速制备高导热氮化硅陶瓷的方案。以Y2O3-MgO-C作为烧结助剂,以高纯硅粉作为起始原料,通过流延成型和硅粉氮化制备素坯,在1900℃、0.6MPa保温2h制备出高导热氮化硅陶瓷。研究了C的添加量对于氮化硅陶瓷的致密化、晶相、微结构、力学性能以及热导率的影响规律。最终制备的氮化硅陶瓷密度可以达到99%以上,热导率达到98W/m·K。 相似文献