InSb的镁,锌离子注入

本实验选择较轻元素镁和较重元素锌对n~-InSb进行离子注入,用LSS理论估算了注入离子浓度和结深,结合霍耳测量结果就理论值与测量值的差异进行分析,提出实验中存在的注入离子反射损失率问题,考虑了离子反射损失的修正并估算了几个样品的有效注入离子的掺杂效率。     

高精度电阻、电容形成技术

本文介绍了几种集成电路物工艺中高精度电阻和电容的制作方法。     

λ～3μm短波长中红外量子级联激光器的发展及最新研究成果

量子级联激光器是一种基于子带间电子跃迁的新型单极光源.随着量子级联技术的发展,短波量子级联激光器的发展尤为重要.文章简单地介绍了最近新发展的短波量子级联激光器全新的工作原理、结构设计思想以及它所固有的特点,对其研究现状进行了简略总结,同时对其未来的发展作出展望.     

多晶硅有晶体管直流特性研究

研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能的进行比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率,高的电流能力,改善了ＥＢ击穿和ＣＢ击穿,电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件。     

基于Mg掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管

采用Mg掺杂有机受体材料3,4,9,10 perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)做为电子注入层,Ag做为阴极,制备了一种新型的有机发光二极管.同传统的Mg:Ag合金电极相比,PTCDA:Mg/Ag对Alq3的电子注入能力略有提高,但是由于Ag在可见光范围内的反射能力高于Mg:Ag合金,相应器件的效率提高了近40%.在无定形的PTCDA:Mg薄膜中,Mg和PTCDA被认为通过弱关联作用形成一种络合物.     

GaAs基量子级联激光器材料结构设计的进展

GaAs基量子级联激光器的出现,在器件的设计制作和处理工艺上开辟了有意义的前景。本文概述了近年来GaAs基量子级联激光器在波导核心层、波导以及光学谐振腔方面设计的原理、进展,并介绍了一些新颖的结构。     

GaAs/AlGaAs量子级联激光器

利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm的GaAs/Al0.45Ga0.55As量子级联激光器.条宽35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW.     

甚长波碲镉汞探测器的注入区扩散研究

在碲镉汞甚长波320×256探测器上制备了不同注入区光刻尺寸的区域,通过对不同区域的信号及注入光刻尺寸的关系进行分析对比和数据拟合,获得了不同温度下的扩散距离和单位有效光敏面积在单位时间的响应电压,对于碲镉汞甚长波探测器的器件版图设计和性能提升提供了可靠的数据支撑。     

VDMOS均匀掺杂外延区的优化设计

本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析,首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式．在此基础上提出了ＶＤＭＯＳ为均匀掺杂外延区时的优化设计理论：对于各种高压ＶＤＭＯＳ,只要外延区厚度取为同衬底浓度下突变结击穿时耗尽层宽度的最佳分割长度,即穿通因数Ｆ的倒数η为０７５时,就可保证外延区Ｒｏｎ为最小．凭借此理论,本文首次推出了ＶＤＭＯＳ外延区优化设计的严格理论公式,纠正了一些文献引用经验关系或突变结关系导出的设计公式的不准确性及错误结论．这些理论结