一个估算重离子在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和ΔR_p的经验公式

我们用中子活化分析和RBS技术测量了几种能量的~(73)As~+和~(132)Xe~+离子注入SiO_2和Al_2O_3膜的射程参数R_p和△R_p.把实验结果与投影射程统计计算的理论值作了对比.在总结国内外多种实验结果的基础上,找出了一个估算重离子(Z≥30,E=30-400KeV)在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和△r_p的经验公式.该公式对R_p的估算值与多种实验值的差异一般小于10％、△R_p的差异一般小于15％.     

电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si中SiO_2禁带的影响

根据X光激发电子能谱(XPS)中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系,提出了对一个已有唯像模型的修正,由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化。将这个方法应用于经历60Co辐照的Si3N4/SiO2/Si,结果表明:从SiO2到Si存在SiO2禁带的弯曲,而辐照将SiO2禁带变薄;同时,SiO2禁带的变化明显依赖于辐照条件。就实验现象的机制进行了探讨。     

氮离子注入形成Si_3N_4埋层构成的SiO_2/Si/Si_3N_4/Si多层结构的研究

本文通过 C(V)特性测定、扩展电阻测定及 TEM实验研究了SiO_2/表层硅/Si_3N_4/体硅多层结构各界面的性质、结构随热处理的变化等,并在此基础上提出了这一系统的纵向结构的图象.     

石英SiO_2改性Al_2O_3陶瓷性能研究

以高纯石英SiO2、氧化铝粉末为原料,采用传统固相反应法在1 580℃空气中烧结得到了致密的Al2O3封装陶瓷。研究了不同石英SiO2/Al2O3配比对Al2O3陶瓷的热学性能、力学性能及介电性能的影响。研究结果表明,当石英SiO2的质量分数为3.5%时,在1 580℃烧结温度下保温3h所得样品综合性能最佳。陶瓷试样密度为3.85g/cm3,抗弯强度达到517 MPa,热膨胀系数为6.6×10-6(300℃),介电常数为9.4。     

电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用

采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于S iO2/S i界面区S i3N4态(结合能B.E.101.8 eV)S i的浓度。同时辐照中所施偏置电场对S iO2/S i界面区S i3N4态键断开有显著作用。文中就实验现象的机制进行了初步探讨。     

Ta_2O_5和Al_2O_3薄膜的离子辅助淀积

本文介绍用离子辅助淀积法制作的Ta_2O_5和Al_2O_3薄膜的特性。测量了用不同的离子能(300、500及1000eV)和离子流密度(0～200μAcm~(-2)轰击制作的膜的折射率和消光系数。     

恒压应力下超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质与SiO_2栅介质寿命比较

以等效氧化层厚度(EOT)同为2.1nm的纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质为例,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法,并在此基础上比较了纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质在恒压应力下的寿命.结果表明,Si3N4/SiO2叠层栅介质比同样EOT的纯SiO2栅介质有更长的寿命,这说明Si3N4/SiO2叠层栅介质有更高的可靠性.     

Si_3N_4/SiO_2绝缘栅氢离子敏感晶体管研制及敏感机理的分析

前言 目前,飞速发展的生物学和生物医学工程迫切要求获得更多的生物学数据,特别感兴趣测量如H~ 、Na~ 、K~ 等离子活度及其离子活度的变化。大家知道,医生给病人看病,就是询问病情,化验血液、粪便等,直接或间接地获得有关病情的资料或数据,然后对这些数据进行处理,对症下药,一组科学的、真实的数据对病情诊断治疗方案都会产生直接的影响。人们渴望能制造测量人体生理数据的各种新型器件,如用离子敏感器件测人体血液的PH值,用压敏器件测血压等…以满足生物、医学工程发展的需要。最近,我们试验成功以Si_3N_4/SiO_2绝缘栅氢离子敏感晶体管,其灵敏度为45mV/PH左右,比我们去年试制的SiO_2绝缘栅离子敏感晶体管灵敏度好,予期它在测量人体血液中的氢离子活度方面将开辟出新的     

Al／Si_3N_4／TbFeCo／Si_3N_4磁光盘厚度定量计算方法

研究用ＸＲＦ基本参数法计算磁光盘的厚度和组成，铝层厚度用ＡＩＫα线计算，两层氨化硅厚度都采用ＳｔＫα线计算确定，磁光记录层采用ＦｅＫα，ＣｏＫα和ＴｂＬα线来确定其厚度及组成。列出了膜厚方程，可由计算机很快解出，其结果与标准符合很好。     

Si_3N_4膜pH-ISFET输出特性研究

通过对 pH-ISFET的长时间测量,发现器件的输出偏离 Nernst方程.提出了器件输出由快响应、慢响应和时漂三部分组成,以及器件响应与时漂数据的提取方法.证明了快慢响应的共同作用符合Nernst方程,慢响应的响应幅度小,长达数小时之久.在响应初期观察到的器件漂移,主要是慢响应造成的.     

PECVD Si_3N_4膜工艺研究

本文叙述通过射频电场产生的辉光放电等离子体,在200～300℃的温度条件下淀积Si_3N_4膜。给出不同射频功率、淀积温度和Si/N气体浓度条件下得到的淀积速率、腐蚀速率和折射率等实验数据,以及它们对膜质量、膜均匀性的影响。同时还给出红外光谱仪分析膜组分的结果。     

激光合成非晶态Si_3N_4粉末

本文描述了大功率 CO_2激光辐照 SiH_4+NH_3的快速流动气体合成 Si_3H_4超细粉末的实验,揭示了激光谱线变化对合成反应的影响。讨论了粉末红外吸收光谱的畸变现象等。     

激光合成非晶态Si_3N_4粉末

用400W连续CO_2激光辐照SiH_4以及SiH_4+NH_3的快速流动气体,获得了非晶硅粉末和非晶氮化硅粉末,颗粒度<0.2μm。观察了压力、流速、配比、谱线、功率与生成物之间的关系。对生成的粉末进行了化学计量、全相、光谱和结构分析,发现激光合成的非晶Si_3N_4粉末Si-N键红外吸收峰为951cm~(-1),相对于其它方法得到的非晶Si_3N_4有较大蓝移现象,甚至     

光刻工艺中Si_3N_4膜的化学腐蚀

本文讨论了光刻工艺中Si_3N_4膜的几种化学腐蚀的工艺、原理及影响化学腐蚀的一些因素,并对干法化学腐蚀与湿法化学腐蚀进行了较为详细的比较。     

Al_2O_3钝化工艺简况

目前,半导体器件及电路已经广泛地应用在通信、雷达、遥控遥测、电子计算机、航天技术、工业自动化控制及各种仪器表中。这些领域对半导体器件及电路的可靠性提出了愈来愈高的要求。     

用Si_3N_4/SiO_2作栅介质的P沟硅栅大规模集成器件的制备

本文详细地叙述了用 Si_2N_4/SiO_2作栅介质的 P 沟硅栅器件的工艺。这个特殊工艺的许多引人注目的特点包括多晶硅和硅的接触.用玻璃流变退火获得改善了的金属台阶覆盖层,较低的快态密度以获得好的 l/f 噪声特性和采用砷离子注入获得的高的寄生场阈值电压。     

Si_3N_4晶界相的电子显微镜和EDS能谱研究

对于重烧结以及重烧结后再进行热处理的Si_3N_4样品分别进行了透射电子显微镜和能量色散谱EDS分析。在重烧结但未经热处理样品中发现,无论是三晶粒晶界还是两晶粒晶界相,主要是含钇的玻璃相。在重烧结又经热处理样品中,发现三晶粒的晶界相大部已转为YAG晶体。二晶粒晶界仍有极少量的玻璃相。我们的结果指出,正是晶界玻璃相结晶化,提高了材料的高温强度。本工作还发现,经热处理的样品中Si_3N_4晶界处的YAG相具有区域性择优取向。这可能是影响力学性能的重要因素。     

电子辐射对Si_3N_4结构的作用

以前的研究表明,高能电子束只对α-Si_3N_4产生辐射损伤。而对β—Si_3N_4不产生辐射损伤。本研究表明,高能电子束对于β—Si_3N_4虽然不象对于α-Si_3N_4那样,产生较严重的辐射损伤,但也可以产生损伤。我们对这种结构损伤进行高分辨电子显微镜观察,并且在原子水平上进行了研究。研究结果指出,高能电子     

在InP表面淀积Si_3N_4薄膜的研究

本文报导了用CVD的方法在InP、InGaAsP四元层表面淀积Si_3N_4薄膜的工艺。并对影响Si_3N_4薄膜的淀积速率、折射率、腐蚀速率的各种因素进行了实验和分析。实验结果表明:用该方法所淀积的Si_3N_4薄膜,重复性、均匀性都较好,该薄膜已较好地用于激光器的研制中,作为窄条光刻腐蚀保护膜和扩散掩蔽膜,得到了理想的效果。     

低温烧成Al_2O_3陶瓷

本文详细介绍了两种低温烧成９６％Ａｌ_２Ｏ_３陶瓷的配方及制作工艺，讨论了其低温烧成原理和需采用的相应工艺技术。