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本文提出一种新的用于CMOS图像传感器像素的光电检测器--双极结型光栅晶体管。由于引入p^ n注入结,光电荷的读出速率大大增加,改善了CMOS图像传感器的工作速率和响应灵敏度。尽管传统的光电集成电路的电路级模拟采用微电子集成电路的模拟方法,但是光电子集成电路不仅含有微电子器件和电信号还含有光电检测器和光信号,采用传统的集成电路模拟方法有其局限性。本文提出一种行为级模拟方法(光电子检测器设计的新方法,利用C、MATLAB和HSPICE等语言写出光电子器件的模拟器)来模拟分析双极结型光栅晶体管的特性。基于0.6μm CMOS工艺的分析结果表明双极结型光栅晶体管在不同栅氧化层厚度随栅压变化与传统光栅晶体管的特性一样,但光电流密度呈指数式增长且光电流密度增大,因此改善了CMOS图像传感器的工作速率和响应灵敏度。 相似文献
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对绝缘栅双极晶体管(GBT)的工作特性进行了理论分析。由于IGBT所含的PNP晶体管是宽基区、低增益的,因此在分析其工作特性进用了双极传输理论。在分析瞬态特性进用准静态近似(NQS),精确地描述了IGBT的瞬态特性。 相似文献
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随着绝缘栅双极性晶体管(IGBT)使用的电压等级越来越高,关于绝缘栅双极性晶体管(IGBT)开关暂态的研究显得尤为重要。在机理模型的基础上能细划分为MOSFET与BJT,即金属氧化层半导体场效晶体管与双极结型晶体管两个部分,对其进行建模,列举出模型参数提取方法。该模型可在Matlab中实现,把IGBT作为案例列出模型参数数值,分析比较高压开通暂态、关闭暂态与开关损耗仿真结果,以此检验机理模型对高压IGBT是否适用。 相似文献
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Stefan Strózecki 《电子设计技术》2005,12(12):88-88
以前曾经有一个设计实例介绍了用动圈模拟表头测量小于1A电流的十分有趣和有用的方法(参考文献1)。这种设计在表头运转的灵敏度和测量范围选择方面有相当好的灵活性.并且简化了分流电阻器的选择工作。虽然该设计使用了一支双极晶体管来驱动电表,但在某些情况下,MOSFET管会是更好的选择。原始电路中用一个压控电流吸收器来测量双极晶体管的射极电流.而用晶体管的集电极电流驱动模拟表头。双极晶体管的射极和集电极电流(分别是IE和IC)并不相等.原因是射极电流中还包含有基极电流IR。 相似文献
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本文对双极型静电感应晶体管(BSIT)的工作机理进行了二维分析,给出了明确的BSIT从单极作用机制到双转变过程的物理图象。得到了作用机制转变时的栅压、势分布以及载流子和电场分布等的数值计算结果。 相似文献
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双管S型负阻器件的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有S型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端S型负阻器件(TBNRD器件)。本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。 相似文献
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提出了采用对LDMOS漂移区表面进行分段离子注入,对表面电场进行了整形的一种新结构高压RESURFLDMOST。利用二维数值模拟对这种器件结构的分析表明,这种新结构显著降低了表面电场峰值,降低了采用RESURF技术导致的耐压对工艺参数变化的敏感性,并在耐压不降低的情况下缩短器件漂移区长度,得到低的比导通电阻Ron.A。 相似文献
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微电子技术的发展现状与展望 总被引:1,自引:0,他引:1
本文分析了微电子技术的发展状况,尤其对集成电路的加工和设计作了较为深入的考察。对本世纪末微电子技术各个领域的发展前景进行了展望。同时,对如何发展我国的微电子技术提出了一些意见和建议。 相似文献
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