光致负阻双极型光电三极管2×8阵列设计

探讨并分析具有光致负阻特性的双极型硅光电三极管阵列中各单元器件设置偏流隔离电阻的必要性。给出了２×８阵列整体设计的初步方案及试验结果。     

光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特性，设计和制造了在光强度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ，     

SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系

文章对电阻为负载时,硅光电负阻器件（ＳＰＮＲＤ）的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析。定义了描述静态光学双稳态特性的７个基本参数,并分析了负载电阻（ＲＬ）和电源电压（Ｖ０）对这些参数的影响,理论分析结果与实测结果相一致,所得出的结论适用于由负阻特性产生双稳态特性的所有情况１。     

光电负阻晶体管的初步研究

本文对“λ”双极晶体管型光电负阻晶体管，首次给出了完整的等效电路，并以此等效电路为基础，用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对ＰＬＢＴ的Ｉｐｈ－ＶｃＥ特性进行了模拟。模拟结果与从ＰＬＢＴ实验性器件实测的Ｉｐｈ－ＶＣＥ特性吻合得很好，初步研究还表明，此器件除了作为光探测器外，还具有光生振荡和光控调频等功能。     

光电双向负阻晶体管的研制及特性分析

首次对双向负阻晶体管(BNRT)进行了光敏化,设计并研制出既有光敏特性又有“S”型负阻特性的一种新型光电开关器件——光电双向负阻晶体管(PBNRT)。介绍了器件的设计和研制过程;测量分析了其J—V特性与光强和栅极电压的关系;测量了光电开关的时间常数并进行了分析讨论。     

硅光电负阻器件的光电功能

全面介绍了从硅光电负阻器件上发现的几种光电控制功能,为进一步开发应用这类器件奠定了基础。     

一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管(photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.     

硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性

在本文中,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究.硅光电负阻器件包括有各种类型,本文主要对"λ"型双极光电负阻晶体管(PLBT)以电阻和光电二极管作为负载的情况进行了讨论.     

一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件--光电双耦合区晶体管(photoelectric dual coupled area transistor,PDUCAT),它是由一个P+N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.     

新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析

给出了达林顿λ型光电双极晶体管(DPLBT)的结构及其等效电路,并以此等效电路为基础,用PSPICE电路模拟程序对DPLBT的电学特性(IC-VCE)进行了模拟,对所研制的DPLBT器件进行了测试,并对模拟和实验结果作了深入分析,其IC-VCE特性与模拟结果符合得较好.研究发现DPLBT具有良好的特性和多种光电功能,在光逻辑、光计算、光通信等领域中具有较好的应用前景.