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熔盐法合成钛酸铋钾陶瓷粉体 总被引:1,自引:0,他引:1
以K2CO3,Bi2O3和TiO2为反应物,KCl为熔盐,通过熔盐法在600℃成功合成纯钙钛矿结构K0.5Bi0.5TiO3(KBT)无铅陶瓷粉体。探寻了制备过程中影响粉体颗粒大小和形貌的工艺参数,并对影响机理进行了探讨。结果表明,与传统固相法相比,熔盐法合成温度显著降低且颗粒平均粒径明显减小。固相法合成的粉体平均粒径为115nm,KCl含量5%和20%的熔盐法合成粉体平均粒径为78nm和67nm。此外,实验发现随着熔盐量的增加,易合成各向异性的棒状粉体。 相似文献
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烧结工艺对纳米SrTiO3陶瓷介电性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用sol-gel方法制备SrTiO3陶瓷粉体,利用TG-DTA分析SrTiO3干凝胶粉的分解、化合反应,初步确定了SrTiO3陶瓷预烧和烧结温度,采用SEM研究了SrTiO3陶瓷的内部结构,重点探讨了不同烧结制度对SrTiO3陶瓷介电性能的影响.研究表明,当采用在空气气氛下以5
℃/min的升温速率直接升温至1 000℃,保温0.5 h,再降温至750℃保温0.5 h后随炉冷却的烧结工艺,SrTiO3陶瓷纯度高,致密性好,晶粒粒径小于100
nm,且具有良好的介电性能,低频下相对介电常数高达3 000左右. 相似文献
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采用水热法合成了K0.5Bi0.5TiO3(KBT)无铅压电陶瓷粉体.运用X线衍射(XRD)分析了KOH浓度及反应时间对产物物相的影响;利用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察研究了粉体的形貌.结果表明,增大碱浓度(4~12 mol/L)和延长反应时间都有利于KBT纳米粉体的合成.在220℃,KOH的起始浓度12 mol/L水热合成48 h的纯KBT相呈立方形结构,晶型规整,晶粒尺寸约为100nm.由水热法制备的粉体在1060℃烧结,获得介电损耗为0.05的致密压电陶瓷材料. 相似文献
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以苯丙乳液为粘结剂,聚丙烯酸(PAA)为分散剂,丙三醇为增塑剂,去离子水为分散介质,对添加烧结助剂B2O3-CuO-LiCO3(BCL)的(Ca0.9375Sr0.0625)0.3(Li0.5Sm0.5)0.7TiO3(CSLST)微波介质陶瓷粉体进行了水基流延成型工艺的研究。通过研究各种添加剂含量对浆料流变性能的影响,得出了适合流延的浆料配方(质量分数)为:陶瓷粉料50%,分散剂1%,粘结剂10%,增塑剂与粘结剂质量比为1:4。该浆料呈剪切变稀特性,经流延可制备均匀无裂纹的流延膜片。膜片叠层后在900℃下烧结具有较佳的微波介电性能:εr=75.8,Q×f=1 422 GHz,τf=13.39×10–6/℃。 相似文献
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《电子元件与材料》2021,40(1):19-23
为制备低介电常数低损耗微波复合介质基板材料,采用压延工艺,以空心球陶瓷粉为填料制备了聚四氟乙烯(PTFE)基复合基板,系统研究了空心陶瓷粉含量对PTFE基复合基板微观结构和综合性能的影响。结果表明,随空心球陶瓷粉含量的增加,PTFE基复合基板材料断面形貌出现空心球破碎的现象,相对密度逐渐降低,介电常数和介电损耗先降低后升高,吸水率逐渐升高,抗剥离强度呈现下降趋势。当空心球陶瓷粉质量分数为31.3%时,空心结构完整,PTFE基复合基板介质层的密度为1.302 g/cm~3;相对介电常数和介电损耗均最小,分别为1.9659和6.06×10~(-4);吸水率为0.2%,抗剥离强度为2.725 N/mm。 相似文献
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湿化学法合成CLSNT微波介质陶瓷粉体 总被引:1,自引:0,他引:1
用改进的 Pechini 法合成 Ca_(0.28)Li_(0.15)Sm_(0.28)Nd_(0.15)TiO_3(CLSNT)陶瓷粉体。采用 TG、DTA、XRD 和 SEM等技术对 CLSNT 陶瓷粉体进行分析。在 600℃预烧 3 h 后,钙钛矿结构的 CLSNT 相形成,但有少量 Sm_2Ti_2O_7、TiO_(1.49)、Ti_3O_5、Ti_4O_7 相。预烧温度升高到 1 000℃,只有钙钛矿结构的 CLSNT 相。用这一方法能在相对低的温度下制备出性能优良的微波介质陶瓷。在 1 230℃下烧结 3 h,εr为 98,Q·f 为 6 360 GHz,τf 为 8×10–6℃–1。 相似文献
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微波多层板层压制造技术研究 总被引:1,自引:1,他引:1
针对一种陶瓷粉填充、玻璃短纤维增强的聚四氟乙烯高频介质材料,制造通讯用多层微波印制电路板的工艺流程,进行了简单的介绍,此外,选用ROGERS公司和ARLON公司半固化片材料,进行微波多层印制板层压制造的工艺技术进行了较为详细的介绍. 相似文献
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(1-3x)NBT-2xKBT-xBT系无铅压电陶瓷性能研究R&D 总被引:10,自引:2,他引:8
通过XRD分析,发现该体系陶瓷都能形成单一的钙钛矿型固溶体,并在0.025≤x≤0.035范围内具有三方和四方共存结构,为该体系的准同型相界。当x=0.035时,陶瓷的压电常数d33达到150 pC/N,平面机电耦合系数kp达到0.297 7,均高于相应两元体系的压电性能。测定了该体系陶瓷材料的介电常数–温度曲线和电滞回线,发现该体系陶瓷的介电温谱都存在两个介电反常峰,分别对应于陶瓷材料的铁电–反铁电和反铁电–顺电相变。同时,该体系陶瓷具有弛豫铁电体性质。 相似文献
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Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3-LiTaO_3无铅压电陶瓷的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用传统固相反应合成法制备(1–x)Na0.5K0.5NbO3-xLiTaO3无铅压电陶瓷,研究了LiTaO3对Na0.5K0.5NbO3材料晶体结构和压电性能的影响。结果表明:随着LiTaO3含量的增加,材料逐渐由斜方相向四方相过渡。当x<0.06时,材料为斜方相;当x>0.06时,材料为四方相;并发现有未知相结构的Ta2O5存在;材料在x=0.06处为准同型相界,该组分材料具有良好的压电性能:d33=134~151 pC.N-1,kp=30%~38%,Qm=153,Nd=3 181 Hz.m. 相似文献
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采用固相法制备了LiSbO3掺杂0.8(Na0.5 Bi0.5) TiO3-0.2(K0.5Bi0.5)TiO3(简称NBT-KBT-LS)无铅压电陶瓷,研究了LS的不同摩尔分数掺杂(0≤x≤1.50%)对样品的显微结构及电性能的影响.结果表明,所制备的NBT-KBT-LS陶瓷样品均为单一的钙钛矿结构,LS的掺入促进了晶粒的长大,但由于Bi3+与Na+的挥发,导致块状晶粒的出现.掺杂一定量的LS,陶瓷的压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因子Qm、剩余极化强度Pr与矫顽场Ec均增大,表现出“软硬双性”的掺杂作用.当x=0.75%时,材料的性能最佳:d33=154 pC/N,kp=0.268,Qm =107. 相似文献
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Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3系无铅压电陶瓷的介电压电性能 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3体系无铅压电陶瓷的介电、压电性能,通过XRD分析,发现随着x的增加,陶瓷的晶体结构由三方相逐渐转变为四方相,x=0.16~0.20范围内具有三方和四方共存相结构,为该体系的准同型相界(MPB),材料在MPB附近具有最佳的压电性能.测试了陶瓷的介电温谱,表明该体系陶瓷为弛豫型铁电体,电滞回线表明陶瓷在升温过程中发生铁电-反铁电-顺电相变. 相似文献
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水热法制备纳米Na0.5Bi0.5TiO3粉体 总被引:5,自引:0,他引:5
采用Bi(NO3)3?5H2O、Ti(OC4H9)4为原料,在水热条件下研究了影响Na0.5Bi0.5TiO3(BNT)晶体生长和形成的各个影响因素,诸如:水热反应的温度、时间,NaOH浓度以及原料的种类等。实验结果表明,反应温度在160~180℃,保温时间在4~24 h,NaOH浓度为4~12 mol/L时,能制备出纯净的、立方形的纳米Na0.5Bi0.5TiO3晶体,其颗粒线度尺寸为15~55 nm。若温度低于160℃,Na0.5Bi0.5TiO3结晶程度低;若高于180℃,易形成Bi4Ti3O12。当NaOH浓度低于4 mol/L时,Na0.5Bi0.5TiO3晶相少,主要呈Bi4Ti3O12;当其高于12 mol/L时,产物主要是非晶态物质。 相似文献
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采用金属有机化学液相沉积法在Si衬底上制备了La0.Sr0.5CoO3(LSCO)导电金属氧化物薄膜,采用溶胶-凝胶法在LSCO导电金属氧化物薄膜上沉积了PbZr0.5Ti0.5O3(PZT)铁电薄膜,X-射线测量结果表明在700℃的退火温度下制备的PZT/LSCO铁电多层薄膜呈(110)取向的钙钛矿结构,谢乐公式估算铁电薄膜的晶粒尺寸为50-80nm,原子力显微镜观察结果显示:薄膜表面平整,均方根粗糙度(RMS)小于5nm,用拉曼光谱测量表明PZT薄膜呈拉曼活性,椭圆偏振光谱仪用来表征薄膜在400-1700nm波长范围的光学性质,用洛仑兹模型来描述PZT和LSCO薄膜的光学性质,获得PZT和LSCO薄膜的折射率,消光系数等光学常数谱。 相似文献
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Shuangshuang Wu Wenfeng Zhu Laijun Liu Danping Shi Shaoying Zheng Yanming Huang Liang Fang 《Journal of Electronic Materials》2014,43(4):1055-1061
The dielectric properties and conductivity behavior of WO3-doped K0.5Na0.5 NbO3 ceramics were investigated as a function of temperature (25°C to 600°C) and frequency (40 Hz to 106 Hz). The dielectric loss and direct-current (DC) conductivity of the ceramics depend strongly on the tungsten content. A high-temperature dielectric relaxation near temperature of 500°C was observed and analyzed using the semiempirical complex Cole–Cole equation. The activation energy of the dielectric relaxation was estimated to be ~2 eV and increased with increasing WO3. The frequency-dependent conductivity can be well described by the universal dielectric response law. The activation energy obtained from the DC conductivity changes from 0.93 eV to 1.49 eV. A possible mechanism for the high-temperature dielectric relaxation and conductivity is proposed based on the activation energy value and defect compensation. 相似文献