混合电路应用的新型环氧树脂

自60年代后期采用环氧树脂芯片胶粘剂以来,各种各样的环氧基胶粘剂、涂料和密封剂已经广泛用于混合电路。最近环氧树脂的研制包括以下三方面:军事应用的新的芯片粘接材料、低应力陶瓷密封剂以及新的封装化合物。事实上,新一代的高纯度环氧树脂已开始渗透到了混合电路市场。美国军用标准Mi1—883第5011项就是密封应用的新的芯片粘接标准。几家生产厂已经开发并试制成为满足新技术要求而设计的具有改进纯度和除气性能的先进的胶粘剂。高纯度     

20nm以后的集成电路技术

集成电路进入20nm以后,FinFET,EUV,450mm晶圆,3DIC等新技术不断涌现。同时为了与这些先进技术相匹配,芯片设计人员也要改变原有理念,用DFP,DFM,DFA,和DFC的新概念指引设计。     

光电子学与光通信

目前微电子芯片中功能强大的，广泛使用的硅晶体管从微型化的角度说已接近其技术极限，新的技术途径在不断探索之中。光微芯片乃至光计算机是被广泛研究的极具吸引力的新技术之一，光通信更是推动人类进入通讯新纪元的关键技术。     

THru—Si公司推出一种制造多层堆垒芯片三维封装的新技术

Thru-Si Technologies公司(位于美国加州的Sunnyvale)开发了一种新技术,可以将多个含有不同功能线路的(例如存储器,逻辑线路,模拟线路和数字线路等)芯片堆垒在一起进行封装。此项技术,称为S-WLP(stacked wafer-level package,堆     

高密度封装的发展趋势

本文描述了近年来高密度封装中出现的新技术、新结构,如载带自动键合技术(TAB)、带线四边有引线扁平封装(TQFP)和多芯片模块(MCM)结构等。论述了高密度封装的设计考虑及材料的选择。并且指出,只有低介电常数且制成薄膜的聚酰亚胺介质材料才能提高封装密度。     

三维封装中引线键合技术的实现与可靠性

结合半导体封装的发展,研究了低线弧、叠层键合、引线上芯片、外悬芯片、长距离键合和双面键合6种引线互连封装技术;分析了各种引线键合的技术特点和可靠性.传统的引线键合技术通过不断地改进,成为三维高密度封装中的通用互连技术,新技术的出现随之会产生一些新的可靠性问题;同时,对相应的失效分析技术也提出了更高的要求.多种互连引线键合技术的综合应用,满足了半导体封装的发展需求;可靠性是技术应用后的首要技术问题.     

基于0.25μm MS/RF CMOS工艺的光电单片集成接收机设计

设计了一种单片集成的光电接收机芯片.在同一衬底上制作了基于同一工艺的光电二极管与接收机电路,以消除混合集成引入的寄生影响.这种单片集成接收机采用了先进的深亚微米MS/RF(混合信号/射频)CMOS工艺,利用这种新型工艺提供的新技术对原有光电二极管进行了改进,使其部分性能显著改善,并对整个光电集成芯片性能的提高有所帮助.     

智能终端产品的芯片发展分析

智能终端产品的技术在2014年会继续发展。中国产品厂家的主要选择是芯片功耗低、价格廉。联发科和高通在智能终端产品中的核心芯片互相竞争。触控和面板驱动的芯片、视频解码芯片、砷化镓芯片成为新的技术热点。4G通讯技术启动将会促进芯片技术发展,2014年国产芯片要提升技术进入高端领域并逐渐扩大市场分额。     

铜布线面临生产实际挑战

铜布线工艺 在集成电路布线中,铝被广泛使用,其布线工艺较为简单。1997年9月,IBM公司率先推出一种称为CMOS7S的新技术,该技术在集成电路设计中采用铜代替铝作为外部导电材料,使电路布线的尺寸更加微小,芯片处理逻辑运算的能力更强。     

ASIC设计方兴未艾

<正> 现代电子产品的两个显著的时代特征是一“软”一“硬”。“软”指的是基于计算机CPU的软件编程技术,“硬”指的就是ASIC。ASIC是专用集成电路英文名称的缩写。 十年前,电子产品设计的基本思路是先选用通用的标准集成电路型号芯片(例如数字通用芯片74系列等等。这些芯片基本上都是小规模集成和中规模集成电路),再由这些芯片和其它元件构成更大的电路和电子系统。现在集成电路的制造工艺发生了巨大的变化,集成数以亿计的晶体管、几万门、几十万门电路的芯片已较为普遍。目前,这些芯片仍被笼统地称之为VLSI(超大规模集成电路)。VLSI通用芯片的发展并不     

芯片制造的电化学处理技术

电化学处理技术的性价比优势在芯片制造上是一个范例转移。Cu芯片金属化的双大马士革处理和面阵列芯片封装互连的C4(倒装)技术使电化学技术置于最复杂的制造工艺技术之间。这些工艺技术被集成到用于芯片制造的300mm晶圆处理中。新材料和工艺的持续发展来满足微处理器件不断增加性能和小型化的趋势。电迁移问题和集成超低k电介质材料与Cu镀层的新抛光方法是芯片制造中的一个关键问题。发展一个适用成本低的无铅C4芯片封装互连是微电子工业的主要目标,微电子工业正作努力在几年里市场化无铅产品。     

New 3-D Chip Stacking Architectures by Wire-On-Bump and Bump-On-Flex

Two new 3-D chip stacking technologies, wire-on-bump (WOB) and bump-on-flex (BOF), are proposed and demonstrated with their prototypes. The WOB and BOF technologies are for low cost 3-D stacking of memory chips by vertical side interconnections with metal wires and flex-circuits, respectively. These new 3-D chip stacking technologies have benefits such as a shorter signal path and 3-D stackability of an unlimited number of chips compared to wire-bonded chip stacking. In the case of the BOF technology, additional active and passive components can be either surface-mounted onto or embedded into the flex-circuit, which is an added value that other chip stacking technologies have not demonstrated so far. More importantly, the WOB and BOF technologies enable lower cost processes than Si through-via technology, which is thus more suitable for memory chip stacking. This paper describes the detailed processes for our unique chip stacking structures with vertical interconnection methods of the WOB and BOF. Finite-element modeling and thermal cycle (TC) tests are also performed to address their thermo-mechanical reliability.     

SOC设计:IC产业链设计史上的重大革命

集成电路芯片设计是IC产业链的龙头,而系统芯片(SOC)集中了芯片设计的先进技术。本文论述了SOC芯片的最新设计技术和焦点技术,包括嵌入式CPU,IP模块设计以及芯片的验证和测试等,展望了当前SOC芯片设计的发展趋势。     

基于DSPI数据传输的电压启动软件设计与实现

研究了基于DSPI发送控制数据控制燃油芯片电压的软件设计与实现中的关键技术,包括采用的数据结构、DSPI驱动、DSPI和燃油芯片的交互方式以及控制数据的功能分组与交互流程。最终给出了电压控制过程示意图,同时在喷油软件中加载本软件,实验结果表明,喷嘴能正常工作     

CSP引发内存封装技术的革命

简要介绍了几种内存芯片封装技术的特点.CSP是内存芯片封装技术的新概念,它的出现促进内存芯片的发展和革新,并将成为未来高性能内存的最佳选择.     

我国应在移动终端芯片产业关键环节和重要技术上有所突破

移动终端芯片核心技术现在仍被发达国家和地区的几家企业主导,我国虽然在一些方面有所突破,但整体上差距仍很明显,对外具有很大的依赖性。目前,移动终端芯片在技术和产业上都出现了一些新动向,这或许会成为我国发展的机遇。我国应认清差距,针对关键环节和重要技术积极布局,争取有所突破。     

Use of Silicon-Germanium Technology for the Development of Active Microwave Units of Active Electronically Scanned Arrays

The possibility of using new technologies to develop active microwave units of transmit/receive modules is considered. A comparative analysis of technological processes for core chip implementation is given. The possible achievable parameters of the universal core chip for X-band SiGe technology are estimated.     

PCB树脂塞孔工艺技术浅析

随着装配元器件微小型化的发展,PCB的布线面积,图案设计面积也在随之不断的减小。为了适应这一发展趋势,PCB设计和制造者们也在不断的更新设计理念和工艺的制作方法。树脂塞孔的工艺也是人们在缩小PCB设计尺寸,配合装配元器件而发明的一种技术方法。其大胆的设计构思和可规模化的生产确实在PCB的制作领域发挥了极大的推动力,有效的提高了HDI、厚铜、背板等产品的可靠性和制作工艺能力。了解和有效利用这一技术,也是许多PCB业者正在努力进行中的工作。文章概述了树脂塞孔的出现,发展和制作的技术方法,谨供大家参考。     

封装技术评述

评述了当前封装技术的特点以及应用,介绍了多芯片组件、突点互连技术、球栅阵列、板上芯片、板上倒装芯片和柔性电路板上芯片技术以及片上引线与引线上芯片技术。     

新型片式元器件在通信领域中的应用与发展

首先指出了电信产业的发展得益于电子元器件的发展,进而分析了元器件的发展历史,重点分析了在现今元器件中占主流的片式元器件的特点、及其发展方向,最后结合当今的信息与通信技术指出Ｌ：现代通信与信息技术的飞速发展促进了片式元器件的微型化、复合化,新型片式元件的出现和改进反过来进上步促进了新型移动通信和便携式信息终端的轻薄短小和升级换代。