光电探测器噪声分析及降低噪声的方法

探讨了光电探测器的噪声，分析了光电探测器的噪声电压、噪声电流的影响因素，并提出了解决的方法。根据探测器噪声影响因素，分析了普通检测电路存在的不足，设计了一种优化检测电路，通过减小电路带宽，减少噪声，从而提高系统的信噪比，增强探测器的探测能力。     

光电探测器噪声特性分析

光电探测器输出信号的真实性和稳定性是衡量其工作性能的重要指标.分析光电探测器的输出噪声,对提高器件工作性能的研究具有指导意义.针对光电探测器不同的噪声来源,从光电探测器噪声产生机理上全面分析了其输出噪声,给出了几种噪声电流的理论计算关系,为进一步研究光电探测器的噪声特征打下了一定的基础.     

光电探测器噪声分析及降低噪声的方法

本文探讨了光电探测器的噪声,分析了光电探测器的噪声电压、噪声电流的影响因素,并提出了解决的方法.根据探测器噪声影响因素,分析了普通检测电路的存在的不足,设计了一种优化检测电路,通过减小电路带宽,减少噪声,从而提高系统的信噪比,增强探测器的探测能力.     

光电位置敏感探测器及其应用

综述了位置敏感探测器的应用及其工作原理，介绍了位置敏感探测器的研究动态，并展望了其发展前景。     

光纤通信系统中光电探测器可靠性理论

本文详细而系统地论述了用于光纤通信系统中光电探测器的可靠性。其主要内容包括:从可靠性考虑器件的设计和制造;器件关键性参数和潜在的失效模式;探测器退化和接收机灵敏度的关系;可靠性基本概念和参数;加速老化试验;寿命试验结果与计算。     

非致冷InAsSb光电探测器的应用

一般说来,红外光电探测器均工作于3μm～5μm(中波红外)或者8μm～14μm波长范围。这一方面是因为这两个波长范围与人们进行远距离探测的两个大气透射窗口相对应,另一方面则是因为大气在5μm～8μm(长波红外)波长范围的吸收非常好。目前有一种对该波长特别合适的应用,即美国海军的“近炸引信应用”。这项应用需要利用短距离探测技术来躲避对抗。     

1.52μm红外光电探测器

利用ＰｔＳｉ与Ｐ－Ｓｉ接触，研制成功肖特基势垒红对光电探测器（简称ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ）。在液氮温度（７７Ｋ）下，对１．５２μｍ红外光，它的灵敏度为２．６９×１０－２Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％，反偏４Ｖ时的漏电流为５×１０－５μＡ。此外，对ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ的量子效率进行了计算机模拟计算。     

红外探测器噪声的测量

介绍了红外探测器噪声定义、测量方法、测量仪器等，着重分析ＨＰ３５８９Ａ测量噪声的原理，并以实验验证了测量方法的可行性。     

高可靠性PIV光电探测器底座封装技术

针对PIN探测器易损坏、焊接等场合使用不便之缺点,提出一种新型高可靠性的探测器底座封装技术。实测特性表明,应用这种封装不仅没有降低PIN探测器性能,反而大大加强了探测器应用的牢固性。     

新型PTCDA/p-Si光电探测器

研制成功的PTCDA／p—Si新型光电探测器与型号为PHD714的PIN光电二极管的电参数进行了测试对比。结果表明,两者的光谱响应范围均为450～1100nm,峰值波长为930nm,对光的响应速度均小于10^-9s;在1000Lx及1．5V电压作用下,前者的光电流普遍大于100μA,后者光电流小于100μA,前者经高温（120℃）48h及低温（-80℃）12h 2次循环实验后测得其电参数稳定。表明,这种新型有机／无机光电探测器具有更优良的光敏性及可靠性。     

CMOS反相器低频噪声模型及可靠性表征研究

为了表征CMOS反相器的可靠性,从其负载电流和输出电压的特性入手,详细推导了一种基于载流子波动理论的低频噪声模型,并由实验数据验证了模型的准确性.由实验结果可知,负载电流功率谱密度随频率的增加而减小,遵循1/f噪声的变化规律;得到了负载电流归一化噪声功率谱密度与器件尺寸的关系.通过深入研究1/f 噪声与界面态陷阱密度的关系,验证了1/f噪声可用于表征CMOS反相器的可靠性,证明了噪声幅值越大,器件可靠性越差,失效率显著增大,为评价CMOS反相器的靠性提供了一种可行及有效的方法.     

采取多种措施抑制电子电路噪声

提出了一种从源头上杜绝噪声的设计方案,介绍了电子产品噪声常规的11种检查方法,并给出了11种抑制噪声的途径.试验结果表明:用以上方法进行消噪,具有操作简单、检测性能高、应用范围广、工作效率高、经济效率好的特性.     

激光退火在硅基光电探测器中的应用

分别对p-i-n和n-i-p两种结构的硅基光电探测器的背面离子注入层进行激光退火处理,辐照功率分别为0.5、1、1.25和1.5 J/cm2.根据激光退火激活载流子模式计算了载流子激活率,获得了载流子浓度和接触电阻的变化量.通过对比器件的电学和光学性能,发现采用1.5 J/cm2的激光,离子注入方式得到的硼离子和磷离子的激活率达到75.0％和92.6％,使得p-i-n和n-i-p结构器件的背接触电阻分别从未退火的22.3 Ω和15.89 Ω降低至7.32Ω和7.63 Ω,显著改善了硅基光电探测器的正向特性.在100 mV反向偏压下激光退火至少降低了10％的暗电流,并增强p-i-n结构峰值处约1％的光谱响应和n-i-p结构峰值处约5％的光谱响应.     

纳米材料在光电探测器中的应用

以纳米颗粒、纳米管、纳米线材料制作的紫外探测器、红外探测器为例,综述了当前纳米光电探测器的开发现状和发展趋势.     

量子阱红外探测器的研究与应用

讨论了量子阱红外探测器的量子阱结构以及光耦合模式的研究状况，简要介绍了该探测器在国防、工业、消防和医疗方面的应用。     

多级放大器噪声谱矩阵计算及在低噪声设计中应用

本文针对通信接收机噪声性能分析中广泛采用的弗里斯（Ｆｒｉｓ）公式在低噪声设计中的不足，提出了具有复相关系数的放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的谱矩阵形式，推导了多级放大器的噪声谱矩阵计算公式。成功地解决了多级放大器噪声性能分析及低噪声设计必需的噪声参数（最佳源阻抗及最小噪声系数）计算。     

噪声门的应用及调控技巧

分析了噪声门在扩声和录音声场中噪声抑制的工作原理及其广泛应用,并从实践的角度提出了噪声门的调控技巧．并指出了噪声门的局限性。     

流图法在光探测器芯片高频特性测量校准上的应用

在采用光调制法测量光探测器芯片高频响应特性的过程中,测试系统往往忽视光调制器响应、高频探针衰减以及端口间失配等误差中的一项或几项.为了降低校准不完善对结果造成的误差,文中提出了基于信号流图的系统校准分析方法,考虑了各种频响误差及端口间失配的影响,推导出校准公式.利用该法对一种光探测器的典型测试系统--基于LCA(lightwave component analyzer)的测试系统做了进一步校准分析,在130MHz～20GHz范围内,测量了一种新型光探测器的高频响应参数S21,结果表明经流图法校准的S21参数比仅使用原有校准算法有明显改善,证明了该方法的可行性.     

4H-SiC基紫外光电探测器的研究进展

介绍了4H-SiC材料用于高温、低电平紫外光电检测的优点,回顾总结了近年来4H-SiC基紫外光电探测器的研究进展,分析了改善4H-SiC基紫外光电探测器性能参数如降低暗电流、提高光电响应度等可采用的各种技术手段,探讨了4H-SiC基紫外光电探测器的发展趋势。     

半导体激光器的电噪声

通过测量激光器的电噪声,可以用来在线监测器件的诸多特性,如阈值电流的大小,是否有模式跳变发生,以及谱线宽窄等.另外,根据电噪声的大小,还可以对器件的质量和可靠性作出评价,具有快速、方便、无损等优点.文章概述了半导体激光器的电噪声,对其主要应用进行了综合和讨论,概括性评述了该领域目前的研究进展.