CMOS图像传感器的研究新进展

随着超大规模集成技术的发展,CMOS图像传感器显示出了强劲的发展趋势.简要介绍了CMOS图像传感器的发展历程,在分析CCD和CMOS图像传感器工作原理的基础上,对比了CMOS图像传感器与CCD的特点.重点描述了国外CMOS图像传感器的最新商业化产品状况,同时给出了一些产品的性能参数,最后展望了CMOS图像传感器的未来发展趋势.     

CMOS图像传感器及其发展趋势

本文简要介绍了CMOS图像传感器的发展历程及工作原理.对CCD图像传感器与CMOS图像传感器的优缺点进行了比较,指出了CMOS图像传感器的技术优势,并讨论了CMOS图像传感器的发展趋势.     

CMOS图像传感器的发展现状及关键技术探讨

介绍了国外CMOS图像传感器技术的发展状况，比较了CMOS图像传感器技术与CCD图像传感器技术的优缺点，分析了国内CMOS图像传感器技术的研究现状，探讨了CMOS图像传感器研究的关键技术。     

CMOS图像传感器赶超CCD图像传感器

比较了CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点，分析了CMOS图像传感器的结构、研制现状、应用及市场前景。提出了随着CMOS图像传感器技术的发展，CMOS图像传感器可以代替CCD图像传感器，并对其发展趋势作了预见。     

CMOS图像传感器的发展现状及关键技求探讨

介绍了国外CMOS图像传感器技术的发展状况,比较了CMOS图像传感器技术与CCD图像传感器技术的优缺点,分析了国内CMOS图像传感器技术的研究现状,探讨了CMOS图像传感器研究的关键技术。     

CMOS图像传感器的发展及应用

比较了CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点，分析了CMOS图像传感器的结构、研制现状、应用及市场前景。指出随着CMOS传感器技术的发展，CMOS图像传感器可以代替CCD图像传感器，并预见了其发展趋势。     

CMOS图像传感器的研究进展

20世纪90年代以来,随着超大规模集成(VLSI)技术的发展,CMOS图像传感器显示出强劲的发展势头.简要介绍了CMOS图像传感器的结构及工作原理,详细比较了CMOS图像传感器与CCD的性能特点,讨论了CMOS图像传感器的关键技术问题.并给出了相应的解决途径,综述了GMOS图像传感器的国内外研究现状,最后对CMOS图像传感器的发展趋势进行了展望.     

低照度CMOS图像传感器技术

与其他固体微光器件相比,低照度CMOS图像传感器具有成本、功耗及体积优势,是固体微光器件发展的重要方向。但目前低照度CMOS图像传感器的微光性能还不能满足夜视应用要求。本文介绍了低照度CMOS图像传感器及提高其灵敏度的几种技术途径,采用低照度技术后CMOS图像传感器性能已接近实用要求。随着CMOS工艺技术的不断发展及低照度CMOS图像传感器研究的不断深入,在不远的将来,低照度CMOS图像传感器将成为固体微光器件的重要一员。     

CMOS图像传感器及其研究

介绍了CMOS图像传感器的工作原理,比较了CCD图像传感器与CMOS图像传感器的优缺点,指出了CMOS图像传感器的技术问题和解决途径,综述了CMOS图像传感器的现状和发展趋势.     

CMOS图像传感器的关键专利分析

CMOS图像传感器具有低成本、低功耗、易集成和读取高速灵活等优点,随着近年来CMOS图像传感器技术的发展,CMOS图像传感器正逐渐取代传统的CCD图像传感器的主流地位.针对CMOS图像传感器领域的专利文献,基于专利文献的引用频次,对该领域的关键专利进行研究和分析,总结了关键专利的技术要点.     

CCD图像传感器发展与应用

主要介绍了线阵CCD、面阵CCD、帧转移CCD、ITO-CCD和电子倍增CCD等图像传感器的发展现状.以CMOS器件作为比较,探讨和研究CCD图像传感器的应用领域以及未来发展趋势.     

紫外增强图像传感器的研究进展

近年来图像传感器在紫外成像的应用越来越广泛,尤其是以CCD（charge coupled device）和CMOS（complementary metal oxide semiconductor）为主的紫外图像传感器受到了研究人员的广泛关注。半导体技术的进步和纳米材料的发展进一步推动了紫外图像传感器的研究。本文综述了国内外紫外增强图像传感器的研究进展,介绍了几种增强器件紫外响应的材料,另外还简要概述了紫外图像传感器在生化分析、大气监测、天文探测等方面的应用,并讨论了CCD/CMOS图像传感器在紫外探测方面所面临的挑战。     

CMOS图像传感器优势和最新产品

概述了CMOS图像传感器的优势,介绍了现阶段市场最新产品的情况.结合实际应用中CMOS图像传感器的弱点,提出了相关的改进措施和新技术.     

低噪声CMOS图像传感器技术研究综述

文章总结了低噪声CMOS图像传感器代表性关键技术的最新研究进展。从CMOS图像传感器架构及各模块设计的角度,介绍了有源像素结构和图像传感器架构,分析了广泛采用的像素内源跟随CMOS图像传感器读出电路及其噪声等效模型,重点介绍了低噪声CMOS图像传感器关键技术,包括共享参考像素差分共源放大器技术、相关多采样技术、像素内斩波技术,以及相关技术的电路级实现方式。     

Design and Characterization of CMOS/SOI Image Sensors

The design, operation, and characterization of CMOS imagers implemented using: 1) "regular" CMOS wafers with a 0.5-mum CMOS analog process; 2) "regular" CMOS wafers with a 0.35-mum CMOS analog process; and 3) silicon-on-insulator (SOI) wafers in conjunction with a 0.35-mum CMOS analog process, are discussed in this paper. The performances of the studied imagers are compared in terms of quantum efficiency, dark current, and optical bandwidth. It is found that there is strong dependence of quantum efficiency of the photodiodes on the architecture of the image sensor. The results of this paper are useful for designing and modeling CMOS/SOI image sensors     

智能传感器技术发展综述

从智能传感器的概念和架构出发,研究了MEMS、CMOS、光谱学等主流技术智能传感器的基本发展情况。探讨了智能传感器的实现途径。列举了军用智能传感器的重点应用领域和技术。结合国内实际情况,提出关于智能传感器的发展建议。     

CMOS image sensors

In this article, we provide a basic introduction to CMOS image-sensor technology, design and performance limits and present recent developments and future directions in this area. We also discuss image-sensor operation and describe the most popular CMOS image-sensor architectures. We note the main non-idealities that limit CMOS image sensor performance, and specify several key performance measures. One of the most important advantages of CMOS image sensors over CCDs is the ability to integrate sensing with analog and digital processing down to the pixel level. Finally, we focus on recent developments and future research directions that are enabled by pixel-level processing, the applications of which promise to further improve CMOS image sensor performance and broaden their applicability beyond current markets.     

Two-dimensional pixel image lag simulation and optimization in a 4-T CMOS image sensor

Pixel image lag in a 4-T CMOS image sensor is analyzed and simulated in a two-dimensional model.Strategies of reducing image lag are discussed from transfer gate channel threshold voltage doping adjustment,PPD N-type doping dose/implant tilt adjustment and transfer gate operation voltage adjustment for signal electron transfer.With the computer analysis tool ISE-TCAD,simulation results show that minimum image lag can be obtained at a pinned photodiode n-type doping dose of 7.0×10~(12) cm~(-2),an implant ...