ITU通用充电器建议书介绍

介绍了ITU新报批的建议书“通用移动终端及其它ICT设备的电源适配器和充电器方案”。     

ITU-TL.1000通用电源适配器标准

本文主要介绍了ITU-T新发布的建议书L.1000"移动终端及其它ICT设备的通用电源适配器和充电器方案"的相关内容以及后续研究.     

ICT设备电源适配器纹波电压和空载功耗的测试分析

目前,ITU-T正在着手起草ICT设备的通用电源适配器标准L.adapterphase2。本文针对电源适配器电气特性中非常重要的两项参数——纹波电压和空载功耗,以我国现有产品为样品进行了测试,并以测试结果为基准进行了分析研究,得出了通用电源适配器纹波电压和空载功耗的限值条件。     

对于L．adapter2中其他ICT设备通用电源适配器空载功耗和纹波电压的测试分析

2012年1月,在都灵召开的ITuSG5021报告人联合会议上,我国提交了关于其他ICT设备通用电源适配器空载功耗和纹波电压的测试分析文稿,该文稿得到了众多代表的肯定。本次,我们又收集大量样品并进行了大量补充试验,形成此文稿。本文建议空载功耗依照能源之星,输出功率在0-49W之间的设备空载功耗不大于0．3W,输出功率在50-250W之间的设备空载功耗不大于0．5W;建议移动电话机电源适配器的纹波电压为80mV以下,其他ICT设备电源适配器的纹波电压为200mV以下。     

我国引领全球手机充电器通用标准化研究

近日．ITU—TSG5全会通过“通用移动终端及其他ICT设备的电源适配器和充电器方案”建议书（业界俗称全球通用充电器标准）,现已进入报批程序。这意味着,如果进展顺利,全球通用充电器标准将出台。全球通用充电器标准以中国通信标准化协会（CCSA）组织制定的通信行业标准YD／T1591为基础,该建议书的总体思路和技术要求采用了我国YD／T1591标准的核心内容．     

解读ITU-T L.1000通用充电器标准修订

ITU-T L.1000《手机和其他手持式ICT设备的电源适配器及充电器方案》在2011年4月进行了修订,本文就是对刚修订的L.1000做进一步介绍。     

我国通用手机充电器标准纳入ITU国际标准

日前，在瑞士日内瓦召开的国际电联ITU-T第五研究组（SG5）全会上，备受瞩目的我国“通用移动终端及其他ICT设备的电源适配器和充电器方案”框架标准获得SG5通过，并申请进入报批程序。该框架标准的总体思路和技术内容采纳了我国已经制定和实施的YD／T 1591《移动通信终端电源适配器及充电／数据接口技术要求和测试方法》的核心内容，并将我国的YD／T1591标准作为技术性附录写进了框架标准，使我国制定的标准正式成为国际标准，这也是我国在国际标准化方面的又一重要成果。     

基于ICT中间件的电信级网络传真运营系统

对传统企业和个人用户传真业务的行为进行了比较,为拓展运营商增值业务(VAS)设计了一种集中式的电信级网络传真运营系统(FOS)。系统采用了将业务与设备分离的中间件技术,不同业务的定制由ICT SCE生成,业务的解析和调度ICT Flow完成,异构网络和多厂商设备的具体驱动由ICT Engine实现。ICT中间件解决了业务独立元件(SIB)的分类与通用业务逻辑(GSL)实现。设计了电信级的负荷分担的冗余保护方案,其创新点包括"虚拟传真号码"、"在线电子签章"和"虚拟打印技术"等关键技术。在当前号召"节能减排"、"绿色低碳"的社会中,FOS为传统的易忽视的传真业务提供了高效的解决方案。     

手机充电器手机侧接口标准化年内完成

国际电联ITU—T第五研究组（SG5）全会上完成了“通用移动终端及其他ICT设备的电源适配器和充电器方案”框架标准，已经获得SG5全会通过，并申请进入报批程序。其中主要对手机充电器，手机侧接口进行了统一。根据标准，未来的手机充电器手机侧接口都将使用Micro—USB接口。而“这也正是我国充电器标准优化方案中参考使用的标准之一。”泰尔实验室相关负责人在接受记者采访时表示，“相关国标（充电器手机侧接口标准）最快将于年内完成标准化过程。”     

一种基于频率同步的低噪声电源适配器设计

针对电源适配器高频开关信号的噪声干扰对某些精密仪器性能(如B超机显示清晰度)的影响问题,本文提出通过适配器开关频率和系统设备工作频率同步方式解决噪声干扰的设计思路,以便携式B超机电源适配器设计实践为例,介绍了同步电路的设计方法、功率电路拓扑和辅助电源方案;同步功能通过实验验证,采用该方案的电源适配器已成功应用于某全球知名B超机产品。     

电信和数据通信设备高压直流供电系统的发展目标（上）——高达400V的直流供电系统

国际电信联盟（ITU）标准ITU-TL．1200规定了在电信和数据通信（ICT）设备输入端高达400V的直流供电接口及其正常电压范围（260～400VDC）。我国当前研究试验和推广应用的240V高压直流供电系统的正常电压范围（192～288VDC）偏低偏窄,或应在有限的时间内过渡到ITU建议的目标电压范围。文中介绍ITU对高达400VDC的直流供电接口的要求、供电系统结构、接地系统设计考虑和ICT设备抗干扰试验要求。     

电信和数据通信设备高压直流供电系统的发展目标（下）——高达400V的直流供电系统

国际电信联盟（ITU）标准ITU-TL.1200规定了在电信和数据通信（ICT）设备输入端高达400V的直流供电接口及其正常电压范围（260～4-00VDC）。我国当前研究试验和推广应用的240V高压直流供电系统的正常电压范围（192～288V％）偏低偏窄,或应在有限的时间内过渡到ITU建议的目标电压范围。文中介绍ITU对高达400VDC的直流供电接口的要求、供电系统结构、接地系统设计考虑和ICT设备抗干扰试验要求。     

基于电源管理技术降低嵌入式系统功耗的研究

嵌入式处理器产品既要求提高其性能又要求降低功耗,这是互相矛盾的两个方面。但是,高性能处理必须增加计算复杂度并加快时钟速率,如果采用权宜之计的节省功耗设计方案,是很难实现的。介绍利用B lackfin数字信号处理器系列产品固有的动态电源管理方法来管理功耗,以便在具体的嵌入式应用中优化性能与功耗的关系,较好地解决降低嵌入式系统功耗问题。     

A Ku band internally matched high power GaN HEMT amplifier with over 30%of PAE

正We report a high power Ku band internally matched power amplifier(IMPA) with high power added efficiency(PAE) using 0.3μm AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) on 6H-SiC substrate.The internal matching circuit is designed to achieve high power output for the developed devices with a gate width of 4 mm.To improve the bandwidth of the amplifier,a T type pre-matching network is used at the input and output circuits,respectively.After optimization by a three-dimensional electromagnetic(3D-EM) simulator,the amplifier demonstrates a maximum output power of 42.5 dBm(17.8 W),PAE of 30%to 36.4%and linear gain of 7 to 9.3 dB over 13.8-14.3 GHz under a 10%duty cycle pulse condition when operated at V_(ds) = 30 V and V_(gs)=—4 V.At such a power level and PAE,the amplifier exhibits a power density of 4.45 W/mm.     

微波功率放大器失配保护电路设计分析

针对微波功率放大器使用中的安全,在对中功率放大器可能产生失配原因及失配机理进行分析的基础上,确立负载失配时需要保护的器件、参数以及由保护电路的响应时间决定的操作时序。提出保护电路的基本模块、保护电路的实现形式及需要解决的关键技术,并通过实际电路的应用,来验证设计方法的可行性。