用于UHF RFID读写器的可编程高线性上混频器

采用标准0.18 μm CMOS工艺,设计了一款应用于900 MHz UHF RFID读写器的有源I/Q正交上混频器.通过直流电平转换电路控制I/Q支路的信号输入,实现了ISO/IEC 18000-6协议所要求的3种调制方式(SSB-ASK,DSB-ASK和PR-ASK),并且实现了可控调制深度.在进行SSB-ASK调制时,得到的仿真结果为:上混频器的输入1 dB压缩点为-3 dBV,转换增益为2.34dB,输出1dB压缩点为-1 dBm,镜像边带抑制比为-40 dBc,双边带噪声系数为14.68 dB.     

便携式UHF RFID阅读器中发射前端电路设计

采用0.18μm CMOS工艺设计并制作了一款应用于便携式UHFRFID阅读器的射频发射前端电路。所设计的有源I/Q上混频器通过开关控制Q支路的信号输入,实现了EPC Global Class-1Gen-2协议中所要求3种调制方式;驱动放大器通过实现增益7级数字可调有效地预放大混频器的输出信号。在1.8V的电源电压下,测得阅读器前端电路的主要性能参数如下:上混频器的输入端P1dB,达到-14.9dBVrms,转换增益和噪声系数分别为3.18dB和13.20dB;驱动放大器的输出端P1dB在50Ω阻抗上达到3.5dBm,转换增益可调范围和噪声系数变化范围,分别为7.90～16.30dB和3.10～5.00dB。     

433MHz ASK接收机射频前端电路设计

设计了一款应用在433MHz ASK接收机中的射频前端电路。在考虑了封装以及ESD保护电路的寄生效应的同时,从噪声、匹配、增益和线性度等方面详细讨论了低噪声放大器和下混频器的电路设计。采用0.18μm CMOS工艺,在1.8V的电源电压下射频前端电路消耗电流10.09 mA。主要的测试结果如下:低噪声放大器的噪声系数、增益、输入P1dB压缩点分别为1.35 dB、17.43 dB、-8.90dBm;下混频器的噪声系数、电压增益、输入P1dB压缩点分别为7.57dB、10.35dB、-4.83dBm。     

一种新型900 MHz下混频器的设计

设计了一种用于超高频射频识别(UHF RFID)读写器的新型低功耗、低噪声、高线性度900 MHz下混频器.在输入端采用2阶交调注入结构,以提高线性度;在输出端采用动态电流注入结构,获得了很好的噪声特性,且具有很高的增益.采用Chartered 0.18 μm标准CMOS模型对电路进行仿真,电路的供电电压为1.2 V.仿真结果表明,设计的900 MHz下混频器增益为11 dB,IIP3为-3.5 dBm,噪声为11 dB.     

零中频UHF RFID接收机中的低噪声放大器设计

介绍了一个基于0.18μm标准CMOS工艺,可用于零中频UHF RFID(射频识别)接收机系统的900MHz低噪声放大器.根据射频识别系统的特点与要求对低噪放的结构、匹配、功耗和噪声等问题进行了权衡与分析,仿真结果表明:在1.2V供电时放大器可以提供20.8dB的前向增益,采用源端电感实现匹配并保证噪声性能,噪声系数约为1.1dB,放大器采用电流复用以降低功耗,每级电路从电源电压上抽取10mA左右的工作电流,并使反向隔离度达到-87dB.放大器的IP3为-8.4dBm,1dB压缩点为-18dBm.     

一种应用于GPS射频前端的低噪声混频器

为了克服混频器噪声对GPS接收机灵敏度造成的影响,设计了一种应用于GPS射频前端的低噪声混频器电路.采用自偏置缓冲级放大本振信号,有效地提高了电路性能.该混频器的转换增益为23 dB,噪声系数为4.55 dB,3阶交调点为-9.36 dBm,在1.57 GHz到1.6 GHz频段上,反射系数S11小于-15 dB,电路采用1.8 V电压供电;混频器核心电路静态工作电流1.2 mA,采用CMOS 0.18 μm工艺实现,芯片版图面积为160μm×360μm.     

射频接收机前端及其关键模块设计

科技的发展使得无线通信市场具有广阔的发展前景。射频接收机向着高集成度、高性能、低成本以及低功耗等性能发展。文中简要介绍了射频接收机的主要参数和结构,并分析了低噪声放大器和混频器等射频接收机前端的两个关键模块,从而帮助设计一套射频接收机前端系统,确保整个接收机的性能和接收信号的质量。     

VHF/UHF波段接收机动态范围问题研究

针对VHF/UHF波段接收机射频模拟前端(RFAF)对动态范围的影响问题,在多射频接收链路模型中添加中频自动增益控制(IF AGC)电路模块,仿真结果表明使用IF AGC电路进行二次增益调节,可保证接收机稳定工作,同时能够减小由RFAGC电路引起的瞬时动态范围的波动变化.     

带新解调结构的UHF RFID标签低功耗模拟前端设计

基于ISO/IEC 18000-6C协议,对UHF无源电子标签模拟前端中的ASK解调电路、整流器、稳压电路等进行低功耗设计。解调电路中微分电路的加入扩大了解调电路工作范围,在解调电路近距离工作时,可以更有效地解调。整流电路采用了零阈值MOS管代替肖特基二极管,降低芯片成本。整流稳压电路可稳定地为芯片供电,供电电压2 V,建立时间仅为25μs。电路采用SMIC 0.18μm 2P4M CMOS工艺进行流片,芯片面积720μm×390μm。测试得到模拟前端整体工作电流仅2.4μA,标签工作距离大于7 m。     

UHF频段RFID设备的技术要求及测试

旨在介绍超高频段(UHF)射频识别(RFID)设备的技术要求及测试,涵盖了政府强制性测试、一致性测试和性能测试三个方面。同时也简要介绍了EPC第二代UHF空中接口标准EPCglobalGen2和新兴的手机RFID技术,以及国家通信计量站在RFID领域的检测能力,并对我国UHF频段RFID的发展做出了展望。     

一种新型的零中频UHF RFID接收机

传统的UHF RFID接收机采用超外差结构,电路复杂、成本较高,限制RFID系统的应用和推广。对直接下变频接收机技术进行分析,针对UHF RFID系统的特点,提出一种4通道零中频接收技术,大大简化UHF RFID接收机的设计,同时降低成本,跟同类产品相比具有更高的性价比。     

超高频射频识别阅读器的高线性低噪声前端

根据超高频段射频识别的协议要求、结合论文所提出的正交直接变频无线收发机架构,对阅读器接收路径所需的系统噪声系数、输入线性度要求做出分析。给出了同时具有低噪声系数、高线性度特点的三级紧凑式射频前端,该电路能够承受标签背散射机制所引起的大信号带内自阻塞干扰。电路采用IBM 0.18μm CMOS 7RF工艺制作,当从3.3V的电源电压上抽取6.9mA电流时,该射频前端可以获得13dBm的输入线性度与23 dB的最大噪声系数。     

超高频射频识别读写器的研究与设计

超高频射频识别系统具有存储容量大、读写速度快、识别距离远和可同时读写多个电子标签等特点,已经在众多领域得到了广泛的应用。为了满足市场需求,对超高频读写器的内部结构进行了研究并提出了一种基于ARM的超高频射频识别系统读写器的设计方案。从硬件和软件两个方面对读写器的设计进行了阐述,给出了读写器的设计结构、工作流程以及相关的软件流程图。实际应用结果表明,该读写器具有读写速度快、读写效率高、识别距离远等优点,可以满足市场需求。     

一种宽频带UHF RFID标签天线的研究与设计

文章以宽频带UHF RFID标签天线的设计为研究对象,设计并仿真了一款工作在920MHz的电子标签天线。天线的尺寸为80mm 44mm,在反射系数-24dB的带宽可达160MHz,方向性比较好。同时标签天线结构简单,采用的制作材料也很大降低了其生产成本。     

超高频RFID技术中防碰撞算法研究

本文介绍了超高频RFID系统的特点,总结了产生信号碰撞问题的原因,重点对基于ALOHA算法的防碰撞算法和二进制树搜索算法及其改进算法的优缺点进行了分析.最后,对下一步的研究方向提出了建议.     

一种适用于RFID的低静态功耗、高稳定性的稳压器

为了提高稳压器的性能,通过对一级分流稳压电路的研究,提出了一种新型的,可以用于超高频射频标签中的两级分流稳压电路.该电路在0.18μm的CMOS工艺下实现,在正常工作电压下功耗低(6.7μW左右),在高输入功率下能有效泄放大电流稳定电压.同时,该电路具有结构简单、占用面积小、稳定性好等优点.     

UHF频段金属型标签天线的研究与设计

随着天线技术的发展,时UHF RFID可用于金属物体的标签天线的研究成为了热点和难点.根据当前标签天线的设计特点和设计原则,设计出一种适用于845～960MHz的宽频带可用于金属物体的新型标签天线,并通过仿真分析与计算确定了天线的一些重要参量,实现了标签天线输入阻抗能在较大范围内与更多阻抗不同的标签芯片进行匹配.实测结果与仿真结果基本一致,抗金属性能稳定,天线尺寸较小,通信距离较远.     

GSM移动终端对UHF RFID读取效果的影响

近年来,UHF RFID技术的发展与应用及EPCG2电子标签的发展给人们生产生活带来了方便。但是由于GSM的频段与UHF RFID频段很接近．因此探讨移动通信对UHF RFID读取效果的影响显得日益重要。文章介绍了我国UHF RFID与GSM频段的划分、电子标签的接收功率与反射功率、测试模型、测试结果的分析,为两者相距很近工作时所面临的干扰提出了合理的对策与建议。