生物样品铜、银镀膜作扫描电镜的效果观察

国内外对生物样品作电镜观察,普遍沿用金或其他贵重金属作镀膜材料。本文试用铜、银等对生物样品镀膜作扫描电镜观察,获得与镀金膜相类似的效果。一、实验样品和镀膜:1、大鼠气管粘膜戊二醛、锻酸固定。系列酒精脱水。醋酸异戊酯置换。CO_2临界干燥。导电胶装台;2、蒲公英叶片、花包:取材后用导电胶装台;3、φ0.5mm银丝60mg和φ0.15mm铜丝70mg,用日立HUS—5GB真空镀膜仪分别作常规镀膜。日立S-430扫描电镜,加速电压为15kV～20kV,在×500～×10000内观察。     

基于多次反射样品池的TDLAS逃逸NH3检测研究

时域激光吸收光谱(TDLAS)技术具有高选择性、 高准确性优点,为逃逸NH₃的在线检测提供了可靠的技术手段。本文利用TDLAS 系统分别在White和Herriott 两种样品池中对浓度为(10～100)×10－6的NH₃进行检测, 采集得到其二次谐波光谱,比较 了两种样品池测量结果,分析对比两种样品池的优缺点。实验显示,Herriott样品池的噪声 要大,根据光谱曲线的标准偏差得到White样品池最低检出限为1.21×10－6 ,Herriott样品池 的检测限为1.61×10－6。结果表明,Herriott样品池更适合 恶劣环境现场应用,能够满足逃逸NH₃的痕量检测要求,适合在线监测。     

1.3μmInGaAsP半导体激光器的电子辐照效应

1 3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统。为了扩大其应用至核环境和外层空间 ,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为 0 4～ 1 80MeV范围内 ,注量为 1× 10 12 ～ 2× 10 16cm-2 条件下进行辐照。在注量小于 1× 10 15cm-2 时对InGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的。当辐照注量超过 1× 10 15cm-2 时激光器的输出功率则呈数量级下降 ,如镀以Y2 O3 ZrO2 膜能使半导体激光器的抗辐照性能得到提高。     

液封直拉半绝缘GaAs中的碳

研究了热解氮化硼坩埚中液封直拉生长的非掺杂半绝缘砷化镓单晶,主要浅受主碳的浓度决定于 B_2O_3液封剂中的水含量,干燥的 B_2O_3(水含量100～150ppm)使碳浓度高达8×10~(15)/cm~3,而湿的 B_2O_3(水含量500ppm)则使碳的浓度在检出限3～5×10~(14)/cm~3以下。在我们所测量的全部样品中,对于含碳量低于5×10~(14)/cm~3的样品,补偿浓度(受主浓度减去比 HL_2浅的施主浓度)也低,而其室温载流子浓度大于10~(11)/cm~3;对于碳浓度在5×10~(14)/cm~3以下的样品,室温载流子浓度则低于5×10~7。在高碳样品中补偿浓度比碳浓度低,说明在这些样品中比 EL_2浅的施主对确定补偿浓度的数值起主导作用。     

Cd_xHg_(1-x)Te晶体杂质导电区的载流子复合

研究了n-型Cd_xHg_(1-x)Te晶体(x=0.195～0.22,85K时平衡载流子浓度n_0=3×10~(14)～6×10~(15)厘米~(-3))中的带间俄歇复合。列出在杂质导电区实现最佳寿命τ的条件。计算了τ与组分和掺杂程度的关系。就光电灵敏度下降的样品,讨论了材料中可能产生的显微不均匀性和局部中心的复合过程。     

在p~+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验

NEA活化实验是利用体单晶材料进行的,未经任何外延或真空解理手续。为确立活化工艺,特别是表面清洁处理规范,作了相应AES分析。借助于测量样品附近高纯Al的熔点以校准及控制样品表面的温度。在不太好的本底真空(2×10~(-7)—6×10~(-7)Pa)条件下,活化好的GaAs样品之白光光电灵敏度可达1000μA/lm以上。     

Al_2O_3:Ti~(3+)晶体可调谐激光器

高光学质量的Al_2O_3:Ti~(3+)晶体曾用水平定向结晶、维聂尔和提位三种不同方法生长成。同晶形置换Al~(3+)离子的Ti(3+)离子浓度在0.01～1％(重量)范围内。用这些晶体已制成供光谱研究用的样品(10×10×3mm晶片和8×8×8mm立方试样)和直径6～10mm及长50～120mm的激光元件。样品相对于晶体的结晶轴有各种不同的取向。在室温和液氮温度下,对两种偏振的刚玉中Ti~(3+)吸收光谱进行了研究。Ti~(3+)离子激活的刚玉晶体吸收光的谱带很宽,但强度低,在490nm处有一峰值,在520nm处有拐点,这     

离子注入SOI材料的红外吸收谱分析

用傅里叶红外吸收谱对不同热处理条件下的SOI样品进行了系统的分析,结果表明:对于190keV,1.8×10~(18)/cm~2N~+注入的样品,在低于1100℃的温度下退火可保持氮化硅埋层的无定形态,而～1200℃热退火则导致氮化硅埋层的结晶成核现象。对于200keV,1.8×10~(18)/cm~2O~+注入的样品,氧化硅埋层的形成是连续渐变的,注入的氧化硅埋层向常规的热氧化非晶态SiO_2转变的激活能为0.13eV。     

Ni/Cu电极MLCC烧端工艺的研究

通过对烧端工艺的详细研究,给出了最佳工艺参数:烧端温度为850～880℃,保温10min;用N2/O2混合气,在排胶段保持φ(O2)为300×10–6,在高温烧结段采用φ(O2)为10×10–6;600℃以下的升温速率控制在30～40℃/min,600℃以上的升温速率控制在50～60℃/min。在上述工艺条件下,选用合适的链式连续炉,可以得到端头性能良好的MLCC产品。     

硝酸浓度对中高压铝阳极箔比容的影响

在不同浓度的硝酸中制备铝阳极箔样品,并通过失重量、电化学交流阻抗及扫描电镜方法对样品进行了表征,重点探讨了硝酸的浓度对所制阳极箔比容的影响。结果表明:当硝酸的浓度为1.5 mol/L时,比容达到了一个相对较大的值2.01×10–6 F/cm2;交流阻抗谱中,只出现了一个时间常数,且表现出类似常相位角元的特征。