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相似文献
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1.
微波单片集成电路和射频集成电路频率和集成度的提高使设计复杂化,对计算机辅助设计的依赖性更强,元器件行为的精确描述和仿真器的功能是设计精度的关键所在.本文对微波单片集成电路和射频集成电路设计的计算机辅助设计问题进行了论述,着重讨论了元器件模型和仿真器功能在微波射频集成电路设计中的问题和应用.  相似文献   

2.
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单片射频微波集成电路技术与设计单片射频微波集成电路技术与设计内容提要:RFIC和MMIC技术为许多微波/毫米波通信、雷达、传感等系统提供了关键的核心元器件。  相似文献   

3.
无线通信产业的巨大成长意味着对于无线设备的元器件和组件的测试迎来了大爆发,包括对组成通信系统的各种RFIC和微波单片集成电路的测试。这些测试通常需要很高的频率,普遍都在GHz范围。本文讨论了射频和微波开关测试系统中的关键问题,包括不同的开关种类,RF开关卡规格,和有助于测试工程师提高测试吞吐量并降低测试成本的RF开关设计中需要考虑的问题。  相似文献   

4.
主要介绍MICRF102单片集成电路的性能指标,引脚功能及应用电路.最后给出外围元器件的选择方法及PCB环形天线的设计考虑.  相似文献   

5.
数控单片移相器的设计技术具有较大的特殊性与复杂性,必须依靠计算机辅助设计提高设计的准确性.对数控单片移相器的计算机辅助设计问题进行了论述,着重讨论了电路设计效率的提高及电磁场验证等问题,为数控单片移相器的研制提供了实用的解决方案.应用这一研究成果,成功开发出高性能X波段单片五位数字移相器.  相似文献   

6.
主要介绍MICRF102单片集成电路的性能指标,引脚功能及应用电路。最后给出外围元器件的选择方法及PCB环形天线的设计考虑。  相似文献   

7.
在现代微波市场上,砷化镓微波单片集成电路(GaAs MMIC)在其性能和尺寸方面所拥有的优势正在得到证实。然而,将微波单片集成电路(MMIC)嵌入现有的混合电路,由于提供偏置和射频阻抗匹配需要大量的外部元件,因而价格往往是昂贵的。本文叙述另一种工艺——多层厚膜处理工艺,能使MMIC芯片偏置和匹配所需的所有电容、电阻以及附加的元件全部集成在内。MMIC能直接装在这种“单片”混合电路上,产生一个廉价嵌入型“单片集成”放大模块。  相似文献   

8.
介绍了氮化镓微电子器件的优势和现状。提出将GaNHEMT作为微波器件用于混合微波集成电路(MIC)和微波单片集成电路(MMIC),在射频输出功率、器件优值等方面,均具有明显优点,并列举了成功的例子。为了加快发展MMIC,必须解决好几个关键问题,即提高材料质量和尺寸,完善制造工艺,克服器件电流下降、增益过早饱和与射频输出功率退化等现象。  相似文献   

9.
根据从1996年国际微波会议和微波与毫米波单片集成电路会议上了解的情况,本文综述了单片微波集成电路当前的技术进展和值得注意的动向。  相似文献   

10.
本文介绍了由TN0—FEL开发的应用于有源相接阵雷达的专用单片微波集成电路的成果。这里将展示这些单片微波集成电路在各个雷达系统中的应用。单片微波集成电路满足了实现诸如“灵巧的肌肤”概念的现在和将来的相接阵拓扑结构的需要。单片微波集成电路的功能表现为以下几方面:集成高度射频控制电路、宽带、大增益、高效率固态功率放大器和用于雷达接收前端处理机的集成可调微波滤波器。介绍了用于幅度和相位控制的各种单片微波集成电路。对线性矢量调制器、变增益放大器、移相器和全集成多功能芯片的设计、制作、性能和应用作了介绍。还介绍了采用最新砷化镓MMIC工艺制作的样品。所描述的大功率放大器符合将来的有源相接阵的性能要求。作为一个典型的例子,对输出功率超过10W的X波段MESFET和HEMT功率放大器的开发进行了介绍。这些放大器拟被作为替代TR组件中传统的驱动和高功率放大器级联电路的一种选择。对可调带阻滤波器和带通滤波器进行了介绍,其焦点放在宽带收发组件中如何减少电磁干扰的影响。通过采用一个可调窄带滤波器实现了宽带前端频带外功率压缩点的重要改进。然而不能因采用这些滤波器而降低雷达的性能,因此要求滤波器应满足以下要求:低噪声系数、低成本、小尺寸、良好的功率推进性能和易于控制。介绍了具备这些条件并且用在MESFET和HEMT工艺制造的X波段单片微波集成电路可调滤波器。  相似文献   

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