新产品、新技术简讯

美国对手机的安全性开展最后研究英国政府准备再投入7百万英镑研究手机对健康的影响,以结束这场旷日持久的争论。手机生产企业们要为这项研究提供3百万的资金。以前的研究得出的结论是对健康似乎没有不良影响,但是同时指出确切的结论要通过长期的研究得出,并且对儿童的影响还不明确。这项新的研究包括15项专题,研究手机辐射的生物效应。其中四个专题研究手机是否会增加脑癌和白血病的危险。其它专题研究手机信号对大脑功能和暴露细胞的影响,以及人体对能量的吸收。     

水资源承载能力评估研究进展

水资源承载能力的相关研究已经在我国进行了二十余年,本文对近些年水资源承载能力的研究进行分析,详细论述了其定义及主要研究方法,并以此对当前水资源承载能力研究进行了初步总结,对存在的问题提出建议。     

IP QoS技术及其发展趋势

对IP网服务质量的研究范畴进行了分类，对现有的IP网络服务质量保证技术的实现原理、技术特点、应用范围进行分析与比较，在此基础上对IP网络服务质量研究领域的研究重点和未来需要研究的问题做了介绍。     

我国科普创作研究的现状与建议 ———基于CNKI 学术文献的共词可视化分析

本文以中国知网（CNKI） 为文献数据来源,用CiteSpace Ⅲ的关键词共词聚类和突变词检测功能,分析了新世 纪以来我国科普创作研究的现状。研究表明,使用CiteSpace Ⅲ对CNKI 进行文献批量分析总结得到研究热点及演变特 点的方法是十分可行的。本文采用这种方法得到新世纪以来我国科普创作研究的研究热点主要集中于六类：（1） 代表性 科普图书和作品研究;（2） 学科科普创作研究;（3） 科普创作方法与规律研究;（4） 对著名科普作家的研究; （5） 科 普作品的出版与传播研究;（6） 科普创作人才的研究。根据文献分析结果,本文进一步对未来科普创作研究提出了对 策和建议。     

多核软件的几个关键问题及其研究进展

 提高应用程序开发产能同时获得并行性能收益是多核大众化并行计算研究的核心目标.采用应用驱动和自顶向下的研究思想着重综述了影响该目标的三个关键问题.首先,对当前的多核应用驱动研究做了比较,并对多核应用研究现状做了综述.其次,对当前的多核编程模型在产能编程和性能使能编程方面的研究思想做了比较研究.然后,综述了多核算法以及多核计算模型的研究现状.最后分析了多核软件未来的研究问题.     

基于文本挖掘技术的高血压临床诊疗规律分析研究

高血压病是最常见的心血管系统疾病之一,发病率有逐年升高的趋势。基于现有文献对高血压病的数据挖掘,将有益于对该病的研究。本文从研究的背景、意义、研究方法、研究路线来阐述研究的必要性。     

军用TFT-LCD结构加固问题研究

研究探讨了军用LCD结构加固问题。对LCD模块进行了结构分析，研究了振动和冲击对LCD模块的影响，对薄弱部件的加固进行了探讨，对模块的抗冲击、振动结构及减振器进行了初步的设计和研究。     

锗的制备及其应用概述

半导体技术的发展是对锗进行研究和生产而开始的，我国对锗的研究已有四十年的历史，在此期间对锗的科学研究十分重视，为我国的半导体工业奠定了基础。本文对锗材料、锗器件的研究，应用作一回顾及论述。     

下一代网络中网络附着子系统的研究

研究了下一代网络中的网络附着子系统，包括ETSITISPAN和ITU-T在NGN Releasel对网络附着子系统的研究情况，对两个标准化组织的研究情况进行了比较，说明了两个标准化组织进一步的研究计划。     

光孤子传输中的啁啾及F－P腔消啁啾技术

对啁啾的产生、啁啾对孤子传输的影响进行了研究，并对孤子消啁啾技术进行实验研究     

La_2O_3掺杂对TiO_2系压敏陶瓷结构和性能的影响

采用传统的固相法制备了La2O3掺杂的TiO2系压敏陶瓷,通过XRD和SEM分析,测试其结构及压敏性能、介电常数和晶界势垒特性。结果表明:La2O3掺杂对所获陶瓷的结构和性能有显著的影响,在1380℃烧结条件下,掺杂x(La2O3)为0.70%的陶瓷表现出优良的综合电性能,其压敏电压为7.6V/mm,非线性系数为5.2,相对介电常数εr为9.96×104,介电损耗tanδ为0.32,这与该陶瓷具有最高的晶界势垒高度相一致。     

TiO_2系压敏陶瓷施主掺杂研究

研究了Ta2O5和Nb2O5掺杂对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响。采用电子陶瓷制备工艺,制备了两组TiO2系压敏陶瓷,借助热电子发射理论,分析了样品的I-V特性及介电频谱特性。结果发现,Ta2O5掺杂的样品具有最低的压敏电压(E10mA=5.03 V.mm–1)和最大的视在介电常数(εra=1.5×105)。     

钨掺杂对二氧化钛压敏电阻瓷电性能的影响

通过对样品的伏案性质、介电常数以及晶界势垒的测量和分析,研究了WO3对TiO2压敏电阻瓷电性能的影响。研究发现掺入x(WO3)为0.25%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为42.5V/mm,非线性系数α达到9.6,以及较高的相对介电常数(εr=7.41×104),是一种具有较好潜力的电容-压敏电阻器。通过不同烧结温度的实验,发现1 350℃是最佳烧结温度。类比ZnO压敏材料的晶界势垒模型,提出了适合TiO2压敏材料的肖特基势垒模型。     

Bi_2O_3对TiO_2系压敏陶瓷性能的影响

采用传统电子陶瓷工艺制作了TiO2系压敏陶瓷。通过测试其I-V特性、复阻抗特性、晶界电阻、晶粒电阻及势垒高度,研究了Bi2O3对TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO系压敏陶瓷微结构及电性能的影响。结果表明,Bi2O3的适当掺杂范围在0.3%~0.5%(摩尔分数)。其掺杂量的变化,可显著改变TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO系压敏陶瓷的晶界电阻及势垒高度,进而对压敏陶瓷的电学非线性特性产生影响。当x(Bi2O3)为0.4%时,压敏陶瓷的V1mA与α分别为40V/mm与6.2。     

TiO2掺杂导致的SnO2压敏陶瓷晶粒尺寸效应

研究了TiO2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响。掺入x(TiO2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(r = 6.82 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB= 476 V/mm),最高的非线性系数(a = 11.0),最小的相对介电常数。未掺杂的样品阻抗最大。随TiO2掺杂量的增加晶粒逐渐变小,晶粒尺寸的减小归因于未固溶于SnO2晶格而偏析在晶界上的TiO2阻碍相邻SnO2晶粒融合。为了解释SnO2-Co2O3-Nb2O5-TiO2系电学非线性性质的根源,对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正。     

(Ta2O5)0.92(TiO2)0.08介电陶瓷的激光烧结改性研究

采用CO2 激光对 (Ta2 O5) 0 .92 (TiO2 ) 0 .0 8陶瓷的烧结改性进行了系统研究 ,分析了改性微观机理。所制备的陶瓷试样比普通炉烧试样的介电常数值提高了约 3倍 ,平均值约为 4 5 0 ,同时具有良好的热稳定性。通过X射线衍射相结构分析 ,确定激光烧结陶瓷试样中存在H -TiTa18O47高温相 ,采用金相和扫描电镜的分析方法 ,首次获得了陶瓷试样的 3D显微结构信息 ,激光烧结试样具有与普通炉烧试样明显不同的显微结构特征。相结构及显微结构的差异应是激光烧结试样介电性能改善的主要原因。     

钽酸锶铋陶瓷的锆钛酸铅纳米粉掺杂改性研究

采用两步固相反应法,制备锆钛酸铅(PZT)纳米粉掺杂的钽酸锶铋(SrBi2Ta2O9,简写为SBT)陶瓷。研究了显微结构和电性能,并与未掺杂的SBT陶瓷进行比较。经测试分析表明:PZT纳米粉掺杂后的SBT陶瓷具有高度的c轴取向,其铁电与介电性能表现出明显的各向异性,其极化强度2Pr可达 21.6?06 C / cm2,矫顽场强Ec为 60.3?03 V / cm。     

ZnO-B_2O_3玻璃对Mg_2TiO_4微波介质陶瓷结构和性能的影响

利用传统固相烧结法制备了ZnO-B2O3玻璃掺杂的Mg2TiO4微波介质陶瓷,研究了ZnO-B2O3玻璃掺杂对所制陶瓷相成分、微观形貌和微波介电性能的影响。结果表明:ZnO-B2O3玻璃掺杂能使Mg2TiO4陶瓷的致密化温度降低200℃左右。当Mg2TiO4中掺杂质量分数2%的ZnO-B2O3玻璃时,经1 300℃烧结所得陶瓷微波性能较好:εr=13.62、Q.f=101 275 GHz、τf=–51×10–6/℃。     

(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相形成机理

研究了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相的形成机理.以锐钛矿TiO2、Nb2Os和La2 O3氧化物粉体为原料,采用传统固相烧结工艺制备了( La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷,采用SEM、EDS、XRD、AFM和TEM检测了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷样品的显微结构、化学组成、物相组成、热蚀沟和显微形貌;通过点缺陷热力学分析、晶界能和材料结构检测分析讨论了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相的形成机理.研究结果表明,第二相的形成起源于掺杂La3+和Nb5+在晶界的偏析,偏析驱动力为弹性应变能.偏析离子在高能量晶粒表面或晶界面成核,并逐渐长大形成第二相.第二相主要在能量较高的晶面上生长,这有利于使整个材料体系的能量最低.     

钕掺杂对SnO_2·Co_2O_3·Nb_2O_5压敏电阻瓷电性能的影响

通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了Nd2O3对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷电性能的影响。发现掺入x(Nb2O3)为0.050%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为460.69 V/mm,密度为6.812 g/cm3,非线性系数为18.7。为了说明电学非线性的起源,提出了SnO2压敏材料的一个缺陷势垒模型。