声表面波VCO的研制

介绍了１５５．５２ＭＨｚ、６２２．０８ＭＨｚ声表面波（ＳＡＷ）、１２４４．１６ＭＨｚ浅体波（ＳＴＷ）压控振荡器（ＶＣＯ）的原理、设计和性能。采用低插损、高Ｑ值的ＳＡＷ延迟线和ＳＴＷ谐振器，高性能微波放大器，变容二极管电移相器，使振荡器具有非常低的相位噪声（＜－１４０ｄＢｃ／Ｈｚａｔ１００ｋＨｚ）、高输出功率（＞９ｄＢｍ）、低温度－频率漂移（＜±３５ｐｐｍ，温度范围：－５～６０℃）、大频率调谐范围（＞４００ｐｐｍ）。     

新开发的千兆位级DRAM用高介电常数膜成膜装置

为制成千兆位级ＤＲＡＭ ,人们期望可实现单元电容器微细化的高介电常数膜材料。为此 ,开发了ＳｉＯ2 ,膜 /氮化膜、Ｔａ2 Ｏ5膜等。而且 ,也期待开发高介电常数电容器材料———钛酸钡锶氧化膜 (ＢＳＴ :(ＢａＳｒ)ＴｉＯ3)成膜技术。此时 ,ＮＥＣ便开发了低温成膜和台阶覆盖性良好的ＥＣＲ—ＣＶＤ法形成的ＢＳＴ成膜装置。开发的装置特点如下 :( 1)Ｂａ、Ｓｒ、Ｔｉ各种材料为挥发性金属化合物 ,Ｂａ、Ｓｒ采用ｄｅｃａｔｎａｔｅ系络合物材料 ;Ｔｉ采用醇盐系材料。靠着精密原料输送系统的温控可控制原料化合物的蒸气压 ,进而控制原料输…     

电光,热释电材料KTa1—xBbxO3的制备,性能及应用

介绍了电光、热释电材料ＫＴａ１－ｘＮｂｘＯ３单晶、陶瓷、薄膜的制备方法，以及所制备材料的性能和应用。分析了其研究现状，简要论述了其发展趋势。     

S 波段移相器用锂铁氧体材料的研制

论述了锁式移相器中对铁氧体材料的要求和 S 波段锂铁氧体的制备及性能.文中分析了添加剂 Ti、Zn、Mn 等离子对锂铁氧体电磁性能的影响及使用方法,通过陶瓷工艺制备得到性能良好的复合锂铁氧体材料,材料具有饱和磁化强度和磁感应强度的温度系数低、矫顽力小、容易驱动等特点,满足宽温带 S 波段移相器的要求.此方法也适用于高频移相器材料.     

用于光纤通信的新型BOA电光开关结构的设计

本文提出了一种新型的ＢＯＡ（ＢｉｆｕｒｃａｔｉｏｎＯｐｔｉｑｕｅＡｃｔｉｖｅ）型电光开关结构。该结构采用了低传输耗损的ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）材料和高注入效率的电学注入方法。本文根据双模干涉机理和等离子体色散效应分析了这种开关的电光调制机理，根据大注入效应和双注入效应分析了这种开关的电学性质；并根据大截面单模脊形波导理论和上述分析，对这种开关的结构参数和电学参数进行了优化设计，其开关电流密度为１０２Ａ／ｃｍ２量级。     

小型荧光灯用400V功率MOSFETSTS1DNC40/STQ1NC40

１主要特点随着全球节能技术的提高 ,小型荧光灯市场的发展非常迅猛。在众多的低成本解决方案中 ,用户通常选用简单的自振荡电路 ,而这些电路一般都采用ＳＴＢＶ或ＢＵＬ系列等功率双极型器件。在采用如Ｌ６５６９驱动器的应用中 ,选用ＭＯＳＦＥＴ是一个十分有效的解决方案。为此 ,ＳＴ公司专门推出了用于小型荧光灯的４００Ｖ功率ＭＯＳＦＥＴＳＴＳ１ＤＮＣ４０和ＳＴＱ１ＮＣ４０ ,这两种器件与传统器件相比 ,具有高效、低成本的优点 ,同时不影响产品的性能或使用寿命。另外 ,由于ＮＣ系列硅效率的提高和ＮＣ系列 (ＰｗｅｒＭＥＳＨ)上…     

微波扫描移相器在电光采样系统中的应用

介绍了一种可用于电光采要系统的微波扫描移相器，其线性度≤１．４％，插入损耗≤４．０５ｄＢ。用此移相器组成的电光采样测试系统测量了高速门电路波形，并讨论了扫描时间的定方法。     

(Ba1-xSrx)TiO3系铁电陶瓷的制备及其介电性能研究

本文研究了（Ｂａ１－ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３系铁电陶瓷的制备工艺。讨论了配方组分,烧结工艺,工作频率等因素对材料的显微结构,介电损耗Ｄ,温度系数α等性能的影响。研究表明,ＳｎＯ２掺杂较ＺｒＯ２掺杂的ＢＳＴ系材料的移动叠加效应要好;适当提高烧结温度;延长高温保温时间,有利于晶粒长大,进而有利于克服晶界缓冲型展宽效应,两者均可 有效提高材料的温度系数α,而工作频率的改变使材料测得的介电常数有所不同。另外,随     

电光、热释电材料KTa_（1－x）Nb_xO_3的制备、性能及应用

介绍了电光、热释电材料ＫＴａ＿（１－ｘ）Ｎｂ＿ｘＯ＿３单晶、陶瓷、薄膜的制备方法，以及所制备材料的性能和应用。分析了其研究现状，简要论述了其发展趋势。     

电光聚合物波导的设计制作及其在光集成中的应用探索

相对于无机材料和半导体而言,极化电光聚合物具有无法比拟的优点响应速度快、介电常数低、调制带宽大、透光波段宽、制备简单、易于集成、成本低廉等.基于电光聚合物的波导器件因其在全光网中的关键作用而越来越引起人们的重视.本文从分析电光聚合物的特性开始,讨论利用高电光系数的聚合物材料设计和制作电光聚合物波导及在工艺中应注意的一些关键问题,介绍了电光聚合物波导器件的应用,其性能和成本优势使其在全光网中具有广阔的应用前景.     

A characteristic analysis of high-speed integrated circuit chip based on laser probe

In this paper, a compact electro-optic sampling system that includes a phase shifter and a frequency doubler has been described in detail. A double-frequency phase shift scanning has been introduced for the first time to our knowledge. Some problems on the measurements, such as the optical beam feedback and the sampling voltage scaling, have been discussed.     

A 2-V 1.9-GHz Si down-conversion mixer with an LC phase shifter

This paper describes a 2.0-V 1.9-GHz silicon down-conversion mixer with an LC phase shifter in a 20-GHz bipolar process. In this circuit, the lower emitter-coupled pair in a Gilbert cell mixer is removed to enable low voltage operation, and instead an LC phase shifter is inserted between two current sources. The time constant of the LC phase shifter has to be optimized, because the phase shifter acts as a low-pass filter and the lower cutoff frequency results in the loss of signal power. By this optimization, it can keep both high conversion gain and low distortion. The experimental results show conversion gain of 7.0 dB and the input third-order intercept point of -1.0 dBm are realized at 2.0 V     

A Low-Cost Construction Technique for Garnet and Lithium-Ferrite Phase Shifters

Low-cost construction techniques for S-band twin-slab ferrite phase shifters are presented along with an experimental comparison of garnet and lithium-ferrite materials. A 3-bit phase shifter with lithium-ferrite material, which is approximately half the price of garnet material, had a measured loss of 0.4 dB and a peak power handling of 4.5 kW.     

任意偏置点的电光调制器自动偏置控制方法

为了实现对双电极马赫-曾德尔电光调制器任意直流偏置点的自动偏置控制,采用在闭环控制基础上,引入一个可调移相器使不同直流偏置点处误差信号相同的方法,理论分析了可调移相器相移量与直流偏置相位的关系,仿真得到对于不同偏置点,当调制器直流偏置相位漂移达-0.15rad~0.08rad,移相器引入附加相位漂移-0.55rad~0.55rad时,经偏置控制后相位漂移被限制在-3.010-4rad~1.710-4rad范围内。结果表明,该方法有效实现了对电光调制器任意直流偏置点的自动偏置控制。     

Ferrites with Planar Anisotropy at Microwave Frequencies

Materials with an easy plane of magnetization (planar anisotropy) have recently been discovered. The large anisotropy field that tends to keep the magnetization in the easy plane reduces the field required to cause ferromagnetic resonance, which makes the material promising for microwave applications. Equations are derived for the susceptibility, taking into account losses and a finite medium. Propagation in a longitudinal and transverse static field is considered. The location of a slab in a rectangular waveguide for minimum loss in the forward direction, and the use of the material as a phase shifter, are discussed. Experimental microwave data on some materials are given, and also data on an isolator and phase shifter incorporating these materials.     

基于铁电移相器的Ka波段低成本相控阵天线研究

为解决铁电体陶瓷移相器中高相对介电常数材料间的匹配问题,研制了一种可用于Ka波段低成本相控阵天线的新型铁电体陶瓷材料移相器,并用其设计制作了一种一维电扫低成本相控阵天线。结果表明:通过利用三级阻抗匹配技术,所制新型移相器中高相对介电常数材料间的匹配问题得到了有效解决。当外加偏置电压约为11 kV时,该移相器可在损耗小于2.2 dB的情况下实现360°相移。     

一种新型铁电体移相器

介绍了一种用于相控阵雷达的新型铁电体移相器，利用有限元方法对铁电体材料加载波导移相器进行了分析，给出了计算结果。最后讨论了铁电体移相器设计中几个值得关注的重要问题。     

A K-Band Low-Power Phase Shifter Based on Injection Locked Oscillator in 0.13 μm CMOS Technology

In this paper, the design challenges of the injection-locked oscillator (ILO)-based phase shifter are reviewed and analyzed. The key design considerations such as the operating frequency, locking range, and linearity of the phase shifters are analysed in detail. It is possible to optimize the phase shifter in certain parameters such as ultra-low power while meeting the requirements of a certain system. As a design example, a K-band phase shifter is implemented using a commercial 0.13 μm CMOS technology, where a conventional LC tank based topology is implemented but optimised with a good balance among power consumption, working range, sensitivity, and silicon area, etc. Measurement results show that the proposed phase shift is able to work at 22–23.4 GHz with a range of 180^° while consuming 3.14 mW from a 1.2 V supply voltage.     

BSTO/RO铁电移相材料的介电性能及应用探讨

采用固相反应法制备了不同组分钛酸锶钡/轻金属或稀土氧化物(BSTO/RO)铁电移相材料。研究了该系材料的介电性能。结果表明:对于Ba0.6Sr0.4TiO3/质量分数为60%RO材料,1MHz下,εr为119,tanδ为0.001;3.37GHz下,εr为110,tanδ为0.004。3×103V/mm偏置场强下,介电调谐率η为12.8%。材料的介电性能基本上达到了相控阵移相器的使用要求。