铜基引线框架氧化的产物、机理及控制措施

铜基引线框架氧化时先后分别生成Cu2O和CuO,形成结构为CuO/Cu2O/Cu的氧化产物。通过称重法估算氧化膜的厚度,通过电桥法测量电阻值评估引线框架的氧化程度。在引线框架的氧化初期,氧化速率由化学反应速率控制;在氧化中期,氧化速率由化学反应速率和扩散速率共同控制;在氧化后期,氧化速率由扩散速率控制。其中扩散过程包括Cu离子的向外扩散和氧原子的向内扩散。为了控制铜基引线框架的氧化,一方面可以优化封装工艺参数,降低封装过程对框架的氧化;另一方面,可以提高铜合金冶金技术,提高铜合金材料本身的抗氧化能力。     

半开管扩散光伏锑化铟器件结深测试

用腐蚀剥层并结合阳极氧化染色和磨角阳极氧化染色两种方法测试了半开管扩散InSb器件p-n结的结深.两种测试方法结果基本一致。通过结深,对控制扩散条件和其它工艺条件用于半开管扩散法制作16元、42元InSb探测器提供了一个依据.     

新型高精密真空扩散焊炉的研制及应用

本文介绍了新型高精密真空扩散焊炉的工艺原理及技术特点,并以一台已经研制成功的新型高精密真空扩散焊炉为例,详细阐述了该设备的相关设计思路及特点.该设备采用伺服电机拖动丝杠加压技术,并通过闭环控制实现了工艺过程的自动控制,具有压力精度高、控制灵活、生产效率高、清洁可靠等优点.     

集成电路制造中的三束技术

集成电路制造工艺技术种类繁多,包括光刻、刻蚀、氧化、扩散、溅射、封装等。作为代表性的先进工艺技术是电子束、离子束和光子束加工技术,俗称三束技术。对三束技术做了介绍。     

一种提高扩散氧化炉温度控制精度的方法

针对半导体制造流程中氧化、扩散、退火炉的Profile温度控制方法存在温度过冲大的问题,提出了Profile控制+前馈方式控制管内温度的新方法.将该方法应用于Thermco 9000扩散炉,使温度过冲由5℃左右减小到0.5℃以下,且恒温时间从25 min减小到20 min.     

适用于Φ200mm硅片工艺的立式扩散/氧化炉设计

简要介绍适用于200mm硅片工艺的立式扩散?氧化炉的几个关键部分的设计要点和控制方法,重点对炉温和颗粒控制方面进行较详细的论述。     

镓杂质RS效应的研究与分析

在确定的开管扩镓装置中,以氢气作为镓源Ga2O3的反应和输运气体,凭借准确地控制扩散条件,控制Ga在SiO2/Si系统中扩散,可获得良好的杂质RS效应.根据Ga在Si和SiO2中的扩散行为,研究和分析了镓在裸Si系和SiO2/Si系扩散所产生的杂质RS效应机理,及其热氧化、氧化膜质量和厚度对RS的影响.     

用硼微晶玻璃片作NMOS电路的场区扩散源

在NMOS电路中,场区淡硼扩散决定了击穿电压和场开启电压.过去,我们一直采用粉末氮化硼(BN)经烧结后作为场区硼扩散源.由于这种扩散方法的均匀性和重复性受粉末氮化硼的均匀性及扩散时间、温度和气氛的影响很大,所以,均匀性和重复性都难以保证.同时,由于场区的淡硼扩散,所以,很难将扩散浓度控制在合适的范围,从而使场击穿电压、开启电压、漏电流往往不能满足要求,因而影响了电路成品率.采用氮化硼粉未作扩散源,装片量小,炉间重复性差,给场区氧化带来了一定的困难.针对这种情况,我们采用硼微晶玻璃作为场区扩散源,较好地解决了上述问题.     

高温氧化扩散炉温控系统设计

针对半导体行业高温氧化扩散炉设备设计、实现了一套炉温控制软硬件系统.硬件系统由多路开关、温度变送器、工控机、信号输入输出板卡组成.在此硬件基础上根据工艺要求设计控温软件的结构与算法,改进了PID参数整定算法,引入了轨迹规划算法,完成了多段炉体的控温、斜变升温、PID参数整定和自动温区分布.实验表明,在此系统控制下,炉体能够迭到高温氧化扩散工艺的需求,并且系统的扩展性、稳定性、精确性等方面得到了提高.此温度控制系统已经应用于工业用高温氧化扩散炉设备.     

高温氧化扩散炉温度控制系统自整定技术

针对高温氧化扩散炉设备工艺温度需求,提出了高性能多段炉温控制系统与整定技术.系统各段加温区控制与整定采用各自独立通道,系统通过主动调节各通道激励信号,同时获得各段炉体的谐波平衡信号,从而获得临界周期与临界增益,最终通过Z-N法获得多段炉体PID参数.实验表明,改进的多段炉体整定技术参数稳定有效,时间缩短.利用整定参数进行温度工艺控制实验,实验结果达到氧化扩散工艺要求.