环氧/BaTiO3复合物埋入电容膜和电容膏

概述了环氧/BaTiO3复合物埋入电容膜和电容膏的开发,它们适用于PCB之类的有机基材内制造具有高介质常数和低误差的埋入电容.     

环氧／BaTiO3复合物埋入电容膜与电容膏

概述了环氧／BaTiO3复合物埋入电容膜和电容膏的开发，它们适用于PCB之类的有机基材内制造具有高介质常数和低误差的埋入电容。     

埋入电容式多层印制板的研制

研究埋入电容多层板的制作工艺。通过试验验证电容容值与电容设计方法的关系,多层板生产流程中层压、热风整平工序对电容容值的影响;通过热冲击试验、老化试验等试验验证了埋入电容的容值在环境试验中的稳定性。通过一系列试验验证了埋入电容具有高温稳定性,可以在多层板内实现多个埋置电容层。可靠性试验证明埋置电容具有很好的稳定性和很高的可靠性。     

埋入电容印制板工艺技术

本篇文章讨论的是采用两种基材制作四层埋入电容印制板的方法FR-4基材和FR-406电容材料分别经过单面 图形转移,再经层压到外层制作的路线完成此四层板尺寸变化较小,能够很好地配合高层数多层板的工艺制作。     

平面埋入电容的印制电路板研究

文章介绍以有机/无机复合薄膜作为电介质层的埋入式平面电容,其结构为金属-介质-金属,其具有与印制电路板制造工艺的良好兼容性,采用层压法进行平面埋入式电容的制作,其工艺简单,制作成本较低,可实现大规模量产。     

埋入式电容印制电路板制作工艺

本篇论文主要采用FR406埋入电容材料结合现有的生产设备及条件参数进行工艺兼容性的研究。FR406材料相当于一张超薄的FR-4基材,因而采用标准薄板的图形转移工艺进行电容内层图形的制作。电容材料铜箔表面与半固化片层压的抗剥强度满足IPC接受标准,去钻污及电镀后孔壁质量也比较满意。小面积电容误差分布说明了工艺过程对容值的影响不是很大。因此,采用FR406BC材料进行埋入电容制作是可行的。     

埋入电容基板技术

概述了埋入电容树脂基板的高频特性和埋入电容树脂基板的制造例,可以获得20PF/mm~2的电容密度。与表面安装部件相比,埋入电容具有优良的电性能和安装占有面积小的优越性。     

两种蚀刻法制作埋嵌电容PCB的对比研究

蚀刻法是埋嵌电容技术中研究与应用较多的方法。文章研究了双面蚀刻一次层压与单面蚀刻两次层压这两种工艺方法,并指出了两种方法加工埋嵌电容PCB工艺过程的关键点。通过电容值测量及回流焊测试,对比分析了不同工艺方法对埋嵌电容PCB的容值精确度及耐热性能的影响,明确了这两种工艺方法的优缺点。     

有机基板中埋入无源元件概述

介绍了埋入无源元件在减小基板面积和提高基板高频特性的优点,总结了目前正在应用和研究的埋入电阻和埋入电容技术的实现方法.并提出基于埋入平面薄膜电阻和埋入薄芯介质材料形成平面电容技术的混合埋入技术将成为未来埋入无源元件PCB的主流技术.最后阐述了埋入无源元件技术在产业化过程中遇到的困难.     

一种高稳定性的无片外电容的LDO的设计

本文基于SMIC 0.18m CMOS工艺设计了一种高稳定性的无片外电容的LDO。通过采用无片外电容的结构,去掉了LDO的片外的大电容,便于SOC系统的设计。采用有源反馈-阻尼控制频率补偿技术来保证LDO环路的稳定性。     

300 mm Si片加工及最新发展

65 nm及以下线宽对Si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备.在加工方法上,65 nm线宽用300 mm Si片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是亚表面的损伤层.而对于加工设备,要求更加精密,特别是单面精抛光,在保证去除量的同时还要使Si片表面各点的去除量保持均匀.对目前300 mm Si片的磨削、抛光及清洗的每一道工艺流程,特别是相对于65 nm技术的一些加工流程及方法的最新发展进行了详细的论述,指出了300 mm Si片加工工艺的发展趋势.     

浅析无胶单面挠性覆铜板的卷曲性

本文对影响无胶单面挠性覆铜板卷曲性的因素进行了研究,结果发现,铜箔厚度、聚酰亚胺膜的CTE、溶剂种类以及加工工艺条件对卷曲性有很大影响。通过调整四个因素,可以制备板材本身和蚀刻后聚酰亚胺膜都不卷曲的产品。     

改善光源性能的直线加速器耦合结构的电磁和热分析

高亮度同步辐射光源和自由电子激光对直线加速器耦合结构的性能提出了更高的要求.通常的单边耦合器由于耦合腔结构的不对称导致腔内电磁场的不对称,较大地影响了束流的品质.提出了一种新的加载圆柱介质棒的单边耦合器,结构简单、易于加工.模拟结果表明:新型耦合器中电场的二极、四极分量的场振幅梯度分别为-0.0794％、-0.0666％,而传统单边耦合器二极、四极场振幅梯度分别为5.02％、2.99％,有效地减弱了场振幅的不对称性.对耦合器温度场分布、热变形、热应力进行了分析计算,结果表明新型耦合器与通常的单边耦合器热性能差别不大,有望用于提高光源性能.     

无胶单面挠性覆铜板与不流动粘结片结合力的考察

文章对刚挠结合印制板用无胶单面挠性覆铜板与不流动粘结片的结合力进行了考察,结果表明增加PI表面粗糙度和减小PI表面接触角可以提高结合力,但一般不大于0．6N／mm;对PI表面进行等离子处理可以将结合力提高到客户要求的大于0．8N／mm;而提高无胶单面挠性覆铜板与不流动粘结片结合力的最有效的方法是使用高锰酸钾溶液对PI进行表面处理,在合适的条件下,结合力可达到1．15N／mm。     

Condensed table of Huffman coding, a new approach to efficient decoding

This letter introduces a new technique for designing and decoding Huffman codes. The key idea is to define a condensed Huffman table (CHT) that is smaller than the ordinary Huffman table and which leads to fast decoding. For example, the new approach has been shown to reduce the memory consumption by a factor of eight, compared with the single-side grown Huffman table.     

三维轴对称场的一种代数层析重建方法

提出了通过求解代数方程组重建三维轴对称场的一种方法,并利用计算机数值计算及图像处理技术对所提出的方法作了模拟证明。研究结果表明,重建场的平均误差通常在1%以下,当重建场边界区域的场分布与零值相差较大时,其重建精度优于“环带法”。     

镜像综合孔径辐射计接收机的单双边带选择

与综合孔径复相关接收不同,镜像综合孔径辐射计只需测量同相相关输出,为此镜像综合孔径辐射计与综合孔径辐射计的接收机结构也有明显区别,而镜像干扰分析对于辐射计接收机结构及单双边带选择尤为重要。为了分析镜像综合孔径辐射计接收机结构及单双边带选择,本文首先介绍了镜像综合孔径辐射计的接收机结构,然后从镜像综合孔径接收信号角度出发推导了镜像综合孔径辐射计接收机结构分别选择单、双边带工作模式下接收机通道相关函数表达式,分析其是否会产生镜频干扰。理论推导发现,镜像综合孔径辐射计在单、双边带工作模式下,都不会产生镜像干扰, 唯一的区别在于双边带重建亮温的幅度是单边带的2倍。这是与综合孔径辐射计接收机结构在下变频、再I/Q解调且选择双边带模式时会产生镜像干扰最大的不同。最后,通过双点源和展源仿真验证了理论的正确性。研究结果可为实际应用中镜像综合孔径辐射计接收机单双边带选择提供参考。     

Photoluminescence study of single-side doped n-AlGaAs/GaAs structures with quantum wells

Photoluminescence spectra of single-side doped n-AlGaAs/GaAs structures have been studied at different quantum well widths and temperatures. The sharp growth of the photoluminescence intensity due to the resonant capture of photoexcited holes by a quantum well has been observed for the first time in such structures. A theoretical model for calculating the quantum states in single-side doped structures is proposed. The self-consistent solution of the system of Schrödinger and Poisson equations is obtained by the perturbation method.     

单边干涉数据光谱复原的关键问题分析

针对干涉式傅里叶变换光谱仪中干涉信号的单边过零采样和实时快速数据处理要求,该文对光谱复原中的实时数据处理关键问题进行分析。在实验中以迈克尔逊干涉仪为核心,以632.8nm的激光为参考光源,以3.5～5.0μm的大气窗口为被测对象,产生干涉图;通过HgCdTe点探测器对干涉图进行光电转换,获取干涉数据。基于Matlab软件对干涉数据进行预处理、最小采样数据点确定、切趾、相位校正、频谱标定等光谱复原中数据处理的关键技术和问题进行分析和仿真分析。实验表明,大气窗口的4 096点的干涉数据采用小双边干涉数据量为512点,所有干涉数据采用非对称三角切趾的Mertz法相位校正,傅里叶变换、线性标定后能快速复原目标光谱,且光谱分辨率达到4cm-1。     

基于应变速率的激光喷丸强化6061-T6铝合金力学性能分析

为研究不同应变速率下激光喷丸对6061-T6铝合金力学性能的影响,对标准拉伸试样进行单面和双面激光喷丸强化处理,随后在0.0001～0.1s-1 4种连续应变速率加载条件下,对未喷丸、单面喷丸、双面喷丸3组试样进行了力学性能测试,同时测试了试样表面残余应力,分析了喷丸前后材料表面粗糙度变化及其对延伸率的影响,探讨了激光喷丸后力学性能变化的微观机理。结果表明,抗拉强度(UTS)及屈服强度随应变速率的增加而增大,延伸率随应变速率的增加略微减小;与未处理试样相比,单面激光喷丸后,铝合金的抗拉强度及屈服强度得到小幅提高,延伸率大约降低了1%;双面激光喷丸后,铝合金抗拉强度最大提高了10.8%,屈服强度最大提高了12.5%,延伸率降低了2%左右。激光喷丸区域晶粒得到细化,位错密度得以增加,6061-T6铝合金的力学性能得到改善。