适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器

针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS晶体管实现;编程/擦写时间为10ms/16bit.芯片实现块编程和擦写功能,通过提出一种新型的敏感放大器而实现了读功耗的优化.在电源电压为1.2V,数据率为640kHz时,读操作平均消耗电流约为0.8μA.     

适用于无源RFID标签芯片的SPNVM优化设计

稳定的非挥发性存储器(Non-volatile memory,NVM)是射频识别标签系统中的重要组成部分,作为系统的信息承载体,用于存储用户或产品的基本信息。NVM的性能和造价是约束其发展的主要因素,为了改善非挥发性存储器的性能和降低其成本,文中基于传统的非挥发性存储器EEPROM,采用UMC 0.18μm标准CMOS工艺,优化设计了一个存储容量为256位高性能低成本的单栅非挥发性存储器,从工作电压、效率、速度和功耗的角度,对存储单元进行了隔离保护处理,改进了电荷泵的升压模块和稳压模块,采用电压检测型灵敏放大器。电源电压1.8V,编程电流为42μA,读电流为2μA,编程时间为5ms/bit,读速率为2Mb/s。     

面向无源超高频标签的低成本非易失存储器

面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享一个灵敏放大器,数据通过共享的灵敏放大器依次串行读出,这样既节省了面积,又降低了读操作的功耗。基于0.18μm标准CMOS工艺设计实现了存储容量为1 kbit的存储器芯片,该存储器的核心面积为0.095 mm2,并完成了实测。实测结果表明,电源电压为1.2 V,读速率为1 Mb/s时,功耗为1.08μW;写速率为3.2 kb/s时,功耗为44μW。     

一种适用于射频电子标签的超低功耗嵌入式EEPROM

采用Chartered 0.35μm EEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EEPROM存储器.芯片实现了块编程和擦写功能,并通过优化敏感放大器和控制逻辑的结构,实现了读存储器时间和功耗的最优化.最后给出了芯片在编程/擦写/读操作情况下的功耗测试结果.在电源电压为1.8V,数据率为640kHz时,EEPROM编程/擦写的平均功耗约为68μA,读操作平均功耗约为0.6μA.     

无源射频识别标签IC内置OTP存储器

联笙电子（AMIC）针对使用射频识别标签IC（RFID Tag IC）市场推出高频（13．56MHz）无源射频识别标签IC：A9210-A及A9211-A高频IC,符合ISO／IEC15693及ISO／IEC14443A国际标准规范。两款器件采用0．25μm CMOS工艺制程,内置OTP存储器,可以卡片或标签贴纸等多种形式供货。接收信号是脉宽调制（PWM）脉编码的10％和100％幅度键控（ASK）调制信号,应答是曼彻斯特编码信号;允许多次读取一次写入信息,数据可保存10年,具有库存、读取、编程功能。芯片的OTP存储器允许被写一次,一旦信息被写入后可选择是否被锁定,防止信息被修改、删除。     

适用于射频识别标签的64-kbit嵌入式阻变存储器

设计并实现了一颗适用于射频识别(RFID)标签的低功耗嵌入式64-kbit阻变存储器芯片.提出了新型的带尖峰电流控制功能的高压稳压电路,在提供稳定编程电压的同时降低了芯片电源上的瞬态大电流,改善了存储器电路的可靠性;设计了适用于2T2R(2 Transistors and 2 Resistive cells)单元的敏感...     

一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路

提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在～40～100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA.     

一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路

提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在～40～100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA.     

Synopsys推出全新超低功耗非挥发性存储器IP

新思科技公司（Synopsys,Inc．,）日前宣布：其专为功耗和面积要求严格的无线应用和RFID／NFC集成电路而进行了优化的DesignWare AEON 多次可编程（MTP）超低功耗（ULP）非易失性存储器（NVM）IP开始供货。     

适用于13.56 MHz无源射频标签的稳压电路

介绍了一种用于13.56 MHz射频标签的新颖稳压电路结构.采用双路负反馈的方式,分别控制电荷泵两端的电压,可使输出电压稳定在2.8 V;防过压击穿保护电路可使传输管承受高达13 V的感应电压而不被击穿;自动节能电路可防止输出电容上的有限电荷倒流入天线.系统仿真采用华虹NEC的EF130工艺.仿真结果表明:当输入天线电压处于3～7 V之间时,输出电压在2.813～2.826 V之间,完全满足13.56 MHz射频标签中数字模块和EEPROM的电压要求.     

An Ultra-Low-Power Embedded EEPROM for Passive RFID Tags

采用Chartered 0.35μm EEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EEPROM存储器.芯片实现了块编程和擦写功能,并通过优化敏感放大器和控制逻辑的结构,实现了读存储器时间和功耗的最优化.最后给出了芯片在编程/擦写/读操作情况下的功耗测试结果.在电源电压为1.8V,数据率为640kHz时,EEPROM编程/擦写的平均功耗约为68μA,读操作平均功耗约为0.6μA.     

无源UHF RFID芯片中低功耗基带处理器的设计

对UHF RFID标签芯片的数字基带处理器结构及工作原理进行了分析。该基带处理器兼容ISO18000-6C协议。采用一系列先进的低功耗技术,如门控时钟技术、减小工作电压、降低时钟频率等,以降低无源射频识别标签的功耗。整个标签芯片采用TSMC 0.18μm 1P5M嵌入式EEPROM混合CMOS工艺实现。测试结果表明,该芯片正常工作的最低电压仅为1 V,平均电流为6.8μA,功耗为6.8μW,面积仅为150μm×690μm。     

一种基于射频电子标签的超低电压低功耗基带处理器

设计了一款应用于超高频段射频识别系统中电子标签的超低电压低功耗基带处理器.该基带处理器兼容协议,并满足无源标签的超低功耗要求.在设计上有针对性地提出了一种适合于门控时钟电源管理机制的体系结构,以及简单有效的随机数发生机制和分布式译码电路;并灵活运用了流水线结构、降低逻辑深度等低功耗技术.实现了解码/编码、CRC校验、指令解析、防碰撞机制和权限认证,以及对EEPROM的读写操作等功能.芯片采用Chartered 0.35μm 1P3M CMOS标准工艺实现,正常工作的最低电压仅为1.5V,平均电流2.1μA,功耗3.15μW,面积1.1mm×0.8mm.     

一种基于射频电子标签的超低电压低功耗基带处理器

设计了一款应用于超高频段射频识别系统中电子标签的超低电压低功耗基带处理器.该基带处理器兼容协议,并满足无源标签的超低功耗要求.在设计上有针对性地提出了一种适合于门控时钟电源管理机制的体系结构,以及简单有效的随机数发生机制和分布式译码电路;并灵活运用了流水线结构、降低逻辑深度等低功耗技术.实现了解码/编码、CRC校验、指令解析、防碰撞机制和权限认证,以及对EEPROM的读写操作等功能.芯片采用Chartered 0.35μm 1P3M CMOS标准工艺实现,正常工作的最低电压仅为1.5V,平均电流2.1μA,功耗3.15μW,面积1.1mm×0.8mm.     

一种应用于RFID标签的新型功率放大器设计

A novel matching method between the power amplifier (PA) and antenna of an active or semi-active RFID tag is presented. A PCB dipole antenna is used as the resonance inductor of a differential power amplifier. The total PA chip area is reduced greatly to only 240 × 70 μm² in a 0.18 μm CMOS process due to saving two on-chip integrated inductors. Operating in class AB with a 1.8 V supply voltage and 2.45 GHz input signal, the PA shows a measured output power of 8 dBm at the 1 dB compression point.     

车辆管理RFID电子标签内存规划研究

射频识别以其非接触、自动采集的技术优势在社会公共涉车管理系统中得以迅速发展,为统筹多类涉车行业的共性和特性管理业务的资源划分,基于ISO/IEC18000-6B协议对车辆电子标签的内存规划进行研究分析。充分考虑信息完整性、资源节省性和技术前瞻性,结合现行车辆社会公共管理章程,采用字典算法对存储信息进行编码,确定存储信息内容、存储信息所需内存资源和存储位置,并为隐私信息和安全加密信息规划出相应内存资源。