金属与导电材料

2001764碱式硫酸镁晶须的研制[刊]/董殿权//功能材料.—1999,30(5).—559～560(C)2001765TbFeCo 合金的组织与磁性能[刊]/张喜燕//功能材料.—1999,30(5)./555～556(C)2001766Cu-Zn-Al 合金中的层错能否捕获正电子[刊]/王景成//功能材料.—1999,30(5).—551～552(C)2001767氧化钛薄膜电致变色性质研究[刊]/王忠春//功能材料.—1999,30(5).—533～534(C)     

磁性材料

2001811低温等离子复合技术淀积 Al_2O_3膜的研究[刊]/林锡刚//功能材料.—1999,30(5).—473～475(C)2001812烧结 Nd-Fe-B 取向度的研究[刊]/何叶青//功能材料.—1999,30(5).—470～472(C)2001813Sm_2(Fe,M)_(17)N_x 稀土永磁材料的研究进展[刊]/褚卫国//功能材料.—1999,30(5).—456～458(C)     

金属与导电材料

0003555ZnO 系低压压敏薄膜的喷雾热分解法制备及膜厚对其压敏特性影响的研究[刊]/贾锐//功能材料.—1999,30(6).—636～638(C)0003556溶胶-凝胶法制备纳米钛酸锶[刊]/陈贞亮//5能材料.—1999,30(6).—633～635(C)     

元素半导体

0003568ITO 作填料的涂层光谱特性研究[刊]/於定华//功能材料.—1999,30(6).—660～662(C)0003569乙烯对 CVD 法制备硅薄膜性能的影响[刊]/张溪文//功能材料.—1999,30(6).—649～650(C)0003570修正 Tersoff 势在熔态硅分子动力学模拟中的应用[刊]/周正有//功能材料与器件学报.—1999,5(4).—273～280(C)     

热处理与表面处理工艺

2002049硅-硅直接键合的亲水处理及界面电特性[刊]/何进//微电子学.—1999,29(5).—354～357(AC)2002050MOCVD 法制备复合氧化物功能薄膜及其表征[刊]/潘铭//功能材料.—1999,30(5).—486～488,491(C)2002051化学镀镍磷合金工艺的改进及应用[刊]/刘立新//四川真空.—1999,(2).—36～40(C)     

陶瓷材料

2001797PZT 多元系固溶体压电陶瓷中的正电子湮没研究[刊]/张健//功能材料.—1999,30(5).—529～530(C)测量了不同组成的 PZT 多元系固溶体陶瓷中的正电子寿命谱,根据测得的寿命谱参数,得到反映该压电陶瓷完整体性质的自由态湮没寿命值,并讨论了影响因素。2001798铁电陶瓷的电疲劳机理研究[刊]/白辰阳//功能材料.—1999,30(5).—515～517,523(C)2001799掺锰钛酸钡 PTC 陶瓷的制备工艺及其阻温特性研究[刊]/王晓东//功能材料.—1999,30(5).—512～514(C)2001800掺锰钛酸钡 PTC 陶瓷复合材料介电特性的研究[刊]/张端明//功能材料.—1999,30(5).—509～511(C)     

化合物半导体

0003573气相沉积法分子筛封装 SnO_2纳米半导体材料的研究[刊]/张义华//功能材料.—1999,30(6).—651～652,662(C)0003574SnO_2/Fe_2O_3纳米复合粉的制备与表征[刊]/潘登余//功能材料与器件学报.—1999.5(4).—323～326(C)0003575正交实验方法研究 PECVD 碳化硅薄膜的防水汽扩散性质[刊]/姜利军//功能材料与器件学报.—1999,5(4).—318～322(C)0003576     

材料

9914778用组合靶溅射制备 Nd_2Fe_(14)B 薄膜的研究[刊]/赵强//功能材料.—1999,30(2).—150～151,154(C)9914779梯度功能材料热弹性力学问题计算方法的研究[刊]/苗秀芝//功能材料.—1999,30(2).—122～125(C)介绍了有关梯度功能材料热弹性力学问题的最新研究方法,评述了所采用的研究方法和特点。参37     

陶瓷材料

0003583脉冲激光淀积法在 Pt/TiO_2/SiO_2/Si(001)衬底上制备Pb(Ta_(0.05)Zr_(0.45)Ti_(0.50))O_3薄膜的铁电性质研究[刊]/窦敖川//功能材料.—1999,30(6).—639～641,648(C)0003584致密羟基磷灰石(HA)生物陶瓷烧结行为和力学性能[刊]/储成林//功能材料.—1999,30(6).—606～609(C)     

光学、显示与发光材料

9914868蓝色发光材料——聚(2,5-二庚氧基对苯撑)的合成和性质[刊]/王海侨//功能材料.—1999,30(2).—209～211(C)9914869压色性研究及应用[刊]/杜江燕//功能材料.—1999,30(2).—133～136(C)9914870离子在 Ni(OH)_2电致变色材料中的传输[刊]/于振瑞//光电子·激光.—1999,10(3).—255～258(Y)     

材料

2001762非线性光学活性分子的三阶非线性极化率[刊]/钱鹰//功能材料.—1999,30(5).—535～536(C)2001763溶胶-凝胶法制备 PZT 铁电薄膜的结构特征研究     

晶体与微声材料

0003578侧向邻二氟取代三联苯光活性液晶的合成与性质[刊]/胡刚//功能材料.—1999,30(6).—665～667(C)0003579撞击流粉碎制备超细颗粒工艺的研究[刊]/张小宁//功能材料.—1999,30(6).—657～659(C)0003580天然金刚石包体的同步辐射研究[刊]/李兰杰//功能材料.—1999,30(6).—655～656(C)利用北京同步辐射白光形貌术和同步辐射荧光分析对天然金刚石包体进行了研究,结果发现,晶体中存在有很多极细小的包体及大量位错,文中对包体进行分析,并确定出因其产生的位错的特征量。参60003581β-CaSO_4·1/2H_2O 在美容护肤中的应用研究[刊]/魏福祥//河北工业科技.—1999,16(4).—4～6(C)硫酸钙是常用的化工原料,对β-半水硫酸钙作为美容护肤材料的应用进行了研究,并从应用原理、原料选择到产品制备作了较详细的阐述。参4     

真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

2002042超高真空磁控溅射 Co/Si 多层膜的 X 射线衍射分析[刊]/马忠元//功能材料.—1999,30(5).—489～491(C)2002043用 Monte-Carlo 法模拟大型磁控溅射器的膜厚分布[刊]/黄士男//真空电子技术.—1999,(5).—38～42(C)     

材料

0205840铽改性铌酸锶钡晶体的介电性和热电性[刊]/赵明磊//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—409～412(C)0205841Pb(1-x)La_xTiO_3薄膜的制备及介电性质的研究[刊]/朱卫东//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—405～408(C)     

铁氧体、微波磁性材料

0003596钴铁氧体微粉的化学法制备工艺及其磁特性研究[刊]/车仁超//功能材料.—1999,30(6).—615～616(C)本文采用化学共沉淀法合成钴铁氧体原始粉料;     

晶体与微声材料

9914848CVD 金刚石薄膜的介电性能研究[刊]/汪浩//功能材料.—1999,30(2).—202～203(C)对直流电弧等离子体 CVD 制备的金刚石薄膜的介电性能进行了研究,结果表明,金刚石薄膜的介电性能主要取决于样品的多晶性质以及表面和晶界处的非金刚石相和杂质成分。参10     

其它相关学科与技术

9914697离子型稀土原地浸析采矿室内模拟试验研究[刊]/汤洵忠//中南工业大学学报.—1999,30(2).—133～136(G)9914698岩爆倾向矿床采场结构参数优化方法[刊]/谢学斌//中南工业大学学报.—1999,30(2).—121～125(G)     

电源技术

0005516包裹沉淀法合成锂离子二次电池正极材料 LiMn_2O_4[刊]/彭忠东//中南工业大学学报.—1999,30(6).—565～567(C)     

陶瓷材料

0014201钛酸钡陶瓷补偿缺陷分析[刊]/赵双群//电子元件与材料.—2000,19(3).—19～20(C)0014202CSBT-BNT-NT 系高介瓷料α_系列化的研究[刊]/江涛//电子元件与材料.—2000,19(3).—16～18(C)0014203自燃烧合成(Sr,Pb)TiO_3及其阻-温特性[刊]/张明福//电子元件与材料.—2000,19(3).—13～15(C)     

电容器

02058943V、干法级超大容量电容器研究[刊]/刘志祥//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—413～417(C)0205895铁磁谐振及其消除措施[刊]/谢辉//广播与电视技术.—2001,28(11).—154～156(L)